完全拡散面の英語

２Ｔ ２Ｃ ＤＲＡＭセルおよび１Ｔ ＤＲＡＭセルのマスク・データおよび断面は、これら２つの１Ｔ ＤＲＡＭセルの２つの記憶ノードを接続する拡散接続部を除き、互いに完全に適合する。例文帳に追加

The mask data and the cross-sections of the 2T and 2C DRAM cell and those of the 1T DRAM cells are mutually fully compatible except for a diffused connection section where the two memory nodes of the two 1T DRAM cells are connected. - 特許庁

さらに、両トランジスタ１０と２０のゲート延在部６７ａの先端間の隙間付近のエピタキシャル層６２の表面にストッパ層６４をそれとは逆のｐ型で拡散して漏れ電流をほぼ完全に遮断する。例文帳に追加

Furthermore, a p-type stopper layer 64, whose conductivity type is reverse to that of an epitaxial layer 62, is diffused into the surface of the epitaxial layer 62 near a gap between the tips of the gate extension parts 67a of transistors 10 and 20, to shut off a leakage current nearly completely. - 特許庁

汚染エリア２の土中に対してエアーパイプ８を打ち込むとともに、土の表面を汚染空気拡散防止シート１０により完全に覆い、内部の空気が外部に漏れないよう密封する。例文帳に追加

An air pipe 8 is driven into soil of the polluted area 2 and the surface of soil is perfectly covered with a polluted air diffusion preventing sheet 10 to be sealed so as not to leak air in soil to the outside. - 特許庁

即ち、拡散板３のヘイズが８０％以上、且つ９９％以下であり、且つ少なくとも線状光源２側に面する該拡散板３表面の算術平均粗さを１０μｍ以上、且つ１５０μｍ以下に設定することで、課題となっているたわみ防止ピン５との接触による傷を完全に防ぐことが出来ることを特徴とする。例文帳に追加

Damages, generated by contact with the warpage preventing pin 5, can be prevented completely by setting the haze value of the diffusion plate 3 to be 80 to 99% and arithmetic average roughness of at least the surface of the diffusion plate 3 facing a linear light source 2 side to be 10 to 150 μm. - 特許庁

カソード層２の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層５及びアノード層４に、それぞれ、アノード層４形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層４形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層２の不純物濃度をカソード層２よりも高くする。例文帳に追加

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2. - 特許庁

予め、偏光特性を持たない完全拡散面を輝度面とする標準試料を測定し、測定用受光部１１から出力される全体の受光信号とモニタ用受光部１２から出力される受光信号との比率をＲＯＭ２３に格納しておく。例文帳に追加

A standard sample whose brightness surface is a complete diffusion surface without polarization characteristic is measured in advance and the ratio of all the received signals output from the light receiving part 11 to the received signals output from the monitor light receiving part 12 is stored in the ROM 23. - 特許庁

ゲート電極２よりソース及びドレイン電極１１、１２が高いから、ソース及びドレイン電極１１、１２を上面からの金属拡散により半導体基板１の浅い領域に留まるように形成しても、ゲート電極２は完全にシリサイド化される。例文帳に追加

The source electrode 11 and the drain electrode 12 are higher than the gate electrode 2 whereby the silicide of gate electrode 2 is effected completely, even when the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed so as to stay in the shallow region of the semiconductor substrate 1 through the diffusion of metal from the upper surfaces thereof. - 特許庁

スパッタ工程のみと比較し大幅に処理時間を短縮するとともに、均一なシード層を作成し、シード層の上に完全なビアフィリングを行わず、コンフォーマルに導電層めっき１０を施し、銅めっき層の酸化防止のため表面にバリアめっき１２を施すことにより、樹脂に銅が拡散しない層間接続が可能となる。例文帳に追加

The processing time is greatly shortened as compared with processing including only a sputter step, and a uniform seed layer is formed; and complete via filling is not carried out, but conductive layer plating 10 on the seed layer is carried out, and barrier plating 12 on a surface is performed to prevent a copper plating layer from oxidizing, thereby making an inter-layer connection free of diffusion of copper in the resin. - 特許庁