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英訳・英語 tensile strain
「引張りひずみ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 40件
これにより表面層に引張りの熱衝撃応力が加わって引張りひずみが生じるとともに表面層が部分的に降伏する。例文帳に追加
In this way, the tensile thermal shock stress is added on the surface layer, tensile strain is generated and also the surface layer is partially yielded. - 特許庁
高速引張りにおいても真応力、真ひずみを高精度に自動測定できるようにする。例文帳に追加
To perform automatic measurement highly accurately of true stress and true strain even in the case of high-speed tension. - 特許庁
この３種類の層を有する引張り歪量子井戸構造に、別の層を加えた４種類の層を有する引張り歪量子井戸構造とすることもできる。例文帳に追加
A tensile strain quantum well structure having four kinds of layers is obtained by adding another layer to the tensile strain quantum well structure having the three kinds of layers. - 特許庁
薄肉板状の試験片に引張り力を付与し、試験片の被測定部の面方向中央部に均一な応力−ひずみの実験データを得ることができる二軸引張り試験装置を提供する例文帳に追加
To provide a biaxial tension test device which gives tensile force to a thin tabular test piece to obtain experimental data on even stress-strain at the center part in the surface direction of a part to be measured of the test piece. - 特許庁
カテーテル、ガイドワイヤーにあってはコア基部の少なくとも一部が引張り試験における引張り強度が２％ひずみ時１０００ＭＰａ以上、および、破断伸び５％以上とする。例文帳に追加
In the catheter or the guide wire, tensile strength in a tension test is ≥1,000 MPa at the time of 2% strain and breaking elongation is ≥5% in at least a part of the core base part. - 特許庁
カテーテル、ガイドワイヤーにあってはコア基部の少なくとも一部が引張り試験における引張り強度が２％ひずみ時１０００ＭＰａ以上、および、破断伸び４％以上とする。例文帳に追加
At least parts of the core bases of the catheter and the guide wire have tensile strength of 1000 MPa or more under the strain of 2% in a tensile test and a break elongation of 4% or more. - 特許庁
公称応力ひずみ曲線において、引張り強さが４５〜７０ｋｇ／ｍｍ^2であり、引張り強さの値が破断応力の値よりも大きく、伸び率が５％以上である二次電池負極集電体用電解銅箔である。例文帳に追加
The electrolytic copper foil for secondary battery negative electrode collector has a tensile strength of 45-70 kg/mm^2, which is larger than a value of rupture stress, and an elongation percentage of at least 5% in a nominal stress-strain curve. - 特許庁
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引張りひずみ
「引張りひずみ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 40件
これにより表面層に引張りの応力が加わって引張ひずみが生じると共に表面層が部分的に降伏する。例文帳に追加
The tensile stress is generated in the surface layer to generate the tensile strain, and the surface layer is partially yielded. - 特許庁
反射電子検出器を装着した走査電子顕微鏡内に引張り装置を取り付け、反射電子像を撮影しながら試験片を引張り、反射電子像に現れる結晶粒の形の変化を測定し、結晶粒毎の歪量及び引張り方向に対する断面積を逐次演算する。例文帳に追加
This tension testing device is attached to an inside of a scanning electron microscope mounted with a reflected electron detector, a test piece is tensioned while photographing a reflected electron image, and a change of a shape in a crystal grain appearing in the reflected electron image is measured to compute sequentially a strain amount in each crystal grain and a cross section with respect to a tensioned direction. - 特許庁
薄膜／基材フィルムに引張りひずみが生じても、薄膜が容易に破壊されないように、薄膜の引っ張りに対する破壊ひずみを増大させることを課題とする。例文帳に追加
To increase breaking strain against the tension of a thin film in such a manner, even in the case tensile strain is generated in a thin film/base material film, the thin film is not easily broken. - 特許庁
フレア部の近傍のガラス管に生じる引張り歪を低減できる、ランプの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a lamp capable of reducing tension strain caused in a glass tube nearby a flare portion. - 特許庁
磁極層１０の内部応力は引張り応力であり、磁極層１０を構成する材料の磁歪定数は正の値である。例文帳に追加
The internal stress of the magnetic pole layer 10 is a tensile stress, and a magnetostrictive constant of the material composing the magnetic pole layer 10 is a positive value. - 特許庁
1軸性引張り歪が電流方向と垂直な第２の結晶面方位＜１１０＞方向にチャネル層の側壁に対して加えられている。例文帳に追加
Uniaxial tensile strain is applied to a side wall of the channel layer in the second crystal plane direction <110> perpendicular to a current direction. - 特許庁
多面の引張り歪ＳｉによるＭＯＳＦＥＴ（フィン型ＦＥＴ）デバイスを形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for forming a MOSFET (fin-FET) device using a multifaceted tensile-strained Si. - 特許庁
ＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、ＩｎＧａＡｓＰ系からなる引張り歪井戸層及びＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。例文帳に追加
To provide a semiconductor electroluminescent device with an InGaAlAs-based well layer having tensile-strain, or a semiconductor electroluminescent device with an InGaAsP-based well layer having tensile strain and with an InGaAlAs-based barrier layer, which is high-performance and high-reliability in a wide temperature range. - 特許庁
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