lattice energyとは 意味・読み方・使い方

To inexpensively produce a lattice plate made of a thermoplastic synthetic resin having an arbitrary size with good productivity by reducing energy cost.例文帳に追加

熱可塑性合成樹脂製格子板を、任意な大きさで、生産性良く、エネルギ−コストを削減して安価に製造する。 - 特許庁

For a great earthquake, transition of an energy absorbing means occurs from the high damping rubber 34 to a lattice material 28.例文帳に追加

また、大きい地震の場合は、高減衰ゴム３４からラチス材２８へエネルギ吸収手段が移行される。 - 特許庁

Lattice polarization and energy level are kept unchanged, and electrical conduction is realized without change in the energy level, and it becomes possible to realize the superconductivity.例文帳に追加

格子偏極もエネルギー準位も何も変わらず、エネルギーレベルの変化なしで電気伝導が可能になり、超伝導が実現することを特徴とする超伝導材料である。 - 特許庁

Since the interaction of the coarse lattice nonwoven fabrics 5 and that of the fine lattice nonwoven fabrics 4 are sufficiently obtained when an impact is applied to the sandwich structure 1, the elastic modulus and impact energy absorbing characteristics of the sandwich structure 1 are enhanced.例文帳に追加

サンドイッチ構造体１に衝撃が加わった際における粗格子不織布５同士の相互作用、および微細格子不織布４同士の相互作用が充分に得られるので、サンドイッチ構造体１の弾性率および衝撃エネルギー吸収特性が高くなる。 - 特許庁

In addition, the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the first semiconductor layer 101 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the first semiconductor layer 101, and the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the third semiconductor layer 103 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

加えて、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１とバンドギャップエネルギーが異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３とバンドギャップエネルギーが異なる。 - 特許庁

The diffraction lattice layer 25 has a lamination structure where a layer 25a having smaller band gap energy EG1 than band gap energy EGp of the adjoining clad layers 24 and 26 and a layer 25b having larger band gap energy EG2 than the band gap energy EG1 are stacked alternately, and the layer 25a is formed at a layer thickness Lclad where no ground state of the hole exists.例文帳に追加

回折格子層２５は、隣接したクラッド層２４，２６のバンドギャップエネルギーＥＧｐより小さいバンドギャップエネルギーＥＧ１を有する層２５ａと、ＥＧ１より大きいバンドギャップエネルギーＥＧ２を有する層２５ｂとが交互に積層された積層構造を有し、層２５ａはホールの基底準位が存在しない層厚Ｌcladに形成される。 - 特許庁

The compressive stress varies a vibration mode of a nano crystal lattice to shift the energy position of a corresponding raman phonon band higher or lower, which can be read by a spectroscopic means.例文帳に追加

該圧縮応力は、ナノ結晶格子の振動モードを変化させ、分光学的手段により読み取り可能である、対応するラマンフォノンバンドのエネルギー位置を上下にシフトさせる。 - 特許庁

A higher energy density is achieved by employing black lead having an average lattice spacing of (002) surface of 0.335 to 0.337 nm for an active material of a negative electrode that constitutes the lithium-ion capacitor.例文帳に追加

リチウムイオンキャパシタを構成する負極の活物質に、002の平均格子面間隔が0.335〜0.337nmの黒鉛を使用することで高エネルギー密度化を図ることができる。 - 特許庁