ſo Moſの英語

Almost only DC components are applied to the gate electrode of the MOS transistor 3 so that almost only DC components can flow through the MOS transistor 3.例文帳に追加

ゲート電極には、ほとんど直流成分しか掛からないので、ＭＯＳトランジスタ３にはほぼ直流分しか流れない。 - 特許庁

Also, in the case of a usual operation, a DC voltage fed to the gate of the MOS transistor M2 is so constituted in response to the applied voltage to a conduction terminal 6y of the MOS transistor M2 that the MOS transistor M2 falls within the scope of its withstanding voltage.例文帳に追加

又、通常動作時には、ＭＯＳトランジスタＭ２の導電端子６ｙに印加する電圧に応じてＭＯＳトランジスタＭ２の耐圧範囲内となる直流電圧をゲートに供給する。 - 特許庁

In addition, a second MOS transistor is provided between the back gate of the MOS transistor and the ground (GND) so that in-phase clock signals are inputted to the gate of the second MOS transistor and the capacitor thereof.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳトランジスタのバックゲートとＧＮＤの間に第二のＭＯＳトランジスタを設け、第二のＭＯＳトランジスタのゲートと容量に同相のクロック信号を入力する構成とした。 - 特許庁

The resistance element R1 uses an MOS transistor so as to use its on-resistance.例文帳に追加

抵抗素子Ｒ１は、ＭＯＳトランジスタを使用して、そのオン抵抗を利用するようにした。 - 特許庁

An interlayer insulating film 115 is formed so as to cover the MOS transistor 114.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ１１４を覆うように層間絶縁膜１１５が形成されている。 - 特許庁

The rectifier modules 5X and so on include MOS transistors 50, 51, and so on that rectify the outputs of the output terminals and a temperature detection unit 150 that detects the temperature of the MOS transistors.例文帳に追加

整流器モジュール５Ｘ等は、出力端子の出力を整流するＭＯＳトランジスタ５０、５１等と、このＭＯＳトランジスタの温度を検出する温度検出部１５０とを有する。 - 特許庁

From among five types of pad electrodes P1-P5, two types are selected to be connected to a source region S and a drain region D of each MOS transistor, so that any two combinations of the pad electrodes will not overlap each other so that each MOS transistor is measured separately.例文帳に追加

５つのパッド電極Ｐ１〜Ｐ５の中から、重複する組み合わせがないようにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄとの接続がなされ、それぞれのＭＯＳトランジスタを独立に測定できるようにしている。 - 特許庁

When the output voltage VO is larger than the second reference voltage VR2, an output voltage VG of the error amplifier AMP is supplied to the gate of the output MOS transistor MP, and in the other case, the partial voltage VG1 is supplied to the gate of the output MOS transistor MP so that the breakdown of the output MOS transistor due to overcurrents can be prevented.例文帳に追加

第２基準電圧ＶＲ２よりも出力電圧ＶＯが大きい場合に誤差増幅器ＡＭＰの出力電圧ＶＧを、逆の場合に分電圧ＶＧ１を出力ＭＯＳトランジスタＭＰのゲートに供給することで、出力ＭＯＳトランジスタの過電流による破壊を防止する。 - 特許庁