ききょうがおかにばんちょうの英語

我々は、多くのアジア諸国において金融の安定回復と経済成長への基盤強化に向けて進展がみられたことを歓迎する。例文帳に追加

We welcome the progress in restoring financial stability and strengthening the foundations for economic growth in many Asian countries.発音を聞く  - 財務省

ＴＶ番組の視聴時の反応データを収集して、反応結果に応じて反響音データの種類と音量を決め、当該ＴＶ番組を視聴するユーザに対して送信することにより、個々のユーザに他の視聴者の反響を伝える技術を提供すること。例文帳に追加

To provide technology of informing individual users of echoes of other viewers by collecting reaction data when viewing and listening a TV program and determining the kind and sound volume of reverberation data according to a reaction result to be transmitted to users viewing and listening the TV program concerned. - 特許庁

高温・高湿および低温環境下に長時間放置した後でも表面におけるフクレの発生が非常に少ない、熱可塑性樹脂から成る基板、その製造方法、およびその基板を使用した記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate consisting of thermoplastic resin, wherein few blisters are generated on its surface even after the substrate is left in the condition of high temperature/high humidity and low temperature for a long period and to provide a method for manufacturing the substrate and a recording medium using the substrate. - 特許庁

サーバには、「電話番号」、前記デジタル交換機から返送される「理由表示」、「調査年月日」、調査時に判明した移転先あるいは連絡先の番号である「新加入者番号」を含む電話番号使用状況データを電話番号毎に調査年月日の異なる複数の前記電話番号使用状況データを時系列に電話番号履歴情報として蓄積する履歴情報記憶手段が設けられている。例文帳に追加

The server is provided with a history information storing means for storing, as the telephone number history information in time series; and a plurality of telephone usage condition date different in search data for each telephone number including "telephone number", "reason indication" returned from a digital exchange, "search date", and "new subscriber number" as the moving destination number or access number identified at search. - 特許庁

水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。例文帳に追加

In the treatment method for planarizing the surface of the SiC substrate by hydrogen gas, hydrocarbon is supplied to the SiC substrate, while making its temperature rise, under the condition in the reaction chamber that the supply of carbon is suppressed; the supply of hydrocarbon is stopped or reduced, after reaching an epitaxial growth temperature; and then, hydrogen gas is supplied to etch the surface of the SiC substrate. - 特許庁

発注側においては、受注企業が提供する製品の適正評価が長期的には自社が属する産業の基盤の維持・強化につながるとの認識のもと、取引条件の交渉を行うことが必要である。例文帳に追加

Client enterprises need to negotiate the terms and conditions of transactions based on the recognition that the fair evaluation of products provided by the subcontracting enterprise will lead to the long-term maintenance and strengthening of the industrial infrastructure to which the client enterprise itself belongs. - 経済産業省

チャンバ内において、気相成長反応後の原料ガスを速やかにチャンバ外へと排気し、半導体基板全面において膜厚及び不純物濃度の均一性が高く、汚染の少ない結晶膜を成長させられる高スループットの気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus that can deposit a less-contaminated crystal film having high uniformities of film thickness and impurity concentration over the entire surface of a semiconductor substrate by quickly discharging a raw material gas after vapor deposition reaction from a chamber to the outside of the chamber, and to provide a vapor deposition method. - 特許庁

２本のアーム導波路を半波長板に向かって緩やかに接近させ、半波長板の挿入部においてアーム導波路間の距離を近接させることによって、半波長板の偏波変換効率の面内依存性による影響を抑制することができる。例文帳に追加

The two arm waveguides are made to gently approach the half wavelength plate, with a distance between the arm waveguides made close in the inserting part of the half wavelength plate, thereby suppressing influence by the in-plane dependency of the polarization conversion efficiency of the half wavelength plate. - 特許庁