にしたき３ちょうめの英語

請求は，期間の超過を生じさせた原因が消滅してから3月以内であって，超過が生じた期間の満了から1年以内にしなければならない。例文帳に追加

The request shall be filed within three months on elimination of the circumstances that caused the period to be exceeded, but no later than one year following the expiry of the period exceeded.発音を聞く  - 特許庁

玉鋼、銑鉄、包丁鉄の3種類の下鍛えが済めば再び小槌で叩いて鉄片にし、それぞれの鋼の配合が適切になるように選んで、1回目の積沸かしと同じく積み上げて溶かし固める。例文帳に追加

After finishing Shita-gitae with three types of steel, Tamahagane (literally "jeweled steel"), Sentetsu (pig iron), and Hocho tetsu (literally "kitchen knife steel," pure iron), they are hammered using a Kozuchi (light hammer) again to make metal pieces, selected to produce the proper steel composition, they are stacked and formed like the first Tsumi wakashi.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

出願人が(2)の規定を遵守し次第，庁は，その出願が第24条に基づいて又はそれによって定められた規定，又は該当する場合は(3)にいう欧州特許条約の規定に従っているか否かを決定する。例文帳に追加

As soon as the applicant has complied with the provisions contained in paragraph (2), the Office shall determine whether the application is in compliance with the provisions stipulated under or by virtue of Article 24 or, if applicable, the provisions contained in the European Patent Convention as referred to in paragraph (3). - 特許庁

優れたゲッタリング能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハであって、エピタキシャル成長後のシリコン単結晶基板内部に検出される酸素析出物の密度が、ウェーハ面内の何れの位置においても、１×１０^9／ｃｍ^3以上であるようにした。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer having an excellent gettering ability all over the wafer is made with a density of oxygen precipitate detected in the substrate of silicon single crystal grown by epitaxy to be 1×10^9/cm^3 or more at any place of the wafer. - 特許庁

記録媒体１の記録層３と出射面１２ｃとのギャップは光の波長の１／４以下に設定されており、染み出した近接場光Ｎが記録層３を照射し、記録ピット３ａを形成する。例文帳に追加

Then, the gap between the recording layer 3 of a recording medium 1 and the light-emitting surface 12c is set to be equal to or smaller than the fourth of the wavelength of the light and the recording layer 3 is irradiated with the oozed-out proximity field light N to form a recorded pit 3a. - 特許庁

(3) (1)(e)及び(f)，第35条(2)，第37条(3)及び(5)若しくは第79条(9)に従って，又は一般拘束規則(第80条)に従って不備が発見された場合は，庁は，出願人に対して，当該不備を指定された期限内に是正するよう求めるか又はこの求めに応答するよう求める。出願人が指定された期限内に当該求めに応じないか又はその応答が当該求めの正当性を退けるものでない場合は，庁は，出願手続を停止する。出願人は，この結果について，求めの中で通知されるものとする。例文帳に追加

(3) In case irregularities are found pursuant to Subsection (1)(e) and (f) or Section 35(2), or Section 37(3) and (5), or Section 79(8), or pursuant to the implementing regulation as defined in Section 80, the Office shall invite the applicant to correct the relevant irregularities or to react to the invitation. If the applicant fails to comply with the invitation within a time limit set or his statement fails to render the invitation unjustified, the Office shall suspend the application proceedings. The applicant has to be notified about this consequence in the invitation. - 特許庁

永正3年（1506年）、摂津国守護となった澄元が阿波国勢を率いて入京し、その家宰三好之長が政元に軍事面で重用されるようになる。例文帳に追加

In 1506, Sumimoto, who had become the shugo (provincial constable) of Settsu Province, entered the capital leading forces from the Awa Province; upon their arrival, Masamoto gave important military posts to Sumimoto's kasai (main retainer) Yukinaga MIYOSHI.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

露光装置１００は、大気中の気体を清浄するとともに温湿調整する空調部１と、この空調部１で処理された気体が配管２を介して供給され、この供給された気体の雰囲気中で該基板に紫外線を照射する露光部３と、を備える。例文帳に追加

The exposure equipment 100 comprises: an air-conditioning portion 1 for cleaning the gases in the atmosphere and regulating the temperature and humidity; and an exposure portion 3 which is supplied with the gases treated by the air-conditioning portion 1 through piping 2 and irradiates ultraviolet rays on a substrate in an atmosphere of the supplied gases. - 特許庁