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ほうらいちょう５ちょうめの英語
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「ほうらいちょう５ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 135件
六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を結晶成長させる。例文帳に追加
A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5. - 特許庁
六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を成長させる。例文帳に追加
A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5. - 特許庁
慶長古鋳小判（けいちょうこちゅうこばん）は初期の慶長小判と位置付けられるもので、慶長5年（1600年）頃、慶長の幣制の成立の前年に家康の方針により武蔵墨書小判の墨書を極印に改め一般流通を前提として鋳造させたものとされる。例文帳に追加
Keicho Kochu Koban is defined as the early Keicho Koban, cast based on Ieyasu's plan, changing sumigaki of Musashi Sumigaki Koban to hallmark, around 1600, previous year in which the currency system of Keicho was established, supposed to be circulated publicly.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
議題には、決算報告の受領（第6条）、予算、地方税徴収（第1条）の他に、地方税によって行なう事柄が定められた（第5条）。例文帳に追加
The agenda specified receipt of financial results (Article 6), budget, local taxes collection (Article 1) as well as issues to be handled with the local taxes (Article 5).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
また、GaN層５は、ピンホールＰから露出するGaN膜３を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。例文帳に追加
In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized. - 特許庁
装置本体２の前面には通帳挿入ガイド４が設けられ、この通帳挿入ガイド４の通帳挿入口には第２の光学センサ９と、搬送ローラ２０と、第１の光学センサ５とが通帳搬送方向に沿って設けられている。例文帳に追加
A passbook insertion guide 4 is provided on the front surface of a device body 2, and second optical sensors 9, a carrying roller 20, and first optical sensors 5 are provided in the passbook insert port of the guide 4 along the passbook carrying direction. - 特許庁
そして、前記反射層4 およびスペーサ層5 が、エピタキシャル成長による面心立方構造を有し、前記中間層6 が、エピタキシャル成長による体心立方構造を有し、それらの結晶成長の方位が、立方晶の単位格子に関して<001> である。例文帳に追加
The reflecting layer 4 and the space layer 5 are in a face- centered cubic structure with epitaxial growth, while the intermediate layer 6 is in a body-centered cubic structure with epitaxial growth, in which the orientation of crystal growth is <;001>; for the unit grating of a cubic crystal. - 特許庁
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「ほうらいちょう５ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 135件
調光装置が段階調光制御を行なう際、現在の調光率ＰＬと調光ダウンする方向で一番近い段階調光率レベル５０パーセントとの差が、予め決められた設定調光率差（例えば５パーセント）未満の場合は一段階飛ばした段階調光率レベル２５パーセントに調光制御する。例文帳に追加
When stepwise dimming control is performed with the dimmer, if the difference between the present dimming rate PL and the closest 50% dimming rate level of dimming down steps is less than a predetermined value of difference between dimming rates, for example 5%, the dimmer is adjusted to the next rate level of 25%. - 特許庁
御香典袋５の表面に貼付してある、簡易表書き転位紙を、御斎場受付所で御香典袋５から剥がし、備えつけの会葬者御芳名帳６に転位することを特徴とする。例文帳に追加
The simplified name/address transfer paper stuck on the surface of a condolence money envelop 5 is removed from the condolence money envelop 5 at the funeral hall reception desk and transferred to a mourners' book 6 prepared at the reception desk. - 特許庁
本発明は、大腸を含む胃腸管保護作用を有する7-カルボキシメチルオキシ-3',4',5-トリメトキシフラボンの薬学的定量形の製造に適切な非吸湿性生成物である7-カルボキシメチルオキシ-3',4',5-トリメトキシフラボン一水和物、その製造方法及び用途に関するものである。例文帳に追加
To provide 7-carboxymethyloxy-3',4',5-trimethoxy flavone monohydrate which is a non-hygroscopic product suitable for preparation of metered dose of 7-carboxymethyloxy-3',4',5-trimethoxy flavone having protective activity for gastrointestinal tract including the colon, and a preparation method and use thereof. - 特許庁
Ｃ軸に平行な面にナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体を積層したナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体装置のＣ軸方向に成長した横方向成長層５上に能動領域６を設ける。例文帳に追加
An active region 6 is provided on a lateral growth layer 5 grown in a C-axis direction of a semiconductor device of nitride group III-V compound laminated by the nitride group III-V compound on a surface parallel to a C axis. - 特許庁
通帳類１は、表紙３内部にメモリＩＣ１３およびアンテナを予め組み込んだ未使用の通帳類の反対側の表紙４の内面に通帳類の所有者の個人情報を印刷し、フィルム５を加熱および加圧してラミネートして形成される。例文帳に追加
The bankbook or the like 1 is formed by printing the personal information of an owner of the bankbook or on an inner surface of the cover 4 at an opposite side of the unused bankbook or the like with the memory IC 13 and an antenna previously assembled within the cover 3, heating and pressurizing the film 5 and laminating the film. - 特許庁
ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加
Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁
調整ねじ（６）が、少なくとも１つの張出部（８）を有し、当該張出部（８）は、前記調整ねじ（６）のねじ部（９）の上方において半径方向に突出し、ねじ孔部（５）の外側面（１０ａ、１０ｂ）にかしめられる。例文帳に追加
The adjusting screw 6 has at least one overhanging part 8, which protrudes in the radial direction above a screw part 9 of the adjusting screw 6 and is caulked on outer side faces 10a, 10b of the screw hole part 5. - 特許庁
排気管４の，放射音発生部５よりも上流部４Ａには，その上流部での前記衝撃波の成長を抑えて該放射音発生部５からの前記放射音の発生を低減するための膨大管部１１が形成される。例文帳に追加
An upstream part 4A upstream of the emission sound generating part 5 of the exhaust pipe 4 is formed with a swollen pipe part 11 for suppressing the growth of the shock wave at the upstream part to reduce the generation of the emission sound from the emission sound generating part 5. - 特許庁
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