ほうらいちょう４ちょうめの英語

そして、前記反射層4 およびスペーサ層5 が、エピタキシャル成長による面心立方構造を有し、前記中間層6 が、エピタキシャル成長による体心立方構造を有し、それらの結晶成長の方位が、立方晶の単位格子に関して<001> である。例文帳に追加

The reflecting layer 4 and the space layer 5 are in a face- centered cubic structure with epitaxial growth, while the intermediate layer 6 is in a body-centered cubic structure with epitaxial growth, in which the orientation of crystal growth is <;001>; for the unit grating of a cubic crystal. - 特許庁

本発明の会計帳簿１は、出納帳として使用可能な会計帳簿であって、行方向において左側から順に、借方（入金）記入欄２、科目記入欄３、貸方（出金）記入欄４を備えている。例文帳に追加

The accounting book 1 is an accounting book that can be used as a cash receipt book, and it is provided with a debit (money received) entry column 2, an item entry column 3 and a credit (payment) entry column 4 in order from a left side in a row direction. - 特許庁

各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

通帳類１は、表紙３内部にメモリＩＣ１３およびアンテナを予め組み込んだ未使用の通帳類の反対側の表紙４の内面に通帳類の所有者の個人情報を印刷し、フィルム５を加熱および加圧してラミネートして形成される。例文帳に追加

The bankbook or the like 1 is formed by printing the personal information of an owner of the bankbook or on an inner surface of the cover 4 at an opposite side of the unused bankbook or the like with the memory IC 13 and an antenna previously assembled within the cover 3, heating and pressurizing the film 5 and laminating the film. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

銅銭の公鋳の再開は、皇朝十二銭の600年以上後の1608年（慶長13年）に鋳造された慶長通宝あるいは1627年（寛永4年）の寛永通宝鋳造まで待つこととなる。例文帳に追加

Resumption to use official copper currencies cast by the government happened more than 600 years after the period of Kocho-Junisen, when Keicho-tsuho and Kanei-tsuho appeared in the market in 1608 and in 1627, respectively.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

内管4は、周面に、フランジ部の他方の下縁2bに係止される傾斜した係止面7cを有する押え爪7が上記係止面を上下方向に変位調整可能に突設されるとともに、上記位置決め孔と連通可能な調整孔9が長さ方向に沿って複数貫通形成されている。例文帳に追加

The inner tube 4 is provided with a presser claw 7 projecting on the peripheral surface and having an inclined locking face 7c locked to the other lower edge 2b of the flange part so that the locking face can be vertically displaced and adjusted, and a plurality of adjusting holes 9 formed through along a lengthwise direction so as to communicate with the positioning hole. - 特許庁