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ほうらいちょう4ちょうめの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 186



例文

慶長4年(1599年)の「庄内の乱」の際は疱瘡を患っていたために出陣できなかった。例文帳に追加

In 1599, he was not able to participate in 'Shonai War' because he was attacked with smallpox.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

装置本体2の前面には通帳挿入ガイドが設けられ、この通帳挿入ガイドの通帳挿入口には第2の光学センサ9と、搬送ローラ20と、第1の光学センサ5とが通帳搬送方向に沿って設けられている。例文帳に追加

A passbook insertion guide 4 is provided on the front surface of a device body 2, and second optical sensors 9, a carrying roller 20, and first optical sensors 5 are provided in the passbook insert port of the guide 4 along the passbook carrying direction. - 特許庁

後亀山上皇の死去から4年後の1428年(正長元年)、嗣子のなかった称光天皇が崩御したために北朝の嫡流は断絶した。例文帳に追加

In 1428, four years after Retired Emperor Gokameyama died, Emperor Shoko died without an heir, and consequently the principal Northern lineage came to an end.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、大腸を含む胃腸管保護作用を有する7-カルボキシメチルオキシ-3',4',5-トリメトキシフラボンの薬学的定量形の製造に適切な非吸湿性生成物である7-カルボキシメチルオキシ-3',4',5-トリメトキシフラボン一水和物、その製造方法及び用途に関するものである。例文帳に追加

To provide 7-carboxymethyloxy-3',4',5-trimethoxy flavone monohydrate which is a non-hygroscopic product suitable for preparation of metered dose of 7-carboxymethyloxy-3',4',5-trimethoxy flavone having protective activity for gastrointestinal tract including the colon, and a preparation method and use thereof. - 特許庁

例文

GaAs基板上にAlGaAs層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記AlGaAs層の成長開始温度をAl及びAsが飽和溶解する温度よりも1〜10℃高めることで、基板の表面を溶解しながら成長させる。例文帳に追加

When conducting the epitaxial growth of an AlGaAs layer on a GaAs substrate 4 with the liquid-phase-pitaxial method, the growth starting temperature of the AlGaAs layer made higher than the saturation melting temperature of the Al and the As by 1 to 10°C melts the surface of the substrate 4 to grow the epitaxial. - 特許庁


例文

さらに、該方法によって得た’−O−メチルピリドキシンおよび/またはビフラボンの含有量が低減されたイチョウ葉抽出物、およびその使用。例文帳に追加

Further, the ginkgo leaf extract with reduced contents of 4'-O-methylpyridoxine and/or biflavones obtained by the method and use thereof are provided. - 特許庁

これにより、矩形長辺のみにパッドが存在していても、短辺方向のアライメント調整を容易に行うことができる。例文帳に追加

Thus, even if the pad 4 exists only at the rectangular long side it is possible to easily adjust the alignment in the direction of the short side. - 特許庁

そして、前記反射層4 およびスペーサ層5 が、エピタキシャル成長による面心立方構造を有し、前記中間層6 が、エピタキシャル成長による体心立方構造を有し、それらの結晶成長の方位が、立方晶の単位格子に関して<001> である。例文帳に追加

The reflecting layer 4 and the space layer 5 are in a face- centered cubic structure with epitaxial growth, while the intermediate layer 6 is in a body-centered cubic structure with epitaxial growth, in which the orientation of crystal growth is <;001>; for the unit grating of a cubic crystal. - 特許庁

本発明の会計帳簿1は、出納帳として使用可能な会計帳簿であって、行方向において左側から順に、借方(入金)記入欄2、科目記入欄3、貸方(出金)記入欄を備えている。例文帳に追加

The accounting book 1 is an accounting book that can be used as a cash receipt book, and it is provided with a debit (money received) entry column 2, an item entry column 3 and a credit (payment) entry column 4 in order from a left side in a row direction. - 特許庁

例文

各非縦方向成長部の上面では、xy平面に平行にr面が結晶成長し、これらの個々のr面は、側壁面1bの近傍に若干のボイド5を形成しつつも、ストライプ溝Sを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

例文

c面サファイア基板1上にMOCVD法やMBE法によりμm/h以下の成長速度で薄いGaN層2を成長させた後、このGaN層2上にハイドライドVPE法によりμm/hよりも大きくかつ200μm/h以下の成長速度で十分に厚いGaN層3を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

通帳類1は、表紙3内部にメモリIC13およびアンテナを予め組み込んだ未使用の通帳類の反対側の表紙の内面に通帳類の所有者の個人情報を印刷し、フィルム5を加熱および加圧してラミネートして形成される。例文帳に追加

The bankbook or the like 1 is formed by printing the personal information of an owner of the bankbook or on an inner surface of the cover 4 at an opposite side of the unused bankbook or the like with the memory IC 13 and an antenna previously assembled within the cover 3, heating and pressurizing the film 5 and laminating the film. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜3をマスクとして、ストライプ状の開口部から露出したGaAs基板1の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるGaAs層5を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

銅銭の公鋳の再開は、皇朝十二銭の600年以上後の1608年(慶長13年)に鋳造された慶長通宝あるいは1627年(寛永4年)の寛永通宝鋳造まで待つこととなる。例文帳に追加

Resumption to use official copper currencies cast by the government happened more than 600 years after the period of Kocho-Junisen, when Keicho-tsuho and Kanei-tsuho appeared in the market in 1608 and in 1627, respectively.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

内管4は、周面に、フランジ部の他方の下縁2bに係止される傾斜した係止面7cを有する押え爪7が上記係止面を上下方向に変位調整可能に突設されるとともに、上記位置決め孔と連通可能な調整孔9が長さ方向に沿って複数貫通形成されている。例文帳に追加

The inner tube 4 is provided with a presser claw 7 projecting on the peripheral surface and having an inclined locking face 7c locked to the other lower edge 2b of the flange part so that the locking face can be vertically displaced and adjusted, and a plurality of adjusting holes 9 formed through along a lengthwise direction so as to communicate with the positioning hole. - 特許庁

落水により曝気を促す曝気方法であって、水中に一定長だけ挿入した落水管4の水面上に出ている部分に複数個の空気孔4bを設置し、落水管4の上部に設置した漸拡部4aを通して水を流し込むことを特徴とする。例文帳に追加

In the aeration method for accelerating aeration by dropping water, a plurality of air holes 4b are formed at the part projected above a water surface of the water drop pipe 4 inserted in the water for a fixed length, and water is poured in through a gradually widened part 4a installed at the upper part of the water drop pipe 4. - 特許庁

それぞれを補いながら開業・廃業の傾向を見るため、今回は〔1〕総務省「事業所・企業統計調査」、〔2〕法務省「民事・訟務・人権統計年報」・国税庁「国税庁統計年報書」、〔3〕厚生労働省「雇用保険事業年報」、〔4〕「タウンページデータベース」の4つの統計・データを用いることにしたい。例文帳に追加

In order to compensate for these advantages and disadvantages, we will use the following four statistical data: 1) the MIC's Establishment and Enterprise Census of Japan; 2) the Ministry of Justice's (MOJ) Annual Report of Statistics on Civil Affairs, Litigation and Civil Liberties and the National Tax Agency's National Tax Agency Annual Statistics Report; 3) the MHLW's Annual Report on Employment Insurance Programs, and; 4)the Town page Database. - 経済産業省

第百三十七条 法務局又は地方法務局の長は、筆界調査委員が対象土地又は関係土地その他の土地の測量又は実地調査を行う場合において、必要があると認めるときは、その必要の限度において、筆界調査委員又は第百三十四条第四項の職員(以下この条において「筆界調査委員等」という。)に、他人の土地に立ち入らせることができる。例文帳に追加

Article 137 (1) When the Director of a Legal Affairs Bureau or District Legal Affairs Bureau finds it necessary in cases where a parcel boundary examiner conducts a survey or field investigation of the subject parcels or related parcels or other parcels of land, he/she may have the parcel boundary examiner or his/her official set forth in Article 134, paragraph (4) (hereinafter referred to as "parcel boundary examiner, etc." in this Article) enter another person's land.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

 第二項の検査役は、必要な調査を行い、当該調査の結果を記載し、又は記録した書面又は電磁的記録(法務省令で定めるものに限る。)を裁判所に提供して報告をしなければならない。例文帳に追加

(4) The inspector set forth in paragraph (2) shall conduct necessary investigation and shall report the court by submitting documents or Electromagnetic Records (limited to those prescribed by the applicable Ordinance of the Ministry of Justice) which specifies or records the result of such investigation.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

画像処理装置200は、画像情報取得部で取得された画像情報から所定の特性値を算出し、その算出された特性値を入力信号とし、画像情報を階調変換するための階調補正パラメータを出力信号とする第1のニューラルネットワークを用いて階調補正パラメータを算出する。例文帳に追加

An image processing apparatus 200 calculates predetermined characteristic values from image information acquired by an image information acquisition part 4, and calculates tone correction parameters by using a first neural network whose input signals are the calculated characteristic values and whose output signals are the tone correction parameters of tone conversion of the image information. - 特許庁

c面サファイア基板301上に、減圧ハイドライドVPE法によりμm/h以下の成長速度で薄いGaN層302を成長させた後、このGaN層302上に常圧ハイドライドVPE法によりμm/hよりも大きく且つ200μm/h以下の成長速度で十分に厚いAlGaN層30を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 302 is grown at a growth rate of, for example, 4 μm/h or under by depressurized hydride VPE method on a substrate 301, and then a thick AlGaN layer 304 is grown enough at a growth rate of 4-400 μm/h by normal pressure hydride VPE method on this GaN layer 2. - 特許庁

被検査面2の一側3から、被検査物1の結晶成長方向([001]方向)と一致する振動方向をもったパルス状の横波超音波を入射する。例文帳に追加

A pulse-like transversal wave 4 having a vibrating direction coincident with a crystal growing direction ([001] direction) of a material 1 to be inspected is incident from one side 3 of a surface 2 to be inspected. - 特許庁

本発明によれば、電極3,間にこれらの対向方向に積層された超格子積層体SLが挟み込まれていることから、電極3,を介して超格子積層体SLに電気的エネルギーを印加した場合、超格子積層体SLの積層面に対して均一な電気的エネルギーが印加される。例文帳に追加

Between the electrodes 3, 4, the superlattic laminate SL which is laminated in an opposite direction thereof is sandwiched, so when electric energy is applied to the superlattice laminate SL through the electrodes 3, 4, uniform electric energy is applied to the laminate surface of the superlattice laminate SL. - 特許庁

傘入れ本体2は、外皮が合成繊維製の正面視細長い長方形の形状を有し、その内面に撥水コーティング3が施され、また、その前面11にスライドファスナ5で開閉される開口部4を有する。例文帳に追加

The body 2 of the umbrella bag whose an outer cover is made of a synthetic fiber and has an elongated rectangular shape in front view and water repellent coating 3 is applied to the inside, and the bag has an opening 4 opened and closed with a slide fastener 5 in the front surface 11 thereof. - 特許庁

底面を除く全面が触媒で覆われた導電体ブロック2のナノチューブ配線が延在しない方向において触媒と導電体ブロック2との間に成長抑制マスク3を設ける。例文帳に追加

A growth suppressing mask 3 is provided between a catalyst 4 and a conductor block 2 in a direction where no nanotube wiring extends in the conductor block 2 covered with the catalyst 4 over the entire surface thereof excepting a bottom surface. - 特許庁

フェース面から連結部R1の後端までのフェース・バック方向長さD5が、ヘッドのフェース・バック方向最大長さDの0.5倍以上0.8倍以下である。例文帳に追加

The length D5 in the face-back direction between the face surface 4 and the back end of the connection section R1 is between 0.5 times the maximum length D4 in the face-back direction of the head or more and 0.8 times or less. - 特許庁

通帳Pに予め印刷されている個人画像を読取るイメージスキャナ3を設け、顧客が通帳Pと個人情報を持参した際に、写真13等からイメージスキャナ3により個人情報を取り込み、持参した通帳Pの表紙の見返し部に取り込んだ個人画像をプリンタにより印刷する。例文帳に追加

The system is provided with an image scanner 3 for reading personal images previously printed on a bankbook P, and when a customer brings the bankbook P and personal information, the personal information is entered from a photograph 13 or the like by the image scanner 3 and a personal image entered in the end leaves of a cover of the brought bankbook P is printed out by a printer 4. - 特許庁

排気管の,放射音発生部5よりも上流部Aには,その上流部での前記衝撃波の成長を抑えて該放射音発生部5からの前記放射音の発生を低減するための膨大管部11が形成される。例文帳に追加

An upstream part 4A upstream of the emission sound generating part 5 of the exhaust pipe 4 is formed with a swollen pipe part 11 for suppressing the growth of the shock wave at the upstream part to reduce the generation of the emission sound from the emission sound generating part 5. - 特許庁

粉体固着不織布は、粉体と、繊維径がμm以下で繊維長が3mm以下の極細短繊維とを分散した状態で含む、湿式法以外の方法により形成した粉体含有繊維ウエブから形成する。例文帳に追加

This nonwoven fabric comprising the powder fixed thereto is formed from a powder-containing fiber web containing the powder and ultrafine short fibers having ≤4 μm fiber diameter and ≤3 mm fiber length in a dispersed state thereof and formed by a method other than a wet method. - 特許庁

 執行官は、法第百三十二条の四第一項第四号の調査をするに当たっては、当該調査を実施する日時及び場所を定め、申立人及び相手方に対し、その日時及び場所を通知しなければならない。例文帳に追加

(4) A court execution officer shall, when conducting the examination set forth in item (iv) of paragraph (1) of Article 132-4 of the Code, specify the date and place for conducting said examination and notify the petitioner and the opposite party of such date and place.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

その際、周辺の民家(畝傍8戸、久米4戸、四条1戸)の一般村計13戸が移転し(『橿原神宮規模拡張事業竣成概要報告』)、洞部落208戸、1054人が1917年(大正6年)に移転した(宮内庁「畝傍部沿革史」)。例文帳に追加

On this occasion, a total of 13 houses in surrounding villages (eight houses in Unebi, four houses in Kume and one house in Shijo) were relocated (summary report of completion of Kashihara-Jingu Shrine's scale widening project); moreover, in 1917, 1,054 people of 208 houses in Ho buraku (hamlet) were moved (Imperial Household Agency, "Chronology of Unebi").  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

経肛門経腸チューブ1は全長が9mでその口側端に径cmの後方バルーン2があり後方バルーン2より肛門側に8.85mのチューブ1が続き、その肛門側端に腸内で膨らませる径2cmの前方バルーン3がある。例文帳に追加

The anal and enteral tube 1 is 9m long, where a rear balloon 2 having a diameter of 4 cm is arranged at the mouth side end, a tube 1 of 8.85m is arranged on an anal side and continued from the rear balloon 2, and a front balloon 3 having a diameter of 2 cm to be expanded in the intestine is arranged at an anal side end. - 特許庁

木質繊維を積層し、網目寸法Lが前記木質繊維の自然繊維長より短い網目を有する網状体(網状鉄鋼板3)を前記木質繊維の上面及び/又は下面に設置し、上下方向からプレスする。例文帳に追加

Woody fibers 4 are laminated, and net-like bodies (net-like steel sheets 3) having meshes in which a mesh size L is shorter than the natural fiber length of the woody fibers 4 are set on the upper surface and/or the lower surface of the woody fibers 4 and pressed vertically. - 特許庁

よって、テーパロッドから射出された照明光を、コンデンサレンズ5によりケーラー照明光に変えて照明領域6を照明すると、照明される領域はテーパロッドの入射端の長辺の方向に長い長方形に近い形状となる。例文帳に追加

Therefore, when the illuminating light emitted from the tapered rod 4 is changed to Kohler illuminating light by a condenser lens 5 so as to illuminate an illumination region 6, the illuminated region is nealy rectangle long in the long-side direction of the incident end of the tapered rod 4. - 特許庁

これにより、リード電極3およびチップ下電極5の寸法に関わらず、接合部材2,の熱ひずみを低減できるため、高い放熱性と高い長期信頼性の両方を確保した半導体装置を提供できる。例文帳に追加

Since the thermal distortion of the joining members 2, 4 can be reduced independently of the size of a lead electrode 3 and the under chip electrode 5, the semiconductor device ensuring both the high heat dissipation and the high long-term reliability can be provided. - 特許庁

上衣後身頃の右又は左半身部分を、その衿のつけ根から袖の方向に沿って所定長だけ離れた位置と、同じ半身の下端部より所定長だけ上方に位置する位置とを斜めに結ぶように裁断する。例文帳に追加

The right or left half part of the back body of a jacket is cut in such a way that a position separated by a fixed length from the base of the collar of the jacket in the direction of a sleeve 4 is slantingly connected to a position located above by a fixed length from the lower end part of the same half part of the back body. - 特許庁

本日から始まる2日間に亘るABCDEでの議論では、インフラに関連するトピックの中でも、成長のためのインフラ、持続可能な開発とインフラ、地方インフラと農業開発、インフラと地域協力の4点を特に取り上げています。例文帳に追加

Four topics will be featured in the two-day discussion. They are “infrastructure for growth”, “sustainable development and infrastructure”, “rural infrastructure and agricultural development”, and “infrastructure and regional cooperation”. - 財務省

触媒成長によって得られた、第1材料で作られたソリッド構造体(3)の表面上に存在する触媒残渣(2)を取り除くこの方法は、以下の段階:第2材料で作られたソリッド構造体()を前記触媒残渣(2)から触媒成長させる段階と、前記第2材料で作られたソリッド構造体()を選択的に取り除く段階と、を含む。例文帳に追加

The method for eliminating the catalyst residue (2) existing on a surface of a solid structure (3) made from a first material and obtained by catalytic growth comprises the following steps of: catalytically growing a solid structure (4) made from a second material from the catalyst residue (2); and selectively eliminating the solid structure (4) made from the second material. - 特許庁

一方、他方の接合面1bには、他方の接合面1bより外方に突出する筒形状で、固定孔3の深さL_1より長い部材長L_2を有するオス型部材が取り付けられている。例文帳に追加

A male member 4 taking the form of a cylinder protruding outwards from the other mating surface 1b and having a member length L_2 longer than the depth L_1 of the locking hole 3 is mounted to the other mating surface 1b. - 特許庁

前記繊維化処理工程で得られた繊維の平均繊維長が2〜mm、かつ平均繊維径が100〜00μmである、前記樹皮原料から糖類を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing the saccharides from the bark raw material is provided in which the fibers obtained in the fibrillation-treating process have 2 to 4 mm mean fiber length and 100 to 400 μm mean fiber diameter. - 特許庁

これらは銀品位が異なるため、正徳4年(1714年)5月15日の正徳銀吹立の触書には古銀の割増通用が附記され宝永永字丁銀、宝永三ツ宝丁銀、宝永四ツ宝丁銀は正徳銀、慶長銀に対しすべて10割増、宝永二ツ宝銀に対しては3割増、元禄銀に対しては6割増と定められた。例文帳に追加

Since karat of these silvers was different, a government order of cupellating silver of Shotoku on May 15, 1714, stipulated that the incremental volume of old silver to eiji-chogin, mitsuho-chogin and yotsuho-chogin should be 10% for shotoku-gin and keicho-gin, 30% for futatsu-hogin and 60% for genroku-gin.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ブラッグ反射器(2)上に、三重層(3)を成長させ、レーザ放射線λ_Lに対する最低強度の外側で、2つの層(’および”または5’および5”)内に単一量子層(6)を埋め込み、三重層の結合光学厚さがλ_L/2であることを特徴とする。例文帳に追加

A triple layer 3 is grown on the Bragg reflector 2, a single quantum layer 6 is buried in two layers (4' and 4", or 5' and 5") outside the minimum strength to laser radiation of wavelength λL, and the coupling optical thickness of the triple layer is set to λL/2. - 特許庁

例えばピーク検出回路2のような、ダイナミックレンジ検出手段から得られる入力信号のダイナミックレンジと、信号の出現頻度を示すヒストグラム検出手段3の情報により、階調補正特性算出手段としてのマイクロコンピュータにおいて階調補正特性を変更し、階調補正手段5から出力する。例文帳に追加

A microcomputer 4 as a gradation correction characteristic calculating means changes the gradation correction characteristic and outputs it from a gradation correction means 5 by the dynamic range of an input signal obtained from a dynamic range detecting means such as a peak detecting circuit 2, for example, and by information of a histogram detecting means 3 showing the appearing frequency of the signal. - 特許庁

 他の法律の規定により特定少額短期保険業者に対し会計帳簿及び会計の書類の閲覧を請求できる権利を有する者(行政庁その他政令で定める者を除く。)は、内閣総理大臣の承認を受けなければ、当該権利を行使することができない。例文帳に追加

(4) The person (excluding administrative agencies and other persons specified by a Cabinet Order) who holds the right to request inspection of the accounting books and accounting documents of the Specified Small Amount and Short Term Insurance Provider pursuant to the provisions of other Acts may not exercise such right unless receiving the approval of the Prime Minister.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

酸化マグネシウム膜1は、基材2の表面に、大気開放下での化学気相析出法(CVD法)によって酸化マグネシウム薄膜部を形成し、この表面からウィスカー5を成長させることにより形成される。例文帳に追加

The magnesium oxide film 1 is made by forming the magnesium oxide thin film part 4 on the surface of a base material 2 by the chemical gas phase deposition method (the CVD method) under an open atmosphere, and growing the whisker 5 from the surface and being formed in a body with the magnesium oxide thin film part 4. - 特許庁

窒化物半導体とは異なる異種基板1上に窒化物半導体のシード結晶2を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜を形成し、横方向成長のみで形成された第1の窒化物半導体層5の端面から第2の窒化物半導体層6を横方向成長させる。例文帳に追加

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth. - 特許庁

補正制御部は、補正実行部5が画像信号Dbに対する階調補正を行う際に使用する補正パラメータPiを複数コンテンツ特徴情報Fiに基づいて算出し、補正実行部5に出力する。例文帳に追加

The correction control unit 4 calculates a correction parameter Pi used when a correction executer 5 corrects the gradation to an image signal Db, based on the multiple content feature information Fi for outputting to the correction executer 5. - 特許庁

調理システム3は、調理の状態を監視するセンサ1により検出された検出情報を取得し、当該調理の状態が適正であるときに当該センサが示す情報を表す適正情報を記憶手段2から取得し、当該取得した検出情報と適正情報とを用いて調理者に対する指示を表す指示情報を生成し、当該指示情報を出力手段に出力する。例文帳に追加

The cooking system 3 acquires detection information detected by a sensor 1 monitoring a cooking state, also acquires appropriate information indicating information shown by the sensor 1 when the cooking state is appropriate from a storage means 2, generates instruction information indicating instruction with respect to the cooking person by using the acquired detection information and appropriate information, and outputs the instruction information to an output means 4. - 特許庁

このあと、()ツメQが合体し、(5)これを種として同じ方位の結晶が縦方向に成長し、極性反転結晶Jからなる結晶欠陥集合領域Hを形成する。例文帳に追加

(4) Thereafter, the pawls Q are unified, and (5) a crystal having the same orientation grows in the vertical direction by using the unified pawl Q as a seed, and a crystal defect aggregation region H composed of a polarity reversal crystal J is formed. - 特許庁

例文

 前項の規定により放免する場合を除き、指定部隊長は、防衛大臣の定めるところにより、遅滞なく、被拘束者を確認記録とともに管轄の抑留資格認定官に引き渡さなければならない。例文帳に追加

(4) Except the case of release pursuant to the provision of the preceding paragraph, the designated unit commander shall, in the manner set forth by the Minister of Defense, delivery the captive persons without delay to a recognition officer of internment status with jurisdiction together with the record of findings.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

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