ボトムアップ法の英語

溝配線等をめっき成膜する際の配線内のボトムアップ量やめっき膜に含まれる不純物量を一定に保持するめっき成膜装置、成膜方法を提供する例文帳に追加

To provide a plating film forming apparatus and plating film forming method by which the bottom up amount in wiring or the amount of impurities contained in a plating film is kept constant when forming a film on the groove wiring or the like by plating. - 特許庁

ボトムアップ系とシリコンＬＳＩに代表されるトップダウン系との利点を最大限活かすことができる高機能の機能素子を従来のクリーンルームを用いることなく、高い歩留まりで製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a high-performance functional element with high yield capable of utilizing the advantage of a bottom-up system and a top-down system represented by a silicon LSI to the maximum without using a conventional clean room. - 特許庁

本発明は、基板上のポテンシャル特異点から反応を開始させた、ボトムアップ式のナノデバイスの製造方法を提供すること、規則性をもって化合物分子を配列させ、この配列パターンを利用して連鎖反応を促進するナノデバイスの製造方法を提供することなどを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a bottom-up type nano-device, which initiates a reaction from a potential singular point on a substrate, and regularly arranges compound molecules so as to accelerate a chain reaction utilizing the arranging pattern. - 特許庁

さらにサポート基板１４、接着剤層１３を通じて複数のパッド電極１２に同時に同電位を与え、ボトムアップ成長のメッキ法で開孔１５に銅を埋め込み、Ｃｕプラグ１６、Ｃｕポスト１７からなる貫通電極を形成する。例文帳に追加

An identical potential is applied to a plurality of pad electrodes 12 through the support substrate 14 and the adhesive layer 13, at the same time, and an opening 15 is filled with copper, by plating for bottom-up growth so as to form a through-electrode formed of a Cu plug 16 and a Cu post 17. - 特許庁

専門的または普遍的な観点でトップダウンに軸の作成を行う従来手法に対して、本発明はあらかじめ観点を設定せずに、膨大な文書データからボトムアップに軸を作成することを支援し、さらに、その作業の過程において利用者が分析の観点を発見することを支援する。例文帳に追加

To assist bottom-up creation of an axis from enormous amounts of document data without preliminarily setting a viewpoint against a conventional technique for performing top-down creation of an axis from a technical or universal viewpoint, and further to assist a user to find out a viewpoint of analysis in the process of the work. - 特許庁

ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a semiconductor structure by sputtering a sputtered SiO2 above a trench and possibly depositing the same on both sides of the trench, resulting in excessive build-up, and restricting an opening where a bottom up gap filling is achieved in STI gap filling. - 特許庁

生命体に代表されるボトムアップ系とシリコンＬＳＩに代表されるトップダウン系との利点を最大限活かすことができる高機能の機能素子、その製造方法およびそのような機能素子を用いた機能システムを提供する。例文帳に追加

To provide a functional element having a high function, its manufacturing method, and a functional system using such a functional element, which maximally make use of an advantage of a bottom-up system typical of a life body and a top-down system typical of a silicon LSI. - 特許庁

本協定の自由化約束の方法は、各国が上記の155の業種及び４つの貿易形態のマトリクスに基づいて自ら自由化を行う分野のみを約束表に記載することとなっていることから、ポジティブリスト方式（もしくはボトムアップ方式）と呼ばれる。例文帳に追加

Under the GATS, Members schedule liberalization commitments by listing the applicable sector or sub-sector (one of the 155 sub-sectors) and mode of supply (one of the 4 modes), and the nature of the commitment.This method -- where a Member identifies those sub-sectors in which it has made a commitment -- is known as a“positive-list” approach (or as a “bottom-up” approch). - 経済産業省