可約グラフの英語

多重化ビットレートの制約を受けずにさらに多くのオーディオ、サブピクチャー・ストリーム及び／またはインタラクティブ・グラフィック・ストリームを支援でき、継続的な再生が可能で、かつビデオの画質を向上させうる。例文帳に追加

It is possible to support more audio, sub picture streams and/or interactive graphic streams, without being limited by a multiplexing bit-rate, provide consecutive reproduction, and improve video image quality. - 特許庁

この第１のマスク２２ａのうちの部分２２ａ(1) の幅Ｗ２は、フォトリソグラフィ処理によって形成可能な最小パターン幅（約０．３μｍ程度）よりも小さくなる。例文帳に追加

The width W2 of the part 22a(1) of the first mask 22a is made smaller than a minimum pattern width (about 0.3 μm) formed by photolithography. - 特許庁

また、単一のグラフィックプロセッサを使用する復号ステップは、異なる画面上に表示されるフレーム群の容易な同期を可能にし、復号ステップを繰り返すことによって消費されるエネルギーを節約する。例文帳に追加

A decoding step that uses a single graphic processor enables easy synchronization of frame groups displayed on different screens, and the repetition of the decoding step saves on consumed energy. - 特許庁

低コスト化、リソグラフィ技術の限界、及び選択トランジスタの配置に関する制約条件を満たした配線パターンを構築することが可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device capable of constituting a wiring pattern satisfying constrained conditions about low manufacturing expenditure, limit in a lithographic technology, and arrangement of selective transistors. - 特許庁

これにより、メインプロセッサからグラフィックスプロセッサへ描画用データを転送する時のバンド幅を節約することが可能となり、また、メインプロセッサの負荷を軽減することができる。例文帳に追加

Thus, when transferring the data for plotting from a main processor to a graphics processor, bandwidth can be saved and the load of the main processor can be reduced. - 特許庁

フォトリソグラフィ技術によって制約を受けずにデバイス構造を微細化することが可能で、かつ、微細化がもたらす副作用を抑制できるパワーＭＩＳＦＥＴおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a power MISFET and its manufacturing method capable of microfabrication of device structure without restriction by using a photolithography technique and also suppressing the side effects derived from the microfabrication. - 特許庁

フォトリソグラフィ技術による選択エッチングの回数を増やさず、しかも、表示画素の設計上の制約を抑えて、補助的な役割をする支柱状スペーサを形成可能な液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device, forming a support-like spacer serving as an auxiliary role by restraining limitations in design of a display pixel without any increase in number of times of selective etching using photolithography technology. - 特許庁

約−９〜約１１の範囲のｐＫａを有する少なくとも一種のイオン化可能な基を有するポリマーを含む、深紫外線（ｄｅｅｐ ｕｖ）液浸リソグラフィ用トップコート組成物及び該トップコートを利用して深紫外線フォトレジストを像形成する方法。例文帳に追加

The method is for forming the image of the deep ultraviolet photoresist by using: a top coat composition for a deep uv immersion lithography including a polymer with at least one ionizable group having a pKa ranging from about -9 to about 11; and top coat. - 特許庁