容積導体の英語

半導体基板１の表面部分にその表面から複数のトレンチ２を、当該トレンチ２の容積がトレンチ間の半導体部分１１の体積の１．２倍以上となるように形成する。例文帳に追加

A plurality of trenches 2 are bored in the surface of the semiconductor substrate 1 so deep as to be each 1.2 times or above as large in volume as the semiconductor 11 sandwiched between the trenches 2. - 特許庁

モールド樹脂容積の上下バランスを確保することにより、樹脂封止半導体装置の変形をなくすことができる樹脂封止半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a resin-sealed semiconductor device, by which the deformation of the resin seal semiconductor device can be prevented by ensuring the upper and lower balance of the volume of a molding resin. - 特許庁

ここで、容積調整体１２は、半導体ウェハ２０と接触した場合においても当該半導体ウェハ２０の主面に傷を生じさせない樹脂材料もしくは金属材料から成る。例文帳に追加

The volume adjustment body 12 is made of a resin material or a metallic material not causing damage to the principal side of the semiconductor wafer 20 even when the volume adjustment body 12 is in contact with the semiconductor wafer 20. - 特許庁

樹脂製絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に収容してなり、樹脂製絶縁基体１中にフィラーを70〜97重量％埋入させるとともに10〜80重量％のフィラーに対し容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇの細孔を形成した半導体装置であって、３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の容積が0.01〜0.3ｍｌ／ｇであり、かつ1000〜30000オングストロームの孔径を有する細孔の容積が３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の容積の１〜20倍であることを特徴とするものである。例文帳に追加

The volume of pores with pore sizes of 3-100 angstroms is 0.01-0.3 ml/g, and that the volume of pores with pore sizes of 1000-30000 angstroms is 1-20 times the volume of pores with pore size of 3-100 angstroms. - 特許庁

反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of executing film deposition processing, while reducing the distance between a flow-straightening plate and a wafer without opening a reaction chamber and varying a space volume of the upper part of the flow straightening plate, thereby improving the productivity and uniformity of film thickness. - 特許庁

充填樹脂４０の体積は、キャビティ１４に収容された半導体素子３０とキャビティ１４内壁との間隔の容積より小さいので、半導体素子３０の側面には、充填樹脂４０が充填されない空隙１４ａが形成される。例文帳に追加

Since the volume of the filling resin 40 is smaller than the volume of a clearance between the semiconductor element 30 contained in the cavity 14 and the inner wall of the cavity 14, an air gap 14a that is not filled with the filling resin 40 is formed in the side face of the semiconductor element 30. - 特許庁

ＳＰＭ薬液混合時の希釈熱の過剰発生及び薬液容積、薬液比率の変動を抑え、安定性良く被処理膜のＳＰＭ剥離処理を行うことが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing method and device for suppressing the excess generation of dilution heat at the time of mixing SPM chemical and the fluctuation of a chemical volume and chemical rate, and for carrying out SPM peeling treatment of a treated film with satisfactory stability. - 特許庁

細孔径等の物性を精密に制御でき、これらの物性を生かしたイオン伝導体の設計が可能であるとともに、細孔容積が大きく、充分な量のイオン伝導性化合物を含有させることが可能な、イオン伝導体の担体として好適に使用できるシリカゲルを提供する。例文帳に追加

To provide a silica gel capable of precisely controlling physical properties such as pore diameter, capable of designing an ionic conductor while making good use of these physical properties, having a large pore volume and suitably usable as a carrier of an ionic conductor into which an adequate amount of an ionic conductive compound can be incorporated. - 特許庁