「容積導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

工業的に優位性の高い容積効率を保持しながら、効率良く、高純度のアルコキシインダノン誘導体を製造する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing a high-purity alkoxyindanone derivative while retaining a volume efficiency having commercialy high superiority. - 特許庁

低コストで、容積が少なく、かつ高集積化された半導体装置を作製する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for manufacturing a semiconductor device which is low in cost, is less in volume, and is highly integrated. - 特許庁

半導体基板１の表面部分にその表面から複数のトレンチ２を、当該トレンチ２の容積がトレンチ間の半導体部分１１の体積の１．２倍以上となるように形成する。例文帳に追加

A plurality of trenches 2 are bored in the surface of the semiconductor substrate 1 so deep as to be each 1.2 times or above as large in volume as the semiconductor 11 sandwiched between the trenches 2. - 特許庁

モールド樹脂容積の上下バランスを確保することにより、樹脂封止半導体装置の変形をなくすことができる樹脂封止半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a resin-sealed semiconductor device, by which the deformation of the resin seal semiconductor device can be prevented by ensuring the upper and lower balance of the volume of a molding resin. - 特許庁

ここで、容積調整体１２は、半導体ウェハ２０と接触した場合においても当該半導体ウェハ２０の主面に傷を生じさせない樹脂材料もしくは金属材料から成る。例文帳に追加

The volume adjustment body 12 is made of a resin material or a metallic material not causing damage to the principal side of the semiconductor wafer 20 even when the volume adjustment body 12 is in contact with the semiconductor wafer 20. - 特許庁

樹脂製絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に収容してなり、樹脂製絶縁基体１中にフィラーを70〜97重量％埋入させるとともに10〜80重量％のフィラーに対し容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇの細孔を形成した半導体装置であって、３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の容積が0.01〜0.3ｍｌ／ｇであり、かつ1000〜30000オングストロームの孔径を有する細孔の容積が３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の容積の１〜20倍であることを特徴とするものである。例文帳に追加

The volume of pores with pore sizes of 3-100 angstroms is 0.01-0.3 ml/g, and that the volume of pores with pore sizes of 1000-30000 angstroms is 1-20 times the volume of pores with pore size of 3-100 angstroms. - 特許庁

反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of executing film deposition processing, while reducing the distance between a flow-straightening plate and a wafer without opening a reaction chamber and varying a space volume of the upper part of the flow straightening plate, thereby improving the productivity and uniformity of film thickness. - 特許庁

充填樹脂４０の体積は、キャビティ１４に収容された半導体素子３０とキャビティ１４内壁との間隔の容積より小さいので、半導体素子３０の側面には、充填樹脂４０が充填されない空隙１４ａが形成される。例文帳に追加

Since the volume of the filling resin 40 is smaller than the volume of a clearance between the semiconductor element 30 contained in the cavity 14 and the inner wall of the cavity 14, an air gap 14a that is not filled with the filling resin 40 is formed in the side face of the semiconductor element 30. - 特許庁

ＳＰＭ薬液混合時の希釈熱の過剰発生及び薬液容積、薬液比率の変動を抑え、安定性良く被処理膜のＳＰＭ剥離処理を行うことが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing method and device for suppressing the excess generation of dilution heat at the time of mixing SPM chemical and the fluctuation of a chemical volume and chemical rate, and for carrying out SPM peeling treatment of a treated film with satisfactory stability. - 特許庁

細孔径等の物性を精密に制御でき、これらの物性を生かしたイオン伝導体の設計が可能であるとともに、細孔容積が大きく、充分な量のイオン伝導性化合物を含有させることが可能な、イオン伝導体の担体として好適に使用できるシリカゲルを提供する。例文帳に追加

To provide a silica gel capable of precisely controlling physical properties such as pore diameter, capable of designing an ionic conductor while making good use of these physical properties, having a large pore volume and suitably usable as a carrier of an ionic conductor into which an adequate amount of an ionic conductive compound can be incorporated. - 特許庁

酸化物超伝導体被膜は、厚さが１μmまでであっても、高いJ_cおよびc-軸エピタキシャル酸化物粒子の容積百分率が高いことを特徴とする。例文帳に追加

The oxide superconductor film is characterized by high J_c and high volume percent of c-axis epitaxial oxide grains, even with thicknesses of up to 1 μm. - 特許庁

半導体デバイスの製造工程のエッチング及びクリーニング排ガスに含まれる有害なハロゲン系ガスに対する単位容積当たりの除害能力が高く、しかも廉価な除害剤及び除害方法を提供する。例文帳に追加

To provide an abatement agent and method, which has high eliminating capability per unit capacity to remove harmful halogen type gas in exhaust gas during fabricating process, such as etching and cleaning of a semiconductor device. - 特許庁

蒸発器１は２層の渦巻き形状のパイプが構成されているため、ガスの流れは配管による抵抗が少なく、半導体に対する冷却のための容積が大きく冷却スピードが速い。例文帳に追加

Because a bi-laminar spiral pipe is built in the evaporator 1; a resistance due to the pipe is low in a gas flow, and a volume for cooling the semiconductor device is large, resulting in a fast cooling speed. - 特許庁

これにより、アンダーフィルのフィレット部の容積をより大きく確保することができ、半導体チップに段差を設けたことによるアンダーフィルの這い上がり防止としての機能を向上できる。例文帳に追加

Thereby, the volume of a fillet part of the underfill is assured to be larger, improving a function for preventing creeping up of the underfill, thanks to provision of the step on the semiconductor chip. - 特許庁

２群の電力変換回路を構成する場合に、小型・軽量化することにより装置設置容積および重量を最小限に抑えることができる半導体冷却装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor power converter capable of minimizing an apparatus installing volume and a weight thereof by miniaturization/weight reduction thereof when two groups of power converting circuits are constituted. - 特許庁

カード型半導体装置内の狭い面積、高さ、空間を最大限に利用でき、高密度実装が実現でき、実装有効容積を高めることができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide an art capable of using the narrow area, the height, and the space in a card type semiconductor device to the most, realizing a high- density mounting, and increasing the mounting effective volume. - 特許庁

内部容積を小さくでき、真空排気と同時にウェーハのノッチアライメントが可能で、その時間を短縮できるロードロック装置とその方法及び半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a load lock device, its method, and a semiconductor manufacturing apparatus, wherein an inner volume can be reduced, a notch alignment of a wafer can be made upon an evacuation, and its time can be shortened. - 特許庁

タキサン誘導体（例えば、パクリタキセル）のようなＧ２／Ｍ薬物と組み合わせて、β−ラパコンのようなＧ１期および／またはＳ期薬物の投与が、これらの薬剤単独の投与と比較した場合、腫瘍の数（および腫瘍の容積）において、相乗的な減少を生じる。例文帳に追加

The administration of a G1 and/or S phase drug such as β-lapachone in combination with a G2/M drug such as a taxane derivative (e.g. paclitaxel) resulted in synergistic reduction in the number of tumors (and tumor volume) as compared with the administration of these agents alone. - 特許庁

多孔質金属酸化物半導体膜２は、平均粒子径０．５〜１０μｍ、細孔容積０．１〜０．８ｍｌ／ｇの範囲にある多孔質酸化チタン微粒子集合体と酸化チタン微粒子とを含む塗料を、電極層１表面に塗布し、１００〜２００℃で加熱処理される。例文帳に追加

The porous metal oxide semiconductor film 2 is heat-treated at 100-200°C, after applying on the surface of the electrode layer 1 paint containing a porous titanium oxide particulate aggregate and titanium oxide particulates, having an average particle size of 0.5-10 μm and with a pore volume range of 0.1-0.8 ml/g. - 特許庁

半導体膜形成用塗料は、平均粒子径が０．５〜１０μｍの範囲にあり、細孔容積が０．１〜０．８ｍｌ／ｇの範囲にある多孔質酸化チタン微粒子集合体と、平均粒子径が５〜４００ｎｍの範囲にある非集合体酸化チタン微粒子とを含んでいる。例文帳に追加

The paint for forming the semiconductor film contains a porous titanium oxide particulate aggregate of which the average particle size is in the range 0.5-10 μm and the pore volume is in the range 0.1-0.8 ml/g and a non-aggregate titanium oxide particulate of which the average particle size is in the range 5-400 nm. - 特許庁

半導体製造工程から排出されるフッ素含有廃水にカルシウム化合物を加えてフッ素をＣａＦ_2として沈降分離する方法において、凝集性、結晶性、沈降性に優れたフロックを形成して処理水水質の向上、装置運転の安定化、得られる汚泥容積の低減を図る。例文帳に追加

To improve water quality of treated water, to stably operate devices and to reduce the volume of sludge obtained by forming flocks excellent in a flocculating, crystallinity and a precipitation properties, in a method for precipitation and separation of fluorine as CaF2 by adding a calcium compound to a fluorine-containing waste water discharged from a semiconductor manufacturing process. - 特許庁

半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。例文帳に追加

In a step of filling a metal plating film in a via hole or a trench provided in an insulating film formed on a semiconductor substrate, data including an initial volume of plating solution, volume of replenished solution, the number of wafers processed, value of current applied and volume of waste solution are first collected. - 特許庁

このため、従来、筒状のボビンを成形する場合に必要であった抜き勾配をボビン３４に形成する必要がなく、ボビン３４の厚みを薄く且つ均一にし、キャビティの容積に占めるボビン３４の割合を抑え、熱伝導体３３の割合を増やすことができる。例文帳に追加

Thereby, a draft which has been necessary when a cylindrical bobbin is molded is not required to be formed in the bobbin 34, and thereby, the thickness of the bobbin 34 can be made thin and uniform, and a ratio of the bobbin 34 occupied in the volume of the cavity is contained and a ratio of the thermo-conductor 33 can be increased. - 特許庁

超伝導を利用した非接触式のスピンコータの回転ヘッド部の安定的回転を実現し、非接触式での回転力の伝達を効率的に行い、同時にスピンコータの鉛直方向における短尺化により、半導体ウエハ工場内の容積効率向上を実現する。例文帳に追加

To attain a stable rotation of a non-contact type rotary head of a spin coater using super conductivity to efficiently transmit the rotation force with the non-contact, and to improve the volume efficiency in a semiconductor plant by shortening the length of the spin coater in the vertical direction simultaneously. - 特許庁

樹脂封止半導体装置の製造方法において、チップが搭載されたリードフレーム１２にモールド金型１３，１４をセットし、前記モールド金型内にポスト１５を設置してモールド樹脂容積の上下バランスを確保し、モールド成形をする。例文帳に追加

In the manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device, molding dies 13, 14 are set to a lead frame 12, on which a chip is loaded, posts 15 are mounted into the molding dies and the upper and lower balance of the volume of the molding resin is ensured, and molding is conducted. - 特許庁

冷却板内では半導体素子の発熱により冷媒が液冷媒から蒸気冷媒に相変化を起こし、比容積が増大し管内速度が増大し圧力損失が増大するため従来のように冷却板出入り口の配管径が同寸法の場合、冷却性能が低下する。例文帳に追加

To provide a cooler ensuring high performance cooling by avoiding increase in pressure loss in the piping. - 特許庁

材料の複素誘電率の非破壊的決定用及び近接場光学顕微鏡用のプローブは、明確な輪郭を有する、測定材料のサンプリング容積内にプローブ領域を制限する、誘電体支持部材上に形成された平衡型多導体伝送線構造に基づいている。例文帳に追加

A probe for a non-destructive determination of a complex dielectric constant of a material and for a near field optical microscope is based on a balance type multi-conductive transmission line structure formed on a dielectric support material which has a definite profile and limits a probe region within a sampling volume of a measuring material. - 特許庁

半導体製造プロセス等に用いられている既存のガス配管系に何ら配管等の設計変更を行うことなく安価に導入することができ、短時間で、正確な基準容積に基づいたマスフローコントローラの検定を行うことができる検定システムを提供する例文帳に追加

To provide a inspection system inexpensively available without making any design change of piping and the like to an existing gas piping system used in semiconductor manufacturing processes and the like, and inspecting a mass flow controller in a short period of time, based on an exact reference volume. - 特許庁

半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory element, a memory device, and a reading method, each of which is applicable to data reading from a nonvolatile optical memory element, since a nonvolatile optical memory element in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor causes such a problem that in a case where magnetization of the ferromagnetic body is read by light, magneto-optical response becomes very small when the ferromagnetic body is small in volume. - 特許庁

カラーフィルタ製造工程、液晶表示パネル製造工程、及び半導体製造工程におけるストッカ設備の容積の増大を抑制し、前記各製造工程に置ける処理装置の基板待ち時間を減らし、設備費用や材料費を削減する仕掛りカセット搬送制御システムを提供する。例文帳に追加

To provide a conveyance control system for cassettes in process that suppresses increase of a capacity of a stacker facility in a color filter manufacturing process, a liquid crystal display panel manufacturing process, and a semiconductor manufacturing process, reduces a substrate waiting time of a processing device in each manufacturing process, and cuts down a facility cost and a material cost. - 特許庁

冷蔵庫内に設けた冷気ダクトや冷気吹出口、載置棚位置などの基本構成に対して、冷却性能を損なうことなく半導体発光素子などからなる平板状照明パネルを取り付け、貯蔵室の収納可能容積を広くして効果的な室内照明をおこなうことができる冷蔵庫を提供する。例文帳に追加

To provide a refrigerator wherein a flat lighting panel composed of a semiconductor light-emitting element or the like is mounted to a basic constitution such as a cold air duct, a cold air blowout port and a loading shelf position in the refrigerator without impairing the cooling performance, thus the indoor lighting can be effectively performed while widening a storage volume of a storage chamber. - 特許庁

半導体製造におけるクリーニング、エッチング又はＣＶＤ作業からやってくる廃ガス１６から、全細孔容積が大きい活性アルミナの固定床１８、１９にその廃ガスを通しながらこのアルミナ床１８、１９へ送り込まれるガスのフッ素レベルを４体積％以下に維持することにより、フッ素を除去する。例文帳に追加

Fluorine is removed from the waste gas 16 generated in cleaning, etching, or CVD work in the production of semiconductors by keeping the concentration of fluorine in the waste gas supplied to the fixed beds 18 and 19 of activated alumina of high porosity to be 4 vol.% or below while the waste gas is passed through the fixed beds 18 and 19. - 特許庁

収納部２は、アクチュエータ６による半導体基板１の変形に伴って容積が減少する空洞部２ａと、導電性流体３の移動方向に直交する断面の面積が空洞部２ａよりも狭く且つ一端側で空洞部２ａに連結するとともに他端側に複数の接点４が露出する溝部２ｂとを有する。例文帳に追加

A container 2 has a cavity 2a of which volume is decreased due to deformation of a semiconductor substrate 1 caused by an actuator 6, and a groove 2b where a cross-section area perpendicular to a movement direction of a conductive fluid 3 is smaller than that of the cavity 2a, and its one end makes junction with the cavity 2a while the other end exposes contacts 4. - 特許庁