物理気相蒸着の英語

窒化タングステン膜（ＷＮ）上で物理的蒸着法（ＰＶＤ）でない化学気相蒸着法（ＣＶＤ）で形成されたタングステンをゲート電極で用いる高集積メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a gate electrode of a high-density integrated memory device formed on a tungsten nitride film (WN) by chemical vapor deposition rather than physical vapor deposition. - 特許庁

吸湿性が低く、電子ビーム蒸着法などの物理気相成長法により安定した条件でストロンチウムとカルシウムとを含む酸化物膜を製造することができる蒸着材を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition material capable of manufacturing an oxide film containing strontium and calcium under a stable condition by a physical vapor growth method such as an electron beam vapor deposition method, with low hygroscopicity. - 特許庁

先端レンズ枠３３及びレンズホルダ３７の内周面にはニッケルや銅による蒸着物質を物理気相成長法により蒸着した薄膜部１０を設けている。例文帳に追加

Inner peripheral surfaces of the front end lens frame 33 and the lens holder 37 are disposed with thin film sections 10 made of a vapor deposition material such as nickel or copper which is vapor-deposited by physical vapor-phase growth method. - 特許庁

透明性を有する高分子フィルムの少なくとも一方の片面に、電子ビ−ム式物理気相成長法による酸化アルミニウム蒸着薄膜を設けた蒸着フィルムからなり、更に、上記の酸化アルミニウム蒸着薄膜が、その膜厚の表面に向かって、その蒸着膜を構成するアルミニウム元素：酸素元素の含有比を増加させてなることを特徴とする透明バリア性フィルムに関するものである。例文帳に追加

The transparent barrier film is composed of a vapor-deposited film in which at least either side of a polymer film having transparency is provided with an aluminum oxide vapor-deposited thin film by an electron beam type physical vapor growth process. - 特許庁

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。例文帳に追加

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9. - 特許庁

本発明の目的は、耐熱被覆皮膜を形成する蒸着材料の融点を向上することにあり、更に、蒸着時の耐熱衝撃性、溶融層安定性に優れた新規な物理的気相成長法によるセラミックスコーティング用インゴット及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To improve the melting point of a vapor deposition material forming a heat resistant coating film, further, to provide an ingot for ceramic coating by a new physical vapor growth method excellent in thermal impact resistance and molten layer stability on vapor deposition, and to provide a production method therefor. - 特許庁

前記方法は、基板上に有機金属化学蒸着工程によって第１導電性金属化合物膜を形成し、前記第１導電性金属化合物膜上に物理気相蒸着工程によって第２導電性金属化合物膜を形成することを含む。例文帳に追加

The semiconductor forming method of this invention comprises a step to form a primary conductive metal compound film on a substrate by an organometallic chemical vapor deposition process, and a step to form a secondary conductive metal compound film on the primary conductive metal compound film by a physical vapor deposition process. - 特許庁

本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for processing a surface of a substrate in physical vapor deposition (PVD) chamber that has an increased anode surface area to improve the deposition uniformity on large area substrates, and to provide a method therefor. - 特許庁