「物理気相蒸着」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

蒸着フィルム１が、基材の一方の面に、物理気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第１のガスバリア性塗布膜と、物理気相成長法または化学気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第２のガスバリア性塗布膜と、が順次形成されてなる。例文帳に追加

In the vapor deposition film 1, an inorganic oxide vapor deposition film by a physical vapor phase growth method, a first gas-barrier coating film by a gas-barrier composition, an inorganic oxide vapor deposition film by the physical vapor phase growth method or a chemical vapor phase growth method, and a second gas-barrier coating film by the gas-barrier composition are formed in turn on one side of a base material. - 特許庁

本発明の集積回路装置は、下部電極と、下部電極上の誘電膜と、誘電膜上の物理気相蒸着（ＰＶＤ）上部電極とＲＦバイアスを用いるイオン化された物理気相蒸着（ＩＰＶＤ）上部電極とが積層された上部電極とを含んだＭＩＭキャパシタとを備える。例文帳に追加

The integrated circuit device includes the MIM capacitor including: a lower electrode; a dielectric film on the lower electrode; and an upper electrode formed by stacking a physical vapor deposition (PVD) upper electrode on the dielectric film and an ionized physical vapor deposition (IPVD) upper electrode using an RF bias. - 特許庁

窒化タングステン膜（ＷＮ）上で物理的蒸着法（ＰＶＤ）でない化学気相蒸着法（ＣＶＤ）で形成されたタングステンをゲート電極で用いる高集積メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a gate electrode of a high-density integrated memory device formed on a tungsten nitride film (WN) by chemical vapor deposition rather than physical vapor deposition. - 特許庁

吸湿性が低く、電子ビーム蒸着法などの物理気相成長法により安定した条件でストロンチウムとカルシウムとを含む酸化物膜を製造することができる蒸着材を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition material capable of manufacturing an oxide film containing strontium and calcium under a stable condition by a physical vapor growth method such as an electron beam vapor deposition method, with low hygroscopicity. - 特許庁

先端レンズ枠３３及びレンズホルダ３７の内周面にはニッケルや銅による蒸着物質を物理気相成長法により蒸着した薄膜部１０を設けている。例文帳に追加

Inner peripheral surfaces of the front end lens frame 33 and the lens holder 37 are disposed with thin film sections 10 made of a vapor deposition material such as nickel or copper which is vapor-deposited by physical vapor-phase growth method. - 特許庁

透明性を有する高分子フィルムの少なくとも一方の片面に、電子ビ−ム式物理気相成長法による酸化アルミニウム蒸着薄膜を設けた蒸着フィルムからなり、更に、上記の酸化アルミニウム蒸着薄膜が、その膜厚の表面に向かって、その蒸着膜を構成するアルミニウム元素：酸素元素の含有比を増加させてなることを特徴とする透明バリア性フィルムに関するものである。例文帳に追加

The transparent barrier film is composed of a vapor-deposited film in which at least either side of a polymer film having transparency is provided with an aluminum oxide vapor-deposited thin film by an electron beam type physical vapor growth process. - 特許庁

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。例文帳に追加

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9. - 特許庁

本発明の目的は、耐熱被覆皮膜を形成する蒸着材料の融点を向上することにあり、更に、蒸着時の耐熱衝撃性、溶融層安定性に優れた新規な物理的気相成長法によるセラミックスコーティング用インゴット及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To improve the melting point of a vapor deposition material forming a heat resistant coating film, further, to provide an ingot for ceramic coating by a new physical vapor growth method excellent in thermal impact resistance and molten layer stability on vapor deposition, and to provide a production method therefor. - 特許庁

前記方法は、基板上に有機金属化学蒸着工程によって第１導電性金属化合物膜を形成し、前記第１導電性金属化合物膜上に物理気相蒸着工程によって第２導電性金属化合物膜を形成することを含む。例文帳に追加

The semiconductor forming method of this invention comprises a step to form a primary conductive metal compound film on a substrate by an organometallic chemical vapor deposition process, and a step to form a secondary conductive metal compound film on the primary conductive metal compound film by a physical vapor deposition process. - 特許庁

本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for processing a surface of a substrate in physical vapor deposition (PVD) chamber that has an increased anode surface area to improve the deposition uniformity on large area substrates, and to provide a method therefor. - 特許庁

本発明は、一般に、大面積基板における堆積の均一性を向上させるため、大きな陽極表面積を有する物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバにおいて、基板表面を処理する装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for processing a surface of a substrate in physical vapor deposition (PVD) chamber that has an increased anode surface area to improve the deposition uniformity on large area substrates, and to provide a method therefor. - 特許庁

セラミック基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により接着層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有するセラミック印刷回路基板の原板及びその原板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an original plate of a ceramic printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an adhesion layer and a thick electric conductive layer of high density on a ceramic board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate. - 特許庁

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate. - 特許庁

基材フィルムの一方の面に、物理気相成長法による無機酸化物の蒸着薄膜を設け、また、該無機酸化物の蒸着薄膜の上に、エチレン−ビニルアルコ−ル共重合体をビヒクルの主成分とし、これと、少なくとも、架橋剤を含む樹脂組成物によるコ−ティング硬化膜を設けたことを特徴とするバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材に関するものである。例文帳に追加

A vapor deposited thin film 3 of an inorganic oxide is formed on one of the faces of a base material film 2 by a physical gas-phase growth process, and also a coating-cured film 4 consisting of a resin composition containing a vehicle composed mainly of an ethylene-vinyl alcohol copolymer and at least a crosslinking agent, is formed on the vapor deposited thin film 3 of the inorganic oxide. - 特許庁

基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約１秒間に約１０回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。例文帳に追加

The power supply comprises a power source configured to bias the target with a sputtering voltage relative to the substrate support and configured to bias the target with a reverse voltage about 10 or more times for a period of about one second after an arc is detected inside the physical vapor deposition chamber. - 特許庁

一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetic thin film capable of performing a regulation at a low temperature rather than a Pt-Fe duality system alloy film, even if any special treatment isn't carried out in physical vapor growth methods for forming general film such as a sputtering method and a deposition method or the like. - 特許庁

基体２００上に、第２の電極５０の基体２００上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層３０を形成するガスバリア層形成工程を有し、ガスバリア層形成工程が、物理的気相蒸着法によって第２の電極５０上に第１のガスバリア層３０ａを形成する工程と、化学的気相蒸着法によって第１のガスバリア層３０ａ上に第２のガスバリア層３０ｂを形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The gas barrier layer forming process is composed of a process of forming a first gas barrier layer 30a on the second electrode 50 by a physical vapor deposition method, and a process of forming a gas barrier layer 30b on the first gas barrier layer 30a by the chemical vapor deposition method. - 特許庁

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排気ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＮからなる物理気相蒸着した厚さ約２μｍの硬質皮膜を形成したものを用いる。例文帳に追加

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N. - 特許庁

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び／又は導電性特性を変更するために、イオンビーム２をカーボンナノチューブ４形成の前、間及び／又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材１上に形成された触媒層３にカーボンナノチューブ４を合成する方法とする。例文帳に追加

In the method for synthesizing carbon nanotubes 4 by catalytic vapor deposition of carbon from a vapor phase on a catalyst layer 3 formed on a support member 1, in order to alter the physical, chemical and/or electrically conductive properties of carbon nanotubes, ion beams 2 are used before, during and/or after formation of the carbon nanotubes 4. - 特許庁

電子ビーム物理蒸着法あるいは放電プラズマ焼結法などを用いて作製された、酸化物イオン導電性あるいはプロトン導電性を有し、結晶配向を制御された柱状結晶を含む固体電解質１１と、固体電解質１１の相対向する一対の主面上に形成された一対の電極１２，１３と、を具えるようにして形成された電気化学セル１０。例文帳に追加

The electrochemical cell 10 includes: the solid electrolyte 11 made by the electron-beam physical deposition method or the discharge plasma sintering method, endowed with oxide ion conductivity or protonic conductivity, and containing columnar crystal with crystal orientation controlled; and a pair of electrodes 12, 13 formed on a pair of opposed main surfaces of the solid electrolyte 11. - 特許庁