発光性結晶粒子、発光性結晶粒子組成物、表示用パネル及び平面型表示装置例文帳に追加

LUMINOUS CRYSTALLINE PARTICLE, LUMINOUS CRYSTALLINE PARTICLE COMPOSITION, DISPLAY PANEL AND FLAT-SURFACE DISPLAY DEVICE - 特許庁

ここで、「完全結晶」とは欠陥がない結晶性の平行平板を意味し、これは平面波で照らされるとき理想的な「点状の」回折図形を作る。例文帳に追加

Here, a perfect crystal means a parallel-sided slab of defect-free crystalline material, which produces an ideal point diffraction pattern when illuminated by a plane wave. 発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

単結晶板１００に、結晶軸より所定角度だけ傾いた平面を形成した後に平坦化処理を行なう。例文帳に追加

Single crystal plate 100 is subjected to planarization after a plane inclined by a specific angle from the crystal axis is formed thereon. - 特許庁

必ずしも平面同士の接合とは限らないガラスまたは結晶同士、あるいはガラスと結晶の接合方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for bonding glass and glass or crystal and crystal or glass and crystal even when bonding is not always performed between plain surfaces. - 特許庁

また、種結晶７の成長面を結晶学的方位から水平面に対して０．１〜０．８度傾斜させることが好ましい。例文帳に追加

Or the growing plane of the seed crystal 7 is preferably inclined at 0.1 to 0.8° from the crystallographic orientation with respect to the horizontal plane. - 特許庁

微細構造物の間隔は、上記平面の結晶軸に対する角度で制御する。例文帳に追加

The spacing between the fine structures is controlled by the angle of the plane to the crystal axis. - 特許庁

昇華法によりサセプター８上の種結晶７上に窒化物単結晶を成長させる製造において、サセプター８の種結晶７を貼り付ける面を、水平面に対して０．１〜２．０度傾斜させる。例文帳に追加

In the method for manufacturing a nitride single crystal by growing on a seed crystal 7 on a susceptor 8 by a sublimation method, the face of the susceptor 8 where the seed crystal 7 is to be stuck is inclined at 0.1 to 2.0° with respect to the horizontal plane. - 特許庁

また、１／４ｔ（ｔは板厚）部の１ｍｍ×１ｍｍの平面内に存在する結晶粒（α相）のうち、そのサイズが上位１００個の結晶粒の平均結晶粒径が、７５〜２００μｍであることが好ましい。例文帳に追加

The average crystal grain size of 100 crystal grains with larger sizes among the crystal grains (α-phase) which are present in a plane of (1 mm×1 mm) of the (1/4)t (t is a sheet thickness) section is preferably 75 to 200 μm. - 特許庁

少なくとも１面以上の平面を有する希土類珪酸塩単結晶であって、（１００）面に最も近い平面が（１００）面から５°以上傾いており、研磨されていることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶。例文帳に追加

The rare earth silicate single crystal has at least one or more planes and the plane nearest the (100) plane inclines at ≥5° from the (100) plane and is polished. - 特許庁

偏光依存性解消装置３は、複屈折を有する平行平面結晶板である第一複像子１０と、前記第一複像子と同じ複屈折を有する平行平面結晶板であり、その入射面の結晶光軸が、前記第一複像子の入射面の結晶光軸に対して入射面の法線を軸にして１８０度の角度で回転してなる第二複像子２０とを備える。例文帳に追加

The polarization dependency dissolving device 3 comprises a first multiple imager 10 which is a parallel plane crystal plate having double refractivity, and a second multiple imager 20 for which the crystal optical axis of the incidence plane is rotated at the angle of 180 degrees with the normal of the incidence plane as an axis to the crystal optical axis of the incidence plane of the first multiple imager. - 特許庁

少なくとも炭化珪素単結晶基板３の直径以上の平面部を有する複数枚の遮蔽板５ａを、炭化珪素単結晶基板３と炭化珪素原料粉末４との間に、炭化珪素単結晶基板３の成長表面と平面部とが対向するように積層配置して炭化珪素単結晶の成長を行なう。例文帳に追加

Growing of a silicon carbide single crystal is carried out by laminatedly arranging plural shielding plates 5a having a flat surface part of a diameter at least not less than that of a silicon carbide single crystal substrate 3, between the silicon carbide single crystal substrate 3 and a silicon carbide powdery raw material 4 so that the growing surface of the silicon carbide single crystal substrate 3 opposes to the flat surface part. - 特許庁

測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位は、誤った結晶方位のステレオ投影図平面での（１００），（０１０），（００１）の各極を結ぶ一定の曲線上またはその近傍に分布することにより検知し、さらにその分布を利用して誤った結晶方位を修正することを特徴とする。例文帳に追加

This method is characterized, by detecting the wrong crystal orientation generated systematically with the specific orientation relation between the measured correct crystal orientation and the wrong crystal orientation by being distributed on a fixed curve connecting each of poles (100), (010) and (001) or on its periphery on a stereo projection drawing plane of the wrong crystal orientation, and correcting the wrong crystal orientation by utilizing the distribution. - 特許庁

種結晶７０は四角柱であり、黒鉛製坩堝１０の平面視において、黒鉛製坩堝１０の中央部に配設される。例文帳に追加

The seed crystal 70 is a square pole and arranged in a central part of the graphite crucible 10 in the plane view of the graphite crucible 10. - 特許庁

単結晶シリコンウェーハに代表される半導体基板をより高い平面度に仕上げることができる平坦化技術を提供する。例文帳に追加

To provide a flattening technique for finishing a semiconductor substrate represented by a single-crystal silicon wafer to higher flatness. - 特許庁

フォトニック結晶には、第１媒質によって形成される平面上を貫通する方向に光を伝播するための空洞が形成されている。例文帳に追加

In the photonic crystals, cavities for light propagation are formed in a direction penetrating the plane formed by the first medium. - 特許庁

ファラデー結晶置換円柱５の長手方向と複数のホールの長手方向とは、光軸２に垂直な平面に沿って４５°の角度をなす。例文帳に追加

The longitudinal direction of the Faraday crystal substituted cylinders 5 and the longitudinal direction of the holes make a 45° angle along the plane perpendicular to the optical axis 2. - 特許庁

（１１１）閃亜鉛鉱結晶構造をもつウエハを使用する場合、ダイのそれぞれのエッジが｛１バー１０｝平面に沿って配置される。例文帳に追加

When a wafer having (111) zinc blend crystal structure is used, respective edges of the dies are arranged along {1-10} plane. - 特許庁

溶解炉内において、固液界面が凹面状から水平面状となるようにし、一方向性の大粒径の結晶成長を可能とする、例文帳に追加

To attain unidirectional crystal growth of large size grains by making the recessed surface of a solid-liquid interface into a horizontal surface within a melting furnace. - 特許庁

分光結晶１３は、所定の基準直線を含む基準平面に対して垂直に交わる円弧を連ねた形状を成す内側面を有している。例文帳に追加

The dispersive crystal 13 includes an inside surface forming a shape with lined arcs perpendicular to a reference plane surface including a predetermined reference line. - 特許庁

ファラデー結晶置換円柱５の長手方向と複数のホールの長手方向とは、光軸２に垂直な平面に沿って４５°の角度をなす。例文帳に追加

The longitudinal direction of the Faraday crystal replacement columns 5 and the longitudinal direction of the plurality of holes form an angle of 45° along the plane vertical to the optical axis 2. - 特許庁

液晶表示装置などの平面表示装置に適用できるＴＦＴ用の多結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of polycrystalline silicon for TFT that can be applied to a flat panel display device, such as a liquid crystal display device. - 特許庁

結晶欠陥形成領域の平面位置精度を上げることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can enhance the planar positioning accuracy of a crystal defect formation region, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

この時、シリコン単結晶の回転軸に対して対称な２次元軸対称の平面でのシリコン融液の対流を算出する。例文帳に追加

In the step, convection of the silicon melt is calculated on a plane having two-dimensional axial symmetry, the plane symmetric with respect to the rotation axis of the silicon single crystal. - 特許庁

アノード側透明電極層１２には、半導体結晶がアノード側透明電極層１２から基板平面に対して垂直方向に成長した柱状結晶組織として形成された多孔質の半導体結晶層１３が形成されている。例文帳に追加

A porous semiconductor crystalline layer 13 formed as a columnar crystalline structure in which a semiconductor crystal is grown in the vertical direction to the substrate plane from the anode side transparent electrode layer 12 is formed in the anode side transparent electrode layer 12. - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、（ａ）気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the single crystal gallium nitride substrate, the ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growing method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates. - 特許庁

レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a planar display device which can stably form a microcrystalline film of uniform performance, by avoiding periodic deterioration of crystallinity, in a step for forming the microcrystalline film used in a thin-film transistor by the irradiation of laser. - 特許庁

タブレット一体型排気管に結晶性ガラスタブレットを適用した場合において、結晶性ガラスタブレットが封着工程で軟化流動した後に、ガラスに結晶が析出するタブレット一体型排気管を得ることにより、平面表示装置等の製造効率を向上させること。例文帳に追加

To improve production efficiency of a flat surface display device by obtaining a tablet-integrated type exhaust pipe wherein crystals are deposited in a glass after a crystal glass tablet is softened and flowed at a sealing process, when the crystal glass tablet is used for the tablet-integrated type exhaust pipe. - 特許庁

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。例文帳に追加

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors. - 特許庁

更に具体的には、少なくとも3種類のフォトニック結晶の積層体（L）を有し、これを平面方向に配列した構造からなり、フォトニック結晶の積層体（L）の少なくとも1つが、構造周期の異なる少なくとも2つのフォトニック結晶（C）を積層してなることが好ましい。例文帳に追加

The color filter, in concrete terms, has a structure having laminated bodies (L) of at least 3 kinds of the photonic crystals which are arranged in the planar direction and at least one laminated body (L) of the photonic crystal is preferably formed by laminating at least 2 photonic crystals (C) each having a different structural period. - 特許庁

気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。例文帳に追加

An ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growth method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates 7. - 特許庁

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。例文帳に追加

An improved CZ system based on the Czochralski method for continuous growth of a single crystal ingot includes an essentially flat crucible having a small aspect ratio and large diameter and having a selective weir encircling the crystal. - 特許庁

多結晶化合物半導体層を備えるＸ線平面検出器において、多結晶化合物半導体層に入射する放射線の減衰を低減する。例文帳に追加

To reduce the attenuation of radiation made incident on a polycrystalline compound semiconductor layer in an X-ray plane detector including the polycrystalline compound semiconductor layer. - 特許庁

ＧａＮ系半導体薄膜の選択成長の過程において存在する、結晶の表面が平坦化していない非平面状の結晶面を利用して光を乱反射させることにより、光を外部に取り出す効率を向上させる。例文帳に追加

Use of crystal surfaces yet nonplanar in a GaN-based semiconductor film selective growth process for the irregular reflection of light improves light ejection efficiency. - 特許庁

すなわち、最終研磨の前にアニールをしておけば、仮に研磨後に結晶が水分を吸収しても、使用前に再度アニールを行うことにより、結晶表面を平面を保った状態に復帰させることができる。例文帳に追加

Namely when the crystal is annealed before the final polishing, the surface of the crystal can be restored to a state holding flatness by annealing it before using even if the crystal absorbs water after polishing. - 特許庁

セラミックス１は、リチウム及びホウ素を含有し、平面方向に並べられ、かつ厚み方向の結晶方位が同一である複数の結晶粒３を備える。例文帳に追加

The ceramic 1 contains lithium and boron, and includes a plurality of crystal grains 3 that are arranged in a planar direction, and have a same crystal orientation in the thickness direction. - 特許庁

本発明の全芳香族ポリアミドフィラメントは、熱処理前の結晶化度（Ｘ）が７０〜７９％であり、熱処理前の結晶サイズ（ＡＣＳ、２００平面基準）が４２〜５０Åである。例文帳に追加

Wholly aromatic polyamide filament is characterized in that the crystallinity (X) before heat treatment ranges from 70 to 79% and the apparent crystal size (ACS, based on 200 plane) before heat treatment ranges from 42 to 50 Å. - 特許庁

本発明の合金は、マトリックスと、複数の結晶粒またはラメラコロニーとから成り、この結晶粒またはラメラコロニーの一部は、マトリックス中で非平面状形態を示す。例文帳に追加

The alloy comprises a matrix and a plurality of grains or lamellar colonies, a portion of which exhibits a nonplanar morphology within the matrix. - 特許庁

気相法による結晶成長の際に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成する。例文帳に追加

In the method, at the time of growing crystals by vapor phase method, at least one pit 10p having a plurality of facets 12 is formed on the main growing plane 11 of the Al_xGa_1-xN crystals (0<x≤1) 10. - 特許庁

ルチル結晶３の結晶光学軸３ｃは、常光線Ｏ及び異常光線Ｅの分離方向が光ファイバ１０，１１のそれぞれの光軸を含む平面に垂直な方向になるように配向されている。例文帳に追加

The crystal optical axis 3c of a rutile crystal 3 is oriented so that the separating directions of an ordinary ray O and an extraordinary ray E become vertical to a plane including each optical axis of optical fibers 10, 11. - 特許庁

非線形結晶１０は、光学軸Ｚに対し約４２．３°、６２．７°、７７．３°の位相整合角θｍを有するＢＢＯ結晶であり、互いに平行な３対の平面１２ａ，１２ｂ，１２ｃを有する。例文帳に追加

A non-linear crystal 10 is a BBO crystal having phase matching angles θ m of 42.3°, 62.7°, and 77.3° with respect to the optical axis Z, and has three pairs of mutually parallel planes of 12a, 12b, 12c. - 特許庁

この基板から製造される平面表示装置は画素部トランジスタのチャネル部は水素化非晶質シリコン膜で、駆動回路部トランジスタのチャネル部は脱水素化多結晶（微結晶）シリコン膜で構成される。例文帳に追加

In this flat display device manufactured from this substrate, the channel part of a pixel part transistor channel part is formed of a hydrogenated amorphous silicon film, and the channel part of a drive circuit part transistor is formed of a dehydrogenated polycrystalline (microcrystalline) silicon film. - 特許庁

原料となる単結晶のＺ軸方向を予め測定し、このＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を有する板状の単結晶母材２を切り出す。例文帳に追加

A direction of the Z-axis of single crystal becoming a material is previously measured, and a plate single crystal base metal 2 having an X-Y plane which is orthogonal with the Z-axis is cut. - 特許庁

この単結晶母材２のＸ−Ｙ平面に、単結晶母材２とは識別可能な板状の識別材３を接合して接合材４０を得る。例文帳に追加

A plate identification material 3 which can be identified from the single crystal base metal 2 is bonded to the X-Y plane of the single crystal base metal 2 so as to obtain a bonding material 40. - 特許庁

ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上４０Ω・ｃｍ以下であり、他方の平面の抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The single crystal silicon ingot is manufactured by a Czochralski method which pulls up a single crystal ingot from a silicon melt containing a dopant, and is characterized by being cylindrical and having a resistivity of one plane of 20-40 Ω cm and a resistivity of the other plane of 8-10 Ω cm. - 特許庁