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電荷状態分布の英語

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英訳・英語 charge state distribution


JST科学技術用語日英対訳辞書での「電荷状態分布」の英訳

電荷状態分布


「電荷状態分布」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

プログラミングおよび消去の状態は、第1の正味の電荷分布の(プログラミング状態から消去状態に移行する時の)変化プロフィールが、実質的に第2の正味の電荷分布の(消去状態からプログラミング状態に移行する時の)変化プロフィールの反対となるように、決定される。例文帳に追加

The states of programming and deleting are determined so that a changed profile (when a programming state shifts to a deleting state) of a first net charge distribution may substantially be opposite to a changed profile (when a deleting state shifts to a programming state) of a second net charge distribution. - 特許庁

電位状態に伴う走査領域の歪曲や電位の深さを適切に補正し、電位分布をミクロンオーダーの高分解能で、短時間で測定する表面電荷分布の測定方法および表面電荷分布の測定装置を得る。例文帳に追加

To obtain a measuring method of surface charge distribution and a measuring device of surface charge distribution capable of measuring potential distribution in a short period of time with micron order high resolution by properly correcting the distortion of a scanning area and the depth of potential associated with the condition of potential. - 特許庁

そして、その取得結果に基づいて、適切な電荷又は電位の分布モデルを決定し、その決定された分布モデルに応じて荷電粒子ビームの軌道を計算し、該計算結果に基づいて試料の表面電位の分布状態を求める(ステップ523〜535)。例文帳に追加

An orbit of the charged particle is calculated in compliance with the decided distribution model, and a surface potential distribution state of the sample is determined on a base of the result of the calculation, (step 523 to 535). - 特許庁

緩和パルス印加では、電荷蓄積膜の選択ゲート側にホールが電子より多く分布している状態において、選択ゲートに正電圧を印加し、メモリゲートに0Vを印加して、ホールと電子とを結合させて、電荷蓄積膜中の電荷を安定化させる。例文帳に追加

In the application of the alleviation pulse, a positive voltage is applied to the selection gate in a state that holes are distributed at the selection gate side of a charge accumulating film, and 0V is applied to the memory gate to connect the hole and the electron, and thereby electric charges in the charge accumulating film are stabilized. - 特許庁

結合用電極112内で2分の1波長の共振状態を得ることができ、電界信号の放射方向に同じ符号の電荷のみが分布することから、通信可能範囲が横方向に2倍に広がる。例文帳に追加

A resonance state of 1/2 wavelength can be obtained in the coupling electrode 112, and only charges of the same sign are distributed in the emission direction of the electric field signal, whereby the communicable range expands twice in the transverse direction. - 特許庁

メモリセルトランジスタアレイ1を単一の電荷蓄積箇所に3つ以上のしきい値電圧分布状態を有する複数のメモリセルで構成する。例文帳に追加

A memory cell transistor array 1 comprises a plurality of memory cells, each of which has a state of distribution of three or more threshold voltages in a single charge storage part. - 特許庁

例文

感光体に形成される微小な領域の静電潜像を直接測定し、潜像の品質・状態を簡便に短時間で評価することができる感光体表面電荷分布測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a photoreceptor surface charge distribution measuring apparatus that can directly measure an electrostatic latent image in a very small area formed on a photoreceptor to easily evaluate the quality and state of the latent image in a short time. - 特許庁

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「電荷状態分布」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

セレクトゲートトランジスタS1,S2の閾値設定に関しては、消去/書き込み時に、電荷蓄積層26_SSL,26_GSL内の電荷量が飽和状態になることを利用し、セレクトゲートトランジスタS1,S2の閾値分布を狭い範囲に収める。例文帳に追加

When the thresholds of the select gate transistors S1 and S2 are set, the threshold distributions of the select gate transistors S1 and S2 are put in a narrow range, by using the face that the charge amounts in the charge accumulated layers 26SSL and 26GSL enter a saturated state. - 特許庁

通常時は断線状態となっているが、断線検出時には放電回路21のスイッチがONされ、アナログ信号回路1内に分布する電荷とホールド回路22が保持する信号電圧とを、内部アースによって同時に放電する。例文帳に追加

The discharge circuit 21 is normally set to a disconnected state, but, in detecting a disconnection, the switch of the circuit 21 is turned on and the circuit 21 simultaneously discharges electric charges distributed in the analog signal circuit 1 and the signal voltage held by the holding circuit 22 by means of an internal ground. - 特許庁

印加電圧をオフ状態にした瞬間、自発分極によって誘起された電荷の再分布によって液晶層85に生じる電圧を、液晶素子80より射出する光量が飽和する飽和電圧の5分の1以下になるようにする。例文帳に追加

The voltage generated in a liquid crystal layer 85 due to re-distribution of electric charges induced by spontaneous polarization at the moment when the applied voltage is turned off is made to 1/5 or smaller of the saturation voltage to which a quantity of light emitted from the liquid crystal element 80 is saturated. - 特許庁

例えば、音波集束ビーム(1)が照射される被測定物体の部分(2)では、正の荷電粒子(3)が多い電荷分布状態であるので、正の荷電粒子(3)及び負の荷電粒子(4)が誘起する電磁波は完全に打ち消し合わず正味の電磁波(6)が誘起される。例文帳に追加

The portion (2) of the object to be measured which is irradiated with an acoustic wave focus beam (1) is in a charge distributed state in which many positive charged particles (3) are present, and thus the electromagnetic waves induced by the positive charged particles (3) and negative charged particles (4) do not completely negate each other to produce an actual electromagnetic wave (6). - 特許庁

本固体撮像素子では、垂直電荷結合素子のn型CCDチャネル領域3の電気的に有効な不純物濃度分布が、一画素を構成する転送電極全てをピンニング状態になる電位にしたときに、一転送電極11下のチャネル電位が浅く、残りの転送電極5、11下のチャネル電位が深くなるようになっている。例文帳に追加

In this solid-state image pickup element, the channel potential underneath a transfer electrode 11 is formed shallow and the channel potential underneath the remaining transfer electrodes 5 and 11 is formed deep when all the transfer electrodes, which constitute a pixel, are formed into pinned state potential. - 特許庁

情報を読取る読取範囲を任意に変更可能な電荷蓄積型のイメージセンサによって読み取られたイメージデータの階調分布状態に基づいて当該センサの最適な露光時間を設定した後に、この露光時間に応じて読取動作を再開する場合に、この再開後の読み取りで得られるイメージデータのデータ量を効果的に削減できるようにする。例文帳に追加

To effectively reduce the data volume of image data acquired by reading after the resumption of a reading operation according to the optimal exposure time of a sensor set based on the gradation distributing condition of image data read by a charge storage type image sensor capable of arbitrarily changing a reading range for reading information. - 特許庁

例文

埋め込みチャンネルCCDのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。例文帳に追加

With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge. - 特許庁

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charge state distribution JST科学技術用語日英対訳辞書


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