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4-D filmとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 4D技術（フォーディーぎじゅつ）とは、現在の時空間などの3次元の次元定義に対し、それとは異なる新しい次元定義を行った技術を指す。
「4-D film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
The polysilicon film 4 is patterned with the oxide film 5 as a mask (d).例文帳に追加
酸化膜５をマスクにポリシリコン膜４をパターニングする（ｄ）。 - 特許庁
The ratio l/d of the thickness (l) of the piezoelectric layered film 10 to the cross-sectional diameter (d) of the second piezoelectric film 4 is 20 to 60.例文帳に追加
第２圧電体膜４の断面径ｄに対する圧電体積層膜１０の厚みｌの比ｌ／ｄは２０以上６０以下である。 - 特許庁
The shortest distance (d) from the opening end of the ferrule 4 to the end of the vapor deposition film 10 on the ferrule 4 side satisfies a relationship equation of 3≤d≤40.例文帳に追加
フェルール４の開口端から蒸着膜１０のフェルール４側の端までの最短距離ｄが、３≦ｄ≦４０なる関係式を満たす。 - 特許庁
A rubber ring 6 in a concaved section having an indented part 5 at the inside with the inner diameter d at its upper part being smaller than the inner diameter D at the front end of a throw-in port 7 of a throw-in container is fitted into a discharge port 2 or fitted from the outside to a cylindrical resin film 4.例文帳に追加
投入容器の投入口7先端内径Dよりも上部内径dが小径で内面に凹部5を形成した断面凹状のゴム製リング6を、排出口2または円筒状樹脂フィルム4に外はめする。 - 特許庁
After a barrier metal film 4 is formed on an insulation film 2 in which a recessed part 3 is formed, by performing an CMP(chemical- mechanical polishing) processing, a barrier metal film 4 on the outside of the recessed part 3 is removed as shown in figure (d).例文帳に追加
凹部３が形成された絶縁膜２上にバリアメタル膜４を形成した後、ＣＭＰ処理を行うことにより、図１(d) に示すように、凹部３外のバリアメタル膜４を除去する。 - 特許庁
As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加
この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁
A second opening having the minimum size of d is formed on the second hard mask 4, using the resist film 8 and the bridging film 9 as a mask.例文帳に追加
レジスト膜８及び架橋膜９をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第２の開口部を形成する。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「4-D film」の意味 |
4-D film
出典:『Wikipedia』 (2011/06/11 12:58 UTC 版)
「4-D film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 69件
A first opening having the minimum size of d is formed on a second hard mask 4, using the resist film 5 and the bridging film 6 as a mask.例文帳に追加
レジスト膜５及び架橋膜６をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第１の開口部を形成する。 - 特許庁
Moreover, a screen oxide film 5 is formed on the surface of the flat section of the silicon 3 and the surface of the oxide film 4 (d).例文帳に追加
シリコン３の平坦部の表面と酸化膜４の表面にスクリーン酸化膜５を形成する（ｄ）。 - 特許庁
As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加
この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁
The thin-film hardness measurement method comprises a step 2 for measuring a film thickness (d) in a film-formed sample 1, a step 3 for performing Raman spectral measurement to the sample 1, and an operation step 4 to be made by the film thickness (d) thus obtained, G peak intensity Ig, and exposure time (t) in the Raman spectral measurement.例文帳に追加
成膜したサンプル１の膜厚ｄを測定するステップ２と、同サンプル１につきラマン分光測定するステップ３と、これらで得た膜厚ｄとＧピーク強度Ｉｇおよびラマン分光測定の際の露光時間ｔを用いて行う演算ステップ４とを備える。 - 特許庁
A bottomed viahole 4 is bored in the board where the wiring pattern is formed by irradiating the board with a carbon dioxide gas laser beam from above the thermoplastic resin film 2 (d).例文帳に追加
配線パターンが形成された基板の熱可塑性樹脂フィルム２側から炭酸ガスレーザ等により有底ビアホール４を形成する（ｄ）。 - 特許庁
A first thin film composed of a first material 4 is formed on a substrate 1 on which a shape of fine ruggedness is formed by a lithograph step and an etching (d).例文帳に追加
リソグラフィ工程とエッチングにより凹凸を付けた基板１の上に第１の物質４からなる第１層目の薄膜を成膜する（ｄ）。 - 特許庁
The maximum opening diameter D of the anode side power supply body 40 is set to a value having the following relation with respect to tensile strength σ of the solid-state polyelectrolyte film 38, film thickness t of the solid-state polyelectrolyte film 38 and gas pressure (hydrogen pressure) P of high-pressure hydrogen; D≤4×t×σ/P.例文帳に追加
アノード側給電体４０の最大開口径Ｄは、固体高分子電解質膜３８の引張強さσ、固体高分子電解質膜３８の膜厚ｔ及び高圧水素のガス圧（水素圧力）Ｐに対して、Ｄ≦４×ｔ×σ／Ｐの関係を有する値に設定されている。 - 特許庁
The drops of liquid are discharged so as to have a size which satisfies D≤4×W when the diameter of the liquid drop upon hitting the liquid repelling film F is shown by D and the width of the region to be coated H1 is shown by W.例文帳に追加
撥液性膜Ｆに着弾した際の液滴の直径をＤとし、被塗布領域Ｈ１の幅をＷとしたときに、Ｄ≦４×Ｗを満足する大きさで液滴を吐出する。 - 特許庁
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