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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 百科事典 > 4-D filmの意味・解説 

4-D filmとは 意味・読み方・使い方

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ウィキペディア英語版での「4-D film」の意味

4-D film

出典:『Wikipedia』 (2011/06/11 12:58 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用

「4-D film」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 69



例文

The polysilicon film 4 is patterned with the oxide film 5 as a mask (d).例文帳に追加

酸化膜5をマスクにポリシリコン膜4をパターニングする(d)。 - 特許庁

The ratio l/d of the thickness (l) of the piezoelectric layered film 10 to the cross-sectional diameter (d) of the second piezoelectric film 4 is 20 to 60.例文帳に追加

第2圧電体膜4の断面径dに対する圧電体積層膜10の厚みlの比l/dは20以上60以下である。 - 特許庁

The shortest distance (d) from the opening end of the ferrule 4 to the end of the vapor deposition film 10 on the ferrule 4 side satisfies a relationship equation of 3≤d≤40.例文帳に追加

フェルール4の開口端から蒸着膜10のフェルール4側の端までの最短距離dが、3≦d≦40なる関係式を満たす。 - 特許庁

A rubber ring 6 in a concaved section having an indented part 5 at the inside with the inner diameter d at its upper part being smaller than the inner diameter D at the front end of a throw-in port 7 of a throw-in container is fitted into a discharge port 2 or fitted from the outside to a cylindrical resin film 4.例文帳に追加

投入容器の投入口7先端内径Dよりも上部内径dが小径で内面に凹部5を形成した断面凹状のゴム製リング6を、排出口2または円筒状樹脂フィルム4に外はめする。 - 特許庁

After a barrier metal film 4 is formed on an insulation film 2 in which a recessed part 3 is formed, by performing an CMP(chemical- mechanical polishing) processing, a barrier metal film 4 on the outside of the recessed part 3 is removed as shown in figure (d).例文帳に追加

凹部3が形成された絶縁膜2上にバリアメタル膜4を形成した後、CMP処理を行うことにより、図1(d) に示すように、凹部3外のバリアメタル膜4を除去する。 - 特許庁

As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Dは、図4に示すように、電子輸送層40に結合した第2の膜2と、第3の膜3と、第2の膜2と第3の膜3との間に位置した第1の膜4とを有している。 - 特許庁

例文

A second opening having the minimum size of d is formed on the second hard mask 4, using the resist film 8 and the bridging film 9 as a mask.例文帳に追加

レジスト膜8及び架橋膜9をマスクにして第2のハードマスク4に最小寸法dの第2の開口部を形成する。 - 特許庁

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「4-D film」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 69



例文

A first opening having the minimum size of d is formed on a second hard mask 4, using the resist film 5 and the bridging film 6 as a mask.例文帳に追加

レジスト膜5及び架橋膜6をマスクにして第2のハードマスク4に最小寸法dの第1の開口部を形成する。 - 特許庁

Moreover, a screen oxide film 5 is formed on the surface of the flat section of the silicon 3 and the surface of the oxide film 4 (d).例文帳に追加

シリコン3の平坦部の表面と酸化膜4の表面にスクリーン酸化膜5を形成する(d)。 - 特許庁

As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Dは、図4に示すように、電子輸送層40に結合した第2の膜2と、第3の膜3と、第2の膜2と第3の膜3との間に位置した第1の膜4とを有している。 - 特許庁

The thin-film hardness measurement method comprises a step 2 for measuring a film thickness (d) in a film-formed sample 1, a step 3 for performing Raman spectral measurement to the sample 1, and an operation step 4 to be made by the film thickness (d) thus obtained, G peak intensity Ig, and exposure time (t) in the Raman spectral measurement.例文帳に追加

成膜したサンプル1の膜厚dを測定するステップ2と、同サンプル1につきラマン分光測定するステップ3と、これらで得た膜厚dとGピーク強度Igおよびラマン分光測定の際の露光時間tを用いて行う演算ステップ4とを備える。 - 特許庁

A bottomed viahole 4 is bored in the board where the wiring pattern is formed by irradiating the board with a carbon dioxide gas laser beam from above the thermoplastic resin film 2 (d).例文帳に追加

配線パターンが形成された基板の熱可塑性樹脂フィルム2側から炭酸ガスレーザ等により有底ビアホール4を形成する(d)。 - 特許庁

A first thin film composed of a first material 4 is formed on a substrate 1 on which a shape of fine ruggedness is formed by a lithograph step and an etching (d).例文帳に追加

リソグラフィ工程とエッチングにより凹凸を付けた基板1の上に第1の物質4からなる第1層目の薄膜を成膜する(d)。 - 特許庁

The maximum opening diameter D of the anode side power supply body 40 is set to a value having the following relation with respect to tensile strength σ of the solid-state polyelectrolyte film 38, film thickness t of the solid-state polyelectrolyte film 38 and gas pressure (hydrogen pressure) P of high-pressure hydrogen; D≤4×t×σ/P.例文帳に追加

アノード側給電体40の最大開口径Dは、固体高分子電解質膜38の引張強さσ、固体高分子電解質膜38の膜厚t及び高圧水素のガス圧(水素圧力)Pに対して、D≦4×t×σ/Pの関係を有する値に設定されている。 - 特許庁

例文

The drops of liquid are discharged so as to have a size which satisfies D≤4×W when the diameter of the liquid drop upon hitting the liquid repelling film F is shown by D and the width of the region to be coated H1 is shown by W.例文帳に追加

撥液性膜Fに着弾した際の液滴の直径をDとし、被塗布領域H1の幅をWとしたときに、D≦4×Wを満足する大きさで液滴を吐出する。 - 特許庁

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「4-D film」の意味に関連した用語

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