「4-D film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

A second opening having the minimum size of d is formed on the second hard mask 4, using the resist film 8 and the bridging film 9 as a mask.例文帳に追加

レジスト膜８及び架橋膜９をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第２の開口部を形成する。 - 特許庁

A first opening having the minimum size of d is formed on a second hard mask 4, using the resist film 5 and the bridging film 6 as a mask.例文帳に追加

レジスト膜５及び架橋膜６をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第１の開口部を形成する。 - 特許庁

Moreover, a screen oxide film 5 is formed on the surface of the flat section of the silicon 3 and the surface of the oxide film 4 (d).例文帳に追加

シリコン３の平坦部の表面と酸化膜４の表面にスクリーン酸化膜５を形成する（ｄ）。 - 特許庁

As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

The thin-film hardness measurement method comprises a step 2 for measuring a film thickness (d) in a film-formed sample 1, a step 3 for performing Raman spectral measurement to the sample 1, and an operation step 4 to be made by the film thickness (d) thus obtained, G peak intensity Ig, and exposure time (t) in the Raman spectral measurement.例文帳に追加

成膜したサンプル１の膜厚ｄを測定するステップ２と、同サンプル１につきラマン分光測定するステップ３と、これらで得た膜厚ｄとＧピーク強度Ｉｇおよびラマン分光測定の際の露光時間ｔを用いて行う演算ステップ４とを備える。 - 特許庁

A bottomed viahole 4 is bored in the board where the wiring pattern is formed by irradiating the board with a carbon dioxide gas laser beam from above the thermoplastic resin film 2 (d).例文帳に追加

配線パターンが形成された基板の熱可塑性樹脂フィルム２側から炭酸ガスレーザ等により有底ビアホール４を形成する（ｄ）。 - 特許庁

A first thin film composed of a first material 4 is formed on a substrate 1 on which a shape of fine ruggedness is formed by a lithograph step and an etching (d).例文帳に追加

リソグラフィ工程とエッチングにより凹凸を付けた基板１の上に第１の物質４からなる第１層目の薄膜を成膜する（ｄ）。 - 特許庁

The maximum opening diameter D of the anode side power supply body 40 is set to a value having the following relation with respect to tensile strength σ of the solid-state polyelectrolyte film 38, film thickness t of the solid-state polyelectrolyte film 38 and gas pressure (hydrogen pressure) P of high-pressure hydrogen; D≤4×t×σ/P.例文帳に追加

アノード側給電体４０の最大開口径Ｄは、固体高分子電解質膜３８の引張強さσ、固体高分子電解質膜３８の膜厚ｔ及び高圧水素のガス圧（水素圧力）Ｐに対して、Ｄ≦４×ｔ×σ／Ｐの関係を有する値に設定されている。 - 特許庁

The drops of liquid are discharged so as to have a size which satisfies D≤4×W when the diameter of the liquid drop upon hitting the liquid repelling film F is shown by D and the width of the region to be coated H1 is shown by W.例文帳に追加

撥液性膜Ｆに着弾した際の液滴の直径をＤとし、被塗布領域Ｈ１の幅をＷとしたときに、Ｄ≦４×Ｗを満足する大きさで液滴を吐出する。 - 特許庁

Specifically, the length of the carbon nano-tube is so controlled as to be set shorter than d-Vg/ Eb, where Eb is the withstand voltage of the insulation layer 4, (d) is the film thickness thereof, and Vg is an application voltage.例文帳に追加

具体的には、絶縁層４が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、印加電圧をＶｇとするとき、カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短く制御する。 - 特許庁

The transparent conductive film 2 and the gate metal film 3 which are not covered with the resist patterns 4 are removed, and resist patterns 4 are removed in parts of pixel electrodes 2a as shown by (d), and remaining parts 4c are left in the other parts.例文帳に追加

レジストパターン４で覆われていない透明導電膜２およびゲートメタル膜３を除去し、（ｄ）で示すように、画素電極２ａの部分でレジストパターン４を除去し、他の部分には残存部４ｃを残す。 - 特許庁

Masking is performed to the central effective part of the transparent conducting film 4 by using mask member 7, and only the end portion of the transparent conducting film 4 is subjected to oxygen plasma treatment and made high resistance (d).例文帳に追加

透明導電膜４の中央の有効部分をマスク材７にてマスキングして、透明導電膜４の端部にのみ酸素プラズマ処理を施して高抵抗化する（ｄ）。 - 特許庁

After a film is peeled from a capacitor precursor 10 covered with a holding film 4 so as to observe the cross-sectional structure of the capacitor precursor 10 provided on the film, a cross section D is exposed by breaking the capacitor precursor 10, along with the holding film 4.例文帳に追加

フィルム上に設けられたコンデンサ前駆体１０の断面構造を観察するために、保持膜４により覆われたコンデンサ前駆体１０からフィルムを剥離したのち、その保持膜４と共にコンデンサ前駆体１０を破断することにより断面Ｄを露出させる。 - 特許庁

Thereafter, a Pt thin film 4 with a film thickness of about 90 nm is formed on the SiO_2 film 3 by sputtering or deposition (refer to step (d)).例文帳に追加

その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。 - 特許庁

Then, the surface of the substrate is flattened by dry-etching (resist etching back) the photoresist layer 32, nitride film 6, and element isolating film 16 until a first thermally oxidized film 4 is exposed (Fig.1 (D)).例文帳に追加

つづいて、第１の熱酸化膜４が露出するまで、第２のフォトレジスト層３２、窒化膜６、ならびに素子分離膜１６をドライエッチング（レジストエッチバック）して基板表面部を平坦化する（図１の（Ｄ））。 - 特許庁

An insulating film 4 (second film) composed of the same material as the insulating film 3 is formed, by using CVD method or the like on the semiconductor substrate 1, from which the contamination 2 is eliminated (Figure (d)).例文帳に追加

次に、異物２が除去された半導体基板１に、絶縁膜３と同一材料の絶縁膜４（第２膜）をＣＶＤ法等を用いて成膜する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Silicon nitride film 5 is deposited on the silicon oxide film 4, silicon oxide film 6 is formed on the surface of silicon nitride film 5 (Fig.(c)) by using a method, by which the surface of the silicon nitride film 5 is oxidized, and the like, and upper layer electrode 7 is formed thereon (Fig.(d)).例文帳に追加

そして、そのシリコン酸化膜４上にシリコン窒化膜５を堆積し、そのシリコン窒化膜５の表面を酸化させる方法などにより、シリコン窒化膜５の表面にシリコン酸化膜６を形成し（図（ｃ））、その上に上層電極７を形成する（図（ｄ））ものである。 - 特許庁

At the intersections of the scanning lines 2 and signal lines 3, a thin film transistor which has at least a gate electrode, a source S, and a drain D and also has a semiconductor thin film 4 as active layer and a pixel electrode 10 which is electrically connected to the drain D are formed.例文帳に追加

各走査線２と各信号線３の交差部には、少なくともゲート電極とソースＳ及びドレインＤを具備し半導体薄膜４を活性層とする薄膜トランジスタと、ドレインＤと電気的に接続した画素電極１０とが形成されている。 - 特許庁

The display pattern is formed by overlaying a transfer sheet S, cloth 3, and a rubber sheet 4 on a coated metal sheet M set on a bottom plate 2, and infiltrating a sublimation dye D of the transfer sheet S into the coating film of the coated metal sheet M with the heat from a hot plate 1.例文帳に追加

表示模様は、底板2にセットした塗装金属板Mに転写シートS，布3，ゴムシート4を重ね合わせ、熱板1からの加熱で転写シートSの昇華性染料Dを塗装金属板Mの塗膜に浸透させることにより形成される。 - 特許庁

The photoelectric transfer element 1 comprises an electrode 3, an electron transport layer 4, a colorant layer D, an electrolyte layer 5, an electrode 6, and a jointing film 7, which joints the electrode 3 and the electron transporting layer 4.例文帳に追加

光電変換素子１は、電極３と、電子輸送層４と、色素層Ｄと、電解質層５と、電極６と、電極３と電子輸送層４とを接合する接合膜７とを有する。 - 特許庁

A portion in which the Si substrate is exposed is thermally oxidized (Figure 4 (c)), and the thermally-oxidized film formed on the Si substrate is removed by a fluorinated acid (Figure 4(d)).例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１１０が露出した部分を熱酸化し（図４（ｃ））、フッ酸でＳｉ基板１１０の表面に形成された熱酸化膜を除去する（図４（ｄ））。 - 特許庁

Further, the method includes the processes of: (c) dipping a surface of the SiO_2 film 3 in a catalyst liquid containing Pd ions to form an adhesion layer 4 of Pd on the surface of the SiO_2 film 3; and (d) forming the P-type electrode 5 in contact with the adhesion layer 4 to cover the ridge 2.例文帳に追加

そして、（ｃ）Ｐｄイオンを含む触媒液にＳｉＯ_2膜３表面を浸漬させて、Ｐｄからなる密着層４をＳｉＯ_2膜３表面上に形成する工程と、（ｄ）密着層４と接触して、リッジ２を覆うＰ型電極５を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The electroluminescent element, with at least one face of an electroluminescent layer 4 as a display surface, is provided with a different phase film 2 between the electroluminescent layer 4 and a deflection film 1 in the direction of the normal line of the display surface D.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス層４の少なくとも１面を表示面Ｄとするエレクトロルミネッセンス素子であって、位相差フィルム２を、表示面Ｄの法線方向においてエレクトロルミネッセンス層４と偏向フィルム１との間に設けたことを特徴とする。 - 特許庁

After isolation grooves 4 are formed in the main surface of a semiconductor substrate 1S, an insulation film 6 having a thickness of not less than D+W/2, wherein D denotes the depths of the isolation grooves 4 and W denotes a minimum width of active regions surrounded by the isolation grooves 4, is deposited on the main surface by a high density plasma chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面に分離溝４を形成した後、その主面上に、分離溝４の深さをＤ、その分離溝４により囲まれる活性領域の最小幅をＷとした場合に、Ｄ＋Ｗ／２またはそれ以上となるような厚さを持つ絶縁膜６を高密度プラズマ化学気相成長法により堆積する。 - 特許庁

A gate electrodes GM are formed on a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4, and a source region S and a drain region D are provided between the gate electrodes GM.例文帳に追加

シリコン基板１にゲート絶縁膜４を介してゲート電極ＧＭが形成され、ゲート電極ＧＭの間にソース領域Ｓ、ドレイン領域Ｄが設けられる。 - 特許庁

Then, the resists 3 are dissolved and eliminated using the nickel layers 4 as protective layers, the exposed chromium film layer 2 is eliminated by dry etching to expose the surface of a substrate 1 (d).例文帳に追加

次に、ニッケル層４を保護層としてレジスト３を溶解除去した後、露出したクロム膜層２をドライエッチングにより除去して、基板１表面を露出させる（ｄ）。 - 特許庁

A drain electrode D is formed on the drain part of the electron supply layer 4, and an insulating film 8 is formed on an opening part 11, formed in the gate part of the electron supply layer.例文帳に追加

電子供給層４のドレイン部分にドレイン電極Ｄが形成され、そのゲート部分に形成された開口部１１に絶縁膜８が形成されている。 - 特許庁

The photomask is composed of a transparent substrate 1 which is made of quartz and a light shield film 2 which is made of chromium and a recessed part 4 with uniform depth D is formed on the transparent substrate 1.例文帳に追加

フォトマスクは石英からなる透明基板１とクロムからなる遮光膜２で構成され、透明基板１には一律の深さＤを有する凹部４が形成されている。 - 特許庁

On the binding force buffer layer 86, for example, a piezoelectric film 88 of a lead zirconate titanate (PZT) is formed by a deposition method (AD method) (Fig. 4(d)).例文帳に追加

この拘束力緩衝層８６上には、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）の圧電膜８８が、堆積法（ＡＤ法）により形成される（図４（ｄ））。 - 特許庁

The wavelength selective film 4 which allows the transmission of a reproducing laser beam of the wavelength different from the wavelength of a recording laser beam but does not allow the transmission of the recording laser beam, is previously stuck to the optical recording medium D.例文帳に追加

記録レーザ光の波長とは異なる波長の再生レーザ光は透過するが前記記録レーザ光は透過しない波長選択フィルム４を光記録媒体Ｄに貼り付けておく。 - 特許庁

A gate insulating film 12B, a gate electrode 2, an interlayer dielectric 12C, a video line D and a source electrode 4 are layered in this order on an upper layer of an active element that a first substrate 10A has.例文帳に追加

第１の基板１０Ａに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜１２Ｂ、ゲート電極２、層間絶縁膜１２Ｃ、映像線Ｄとソース電極４とをこの順で積層する。 - 特許庁

An image signal, obtained from an image of a light transmitted through a film 1 and formed on an image sensor 4, is amplified and converted into image data by an A/D converter 8.例文帳に追加

フィルム１を透過した光がイメージセンサ４に結像して得られる画像信号は増幅後、Ａ／Ｄコンバータ８により画像データに変換される。 - 特許庁

A distribution means 33B obtains information R on output devices, and distributes the original images P1 and P2 and the information (d) on the quantity of movement to the image viewer 5 or distributes the image P' after the positioning to the film printer 4 according to the destination of distribution.例文帳に追加

配信手段３３Ｂは、出力装置情報Ｒを取得し、配信先に応じて、画像ビューワー５には原画像Ｐ１，Ｐ２と移動量情報ｄを、フィルムプリンタ４には位置合わせ後の画像Ｐ’を配信する。 - 特許庁

Next, a conductive film 7 is formed on the silicon substrate 1, and it is selectively etched and removed so that a range from a portion in contact with the FD 4 to a portion in contact with the gate electrode 6 may be left (Fig. 3(d)).例文帳に追加

次に、シリコン基板１上に導電性膜７を形成し、この導電性膜７を、ＦＤ部４に接触している部分からゲート電極６に接触している部分までが残るように選択的にエッチング除去する（図３（ｄ））。 - 特許庁

The width (d) of the overlapping margin 4 is preferably set to approximately 30 mm, and further the conductive thin film 3 of the interior cloth 1 is preferably set to copper foil or aluminum foil with a thickness of 20 μm or less.例文帳に追加

好ましくは、重ね代４の幅ｄを約30mmとし、さらに内装クロス１の導電性薄膜３を厚さ20μm以下の銅箔又はアルミニウム箔とする。 - 特許庁

A resist 3 is applied on a SiN thin film 2 (d), a part of the resist where a pinhole is to be formed is exposed by means of EB plotting, the resist is developed and, thereby, the pinhole 4 is formed.例文帳に追加

SiＮ薄膜２の上にレジスト３を塗布し（ｄ）、ＥＢ描画により、レジスト３のピンホールを作成したい部分を露光し、レジスト３を現像することにより、ピンホール４を形成する。 - 特許庁

After forming cut recesses 4 in the resin film 3 along scribe lines formed in the wafer 1 (Figure 1 (c)), a rear face 1b of the wafer 1 is ground, using a grinder or the like (Figure 1 (d)).例文帳に追加

ウエハ１の形成されたスクライブラインに沿って、樹脂膜３に切込み溝４を形成（図１（ｃ））した後、ウエハ１の裏面１ｂをグラインダなどを用いて研削する（図１（ｄ））。 - 特許庁

By electrochemically oxidizing the first composite nano-crystalline layer 4, a strong electric field drift layer 6 is formed, and after the mask layer 13 is removed, a surface electrode 7 comprising a metal film is formed by a vapor deposition process for example [Fig. (d)].例文帳に追加

第１の複合ナノ結晶層４を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成し、マスク層１３を除去してから、例えば蒸着法などによって金薄膜からなる表面電極７を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

In a TFT, a source S, a channel Ch and a train D becoming the path of a current which is to be supplied to an OLED are formed in a semiconductor thin film 4.例文帳に追加

ＴＦＴは、ＯＬＥＤに供給される電流の通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤが半導体薄膜４に形成されている。 - 特許庁

The polymer electrolyte fuel cell separator has the insulation film formed consisting of a vulcanizate of an insulation film material containing (A) polyol vulcanizable fluororubber, (B) a non-conductive reinforcing agent, (C) a polyol based vulcanizing agent, (D) a quaternary onium salt vulcanizing agent, and (E) a basic magnesium aluminum hydroxy carbonate hydrate oxide receiving agent.例文帳に追加

熱硬化性樹脂をバインダーとする樹脂混合カーボン製セパレータの発電部を除く周縁部に、(A)ポリオール加硫性フッ素ゴム、(B)非導電性補強剤、(C)ポリオール系加硫剤、(D)4級オニウム塩加硫剤および（E）塩基性マグネシウム・アルミニウム・ハイドロオキシ・カーボネート・ハイドレート受酸剤を含有する絶縁膜材料の加硫物よりなる絶縁膜を形成せしめた固体高分子形燃料電池用セパレータ。 - 特許庁

A pattern 12 for chromaticity measurement consisting of the black matrix 4, the coloring pixel 2 and the transparent conductive film 3 and a pattern 13 for haze value measurement consisting of the light scattering film 9 are provided on a region d other than a display part of the color filter on the transparent substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタの表示部以外ｄの透明基板上１に、ブラックマトリックス４、着色画素２、透明導電膜３で構成される色度測定用パターン１２と、光散乱膜９で構成されるヘイズ値測定用パターン１３を設けたこと。 - 特許庁

The method of manufacturing a solid electrolytic capacitor includes a step (b) to form a dielectric oxide film 3 on the entire surface of a positive electrode 1 and a part of the surface of an anode lead 2 by electrochemical treatment, and steps (c) and (d) to form a conductive high polymer layer 4 on the dielectric oxide film 3.例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、電解化成処理により陽極体１の全表面および陽極リード体２の一部表面に誘電体酸化皮膜３を形成する工程（ｂ）と、誘電体酸化皮膜３上に導電性高分子層４を形成する工程（ｃ），（ｄ）とを備える。 - 特許庁

While the resistive film A and the reflecting film B are held in parallel with an interval-holding member 4 with the predetermined interval d kept between these elements; the first upper frame 1a, a second upper frame 1b, the first lower frame 2a, and a second lower frame 2b are mounted to a support base frame 5.例文帳に追加

抵抗膜Ａと反射膜Ｂとを所定間隔ｄをもって平行状に間隔保持部材４にて保持しつつ第１上フレーム１ａ・第２上フレーム１ｂ・第１下フレーム２ａ・第２下フレーム２ｂを支持基枠５に取り付けた。 - 特許庁

The thin film coating apparatus is so constituted that a tip discharge opening 3 of a nozzle 4 is arranged in the vicinity of conveying downstream side of a supporting roll 10 supporting a film-shaped body 5 to be coated, and that a non-contact type vibration suppression mechanism D suppressing film vibration by spraying air is installed on the conveying downstream side of the tip discharge opening 3 of the nozzle 4.例文帳に追加

フィルム状の被塗工体５を支持する支持ロール10の搬送下流側の近傍位置に前記ノズル部４の先端吐出孔３を配設した構成とし、このノズル部４の先端吐出孔３の搬送下流側に、エアを吹き付けてフィルム振動を抑制する非接触式振動抑制機構Ｄを設けた構成とした薄膜塗工装置。 - 特許庁