SI onとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 紫苑; シオン
「SI on」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2478件
To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加
Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.例文帳に追加
Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁
As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加
金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁
Joyo City established a sister-city relationship with Gyeongsan-si on January 22, 1991.発音を聞く 例文帳に追加
1991年1月22日姉妹都市提携 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁
To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加
GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「SI on」の意味 |
-sion
接尾辞
-sion
派生語
sion
別の表記
語源
From the Ancient Greek σίον (síon).
語形変化
Second-declension noun (neuter, Greek-type).
| Case | Singular | Plural |
|---|---|---|
| Nominative | sion | sia |
| Genitive | siī | siōrum |
| Dative | siō | siīs |
| Accusative | sion | sia |
| Ablative | siō | siīs |
| Vocative | sion | sia |
参照
- sion in Charlton T. Lewis and Charles Short (1879) A Latin Dictionary, Oxford: Clarendon Press
- sion in Charles du Fresne du Cange’s Glossarium Mediæ et Infimæ Latinitatis (augmented edition, 1883–1887)
- 1 sĭŏn ou sĭum in Gaffiot, Félix (1934) Dictionnaire Illustré Latin-Français, Hachette: “1,447/3”
- sion in Harry Thurston Peck, editor (1898) Harper's Dictionary of Classical Antiquities, New York: Harper & Brothers
- sion in William Smith, editor (1854, 1857) A Dictionary of Greek and Roman Geography, volume 1 & 2, London: Walton and Maberly
- sion in Richard Stillwell et al., editor (1976) The Princeton Encyclopedia of Classical Sites, Princeton, N.J.: Princeton University Press
- Niermeyer, Jan Frederik (1976), “sion”, in Mediae Latinitatis Lexicon Minus, Leiden, Boston: Brill, page 974/1
「SI on」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2478件
The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加
また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
Each constituting element is prepared on one Si substrate.例文帳に追加
以上の各構成要素は１枚のSi基板上に作成されている。 - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁
To provide an Si-added high strength steel sheet having excellent phosphate treatability by controlling Si based oxides produced on the surface of the Si-added steel sheet having phosphate treatability remarkably inferior to that of soft steel.例文帳に追加
軟鋼よりも遥かにリン酸塩処理性が劣るSi添加鋼に対し、鋼板表面に生成するSi系酸化物を制御することで、リン酸塩処理性に優れたSi添加高強度鋼板を提供する。 - 特許庁
Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage.例文帳に追加
しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 - 特許庁
The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.例文帳に追加
質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁
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