「SI on」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加

また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

Each constituting element is prepared on one Si substrate.例文帳に追加

以上の各構成要素は１枚のSi基板上に作成されている。 - 特許庁

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

To provide an Si-added high strength steel sheet having excellent phosphate treatability by controlling Si based oxides produced on the surface of the Si-added steel sheet having phosphate treatability remarkably inferior to that of soft steel.例文帳に追加

軟鋼よりも遥かにリン酸塩処理性が劣るSi添加鋼に対し、鋼板表面に生成するSi系酸化物を制御することで、リン酸塩処理性に優れたSi添加高強度鋼板を提供する。 - 特許庁

Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage.例文帳に追加

しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 - 特許庁

The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.例文帳に追加

質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁

Ge is selectively grown on Si while Si is selectively grown on Ge.例文帳に追加

ＳｉをＧｅ上で選択的に成長させる間に、ＧｅをＳｉ上で選択的に成長させる。 - 特許庁

Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加

多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３上にＳｉ層５を形成する。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

A first cover member consisting of Si and a second cover member consisting of Si are joined directly on either side of the Si substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉから成る第１カバー部材３と、Ｓｉから成る第２カバー部材４とを、Ｓｉ基板２の両側で直接接合する。 - 特許庁

In a manufacturing process of an Si microphone 1, a lower sacrifice layer 30 formed of Al-Si is formed on the upper surface 29 of the Si substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.例文帳に追加

洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

The cushioning layer 31 is provided between the Si substrate 1 and the polymer layer 2 or is provided on the layer 2.例文帳に追加

緩衝層31は、Si基板1とポリマー層2との間に設けたり、ポリマー層2の上に設ける。 - 特許庁

The optical voltage is measured by transparent electrodes 16, 17 provided on the surface of the Si wafer.例文帳に追加

光電圧は、Siウエーハ表面に設けた透明電極１６，１７で測定する。 - 特許庁

An SiGe layer 11 and an Si layer (SOI layer) 13 are deposited successively on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１とＳｉ層（ＳＯＩ層）１３とを順次成膜する。 - 特許庁

Alternatively, an Si-rich SiN-based protective film is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。 - 特許庁

To form a strain Si film on a semiconductor substrate with high producibility efficiency and at a low cost.例文帳に追加

半導体基板上に歪Si膜を生産効率よく低コストで形成すること。 - 特許庁

A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート絶縁膜５および多結晶Ｓｉ膜６を順次形成する。 - 特許庁

In the Si-layer formation process, an Si layer 71 is formed on the surface of a monocrystal SiC base 70.例文帳に追加

Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。 - 特許庁

First, a resist 2 is applied on a base plate 1 made of Si or SiO_2 in such a manner that the thickness may become 350 nm or higher.例文帳に追加

まず、Si又はSiＯ_２からなる基板１の上にレジスト２を350nm以上の厚さとなるように塗布する。 - 特許庁

Scattered light, caused by roughness of Si or a metal film surface, has high distribution on its rear side.例文帳に追加

Siや金属膜表面のラフネスで発生する散乱光は後方側に強い分布を持つ。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁

A hole h for exposing the Si substrate 1 is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3, and a support 7 for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 to cover the Si layer 5 while filling the hole h.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成し、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７を、穴ｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

NEW CMOS CIRCUIT OF GaAs/Ge ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上のＧａＡｓ／Ｇｅの新規なＣＭＯＳ回路 - 特許庁

METHOD OF FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への化合物半導体薄膜形成方法 - 特許庁

The imaging slice Si is located only on the right lung Lr.例文帳に追加

撮像スライスＳｉを右肺Ｌｒのみに配置する。 - 特許庁

As the result of this etching, a deposit film 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

この結果、ｉ基板１上にデポ膜５が生成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MONOMOLECULAR FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への単分子膜の形成方法 - 特許庁

HEAT TREATMENT METHOD FOR GaN-BASED DEVICE ON Si SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上のＧａＮ系デバイスの熱処理方法 - 特許庁

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Ｓｉ堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Ｓｉ薄膜表面に非晶質Ｓｉ層を堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ層を部分的に除去し、多結晶Ｓｉを部分的に露出させる工程と 該多結晶Ｓｉが露出した部分を核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

Since an Al amount is controlled, problems that a siliconizing rate varies and an effective Si concentration gradient is not obtained in a plate thickness direction are solved to obtain the unidirectional electromagnetic steel plate having an average Si concentration of 5.5 to 7 mass% on a steel plate surface and an average Si concentration of 3 to 5.5 mass% in the center of the plate thickness.例文帳に追加

Al量が制御されているため、浸珪速度が変動したり、板厚方向に有効なSi濃度勾配を実現できないという問題が解消され、鋼板表面の平均Si濃度が5.5〜7mass%、板厚中心の平均Si濃度が3〜5.5mass%である一方向性電磁鋼板が得られる。 - 特許庁

The Si crystal thin film is formed on the main surface of an Si substrate by bringing an Si melt into contact with the main surface of the Si substrate made of a metallurgical Si raw material or the like and performing liquid phase epitaxial growth at a temperature close to the melting point of Si.例文帳に追加

メタラジカルＳｉ原料などからなるＳｉ基板の主面に対してＳｉ融液を接触させ、Ｓｉの融点近傍で液相エピタキシャル成長を行い、前記Ｓｉ基板の前記主面上にＳｉ結晶薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming 3C-SiC single crystal thin film of a single phase having less crystal defects on an Si wafer by making hetero epitaxial growth on the surface of an Si substrate.例文帳に追加

Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Next, the support for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the trench h is filled and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基材１上で支持する支持体を、トレンチｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基材１上に形成する。 - 特許庁

This new improved method is the method, where, from an Si substrate accompanied on its surface by an amorphous silicon dioxide, a crystalline alkaline-earth-metal oxide is obtained on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。 - 特許庁

A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層及びＳｉ層（ＳＯＩ層）５を順次積層し、ＳｉＧｅ層及びＳｉ層５を貫く溝ｈをＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

The OBO flat surface waveguide element 1 is equipped with an Si substrate 102, an SiO_2 layer 103 formed on the Si substrate 102, and a plurality of mutually parallel Si optical waveguides 104 arranged on the Si substrate 102.例文帳に追加

ＯＢＯ平面導波路素子１は、Ｓｉ基板１０２と、Ｓｉ基板１０２上に形成されたＳｉＯ_2層１０３と、Ｓｉ基板１０２上に設けられた互いに平行な複数のＳｉ光導波路１０４とを備えている。 - 特許庁