adr-1とは 意味・読み方・使い方

A coefficient RAM 4 stores coefficients in a plurality of areas respectively, when a chip selection signal CS is at an active level, reads the coefficient in an area specified by address data ADR output from the program counter 1 according to a reading instruction and outputs the coefficient.例文帳に追加

係数ＲＡＭ４は、複数のエリアに係数を各々記憶し、チップセレクト信号ＣＳがアクティブレベルである場合に、プログラムカウンタ１から出力されるアドレスデータＡＤＲにより指定されたエリア内の係数を読み出し指令に応じて読み出して出力する。 - 特許庁

In the case of arranging the plurality of small images and preparing one composite image, pixel data on the first row of the small image of a number 1 are stored in the address adr 11 of a DRAM first and the pixel data on the second and succeeding rows are successively stored in the prescribed addresses of the DRAM.例文帳に追加

複数枚の小画像を並べて１枚の合成画像を作成する場合、まず、番号１の小画像の第１行目にある画素データがＤＲＡＭのアドレスａｄｒ １１に格納され、第２行目以降にある画素データが、順次、ＤＲＡＭの所定アドレスに格納される。 - 特許庁

After a specific word line WLi is selected by an address signal ADR and the stored contents of each memory cells 1i,j (i=1 to n) are inputted to a sense amplifier 3j through each bit line BLj, a sense start signal SLB is made 'L'.例文帳に追加

アドレス信号ＡＤＲで特定のワード線ＷＬｉが選択され、各メモリセル１_ｉ，ｊ（ｊ＝１〜ｎ）の記憶内容が各ビット線ＢＬｊを通してセンスアンプ３_ｊに入力された後、センス開始信号ＳＬＢが“Ｌ”になる。 - 特許庁

Finance Bureaus shall explain to persons who lodge complaints that they are not in a position to act as a mediator for specific transactions, and they shall refer such persons to a designated ADR body (meaning a designated dispute resolution body specified in Article 156-38(1) of the FIEA; the same shall apply hereinafter), Financial Instruments Firms’ Associations and Certified Investor Protection Organizations, which respond to inquiries, complaints, etc. based on the FIEA.発音を聞く 例文帳に追加

申出人に対しては、当局は個別取引に関してあっせん等を行う立場にないことを説明するとともに、必要に応じ、金商法に基づき相談・苦情等への対応を行う機関として、指定ＡＤＲ機関（金商法第156条の38第１項に規定する指定紛争解決機関をいう。以下同じ。）、金融商品取引業協会又は認定投資者保護団体を紹介するものとする。 - 金融庁

A laminate of the thick film, a pattern and the like are formed using the negative resist composition for a thick film comprising a photoacid generator (A) represented by formula (1), a phenolic resin (B) having an ADR (alkali dissolution rate) of ≥1,000 Å/s, and an epoxy resin (C) having two or more epoxy resins per molecule.例文帳に追加

下記式（１）で表される光酸発生剤（Ａ）、ＡＤＲ（アルカリ溶解速度）が１０００Å／ｓ以上であるフェノール樹脂（Ｂ）及び一分子中にエポキシ基を二個以上有するエポキシ樹脂（Ｃ）を含有してなる厚膜用ネガ型レジスト組成物を用いて、厚膜の積層体、パターン等を形成する。 - 特許庁

This memory is provided with a memory cell MC arranged as a normal unit WL being addressable, a memory cell MC arranged as at least one unit RWL1 to replace the normal unit, an address bus 3 to which an address ADR can be applied, a redundant circuit 1 for selecting a redundant unit RWL1 connected to this address bus 3, and a processing unit 2.例文帳に追加

アドレッシング可能なノーマルユニットＷＬとしてまとめられたメモリセルＭＣと、それらのノーマルユニットを置き換えるための少なくとも１つのユニットＲＷＬ１としてまとめられたメモリセルＭＣと、アドレスＡＤＲを印加可能なアドレスバス３と、このアドレスバス３に接続され冗長ユニットＲＷＬ１を選択するための冗長回路１と、処理ユニット２が設けられている。 - 特許庁