channel fillとは 意味・読み方・使い方

A pump 10 is driven at a high speed to fill or replace the flow channel from the interior of the pump 10 to the sampling needle 36 with a desired mobile phase at a high speed.例文帳に追加

ポンプ１０を高速駆動させ、ポンプ１０内部からサンプリングニードル３６までの流路を所望の移動相により高速で充満又は置換する。 - 特許庁

The temperature gradient permits liquid ink to move along the ink channel to fill the voids and/or push out air pockets in the ink portion which is still solid.例文帳に追加

温度勾配は、液体インクがインク流路に沿って移動してボイドを満たしかつ／またはまだ固体であるインク部分におけるエアポケットを押し出すことを可能にする。 - 特許庁

A plurality of channels (4) are formed in the shape of a lattice to one principal plane (1a) of a semiconductor wafer (1), a thermally-vaporizing substance (5) vaporized by heat treatment is supplied to a part of the channel (4), and thereafter a protection resin (6) is supplied to fill the channel (4) on the thermally vaporizing substance (5).例文帳に追加

半導体ウェーハ(1)の一方の主面(1a)に複数の溝(4)を格子状に形成し、加熱により気化する熱気化性物質(5)を溝(4)の一部に供給した後、熱気化性物質(5)の上から溝(4)内に保護樹脂(6)を充填する。 - 特許庁

A clay layer 9 is formed in an experiment soil vessel 1, a ground 2 comprising a crushed stone layer 11 is formed, and a channel 15 is excavated in the ground 2 to fill a solution 33 having a specific gravity substantially equivalent to that of the ground 2.例文帳に追加

実験土槽１内に粘土層９、砕石層１１からなる地盤２を形成し、地盤２に溝１５を掘削し、地盤２とほぼ同等の比重の溶液３３を満たす。 - 特許庁

A mesh layer 20 is secured on a base plate 112 at the lowermost portion of the fill layers 111 under such a condition that a hydrogen channel layer 21 that is a space into which hydrogen flows is secured.例文帳に追加

充填層１１１の最下部の床板１１２の上には、水素が流入する空間である水素流路層２１を確保した状態でメッシュ層２０が固定されている。 - 特許庁

A hard mask layer pattern for demarcating a recess region is formed on a semiconductor substrate 310, a recess channel structure 340 is formed by selectively etching the semiconductor substrate with the hard mask layer pattern serving as an etching mask, the hard mask layer pattern is removed to expose the semiconductor substrate 310 including the recess channel structure 340, and a gate electrode 364 is formed so as to fill the recess channel structure.例文帳に追加

半導体基板３１０にリセス領域を画成するハードマスク層パターンを形成し、ハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板を選択食刻してリセスチャンネル構造３４０を形成し、ハードマスク層パターンを除去してリセスチャンネル構造３４０を含む半導体基板３１０を露出し、リセスチャンネル構造を埋め込むゲート電極３６４を形成する。 - 特許庁

Next, after a channel 4 and a gate insulating film 5 are sequentially formed respectively in the desired thickness on the insulating layer 6 and source-drain material film 12 within the aperture 13, a gate material film 14 is formed on the gate insulating film 5 to fill the inside of the aperture 13.例文帳に追加

次いで、開口部１３内の絶縁層６およびソース・ドレイン材料膜１２上に、所望の膜厚のチャネル４およびゲート絶縁膜５を順に形成した後、ゲート絶縁膜５上であって開口部１３内を埋め込むゲート材料膜１４を形成する。 - 特許庁

The first peripheral member 213 so arranged as to fill a clearance between the image sensor 12, the light guide 14 and the channel 27 for coolants is preferably made of a material with a heat conductivity larger than that of the second peripheral member 214 making up other parts.例文帳に追加

また、撮像素子１２およびライトガイド１４と冷却剤用チャンネル２７との間隙を埋めるように設けられた第１の周辺部材２１３は、他の部分を構成する第２の周辺部材２１４よりも、熱伝導率の大きな材料によって構成されているのが好ましい。 - 特許庁