| 意味 | 例文 (289件) |
cm nとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「cm n」の意味 |
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cmn
| fly | 遺伝子名 | cmn |
| 同義語（エイリアス） | ski; Protein central missing; l(3)m47; Rasp; skinny hedgehog; Protein skinny hedgehog; sightless; central missing; lethal(3)SG3; rasp; ski/sit; sig/ski; l(3)63Bg; l(3)M47; CG11495; sit; 7F21; lethal(3)63Bg; Protein-cysteine N-palmitoyltransferase Rasp; rsp; Protein sightless; l(3)SG3 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9VZU2 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:44098 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0024194 |
| zfish | 遺伝子名 | cmn |
| 同義語（エイリアス） | calymmin | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:30208 | |
| その他のDBのID | ZFIN:ZDB-GENE-000208-9 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「cm n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 289件
Peel strength of the pair of Velcro fasteners is preferred 0.3 N/cm or more and 3 N/cm or less.例文帳に追加
上記一対の面ファスナーの剥離強さは０．３Ｎ／ｃｍ以上３Ｎ／ｃｍ以下が好ましい。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁
The updater 108 executes an adaptive algorithm operation such as LMS, etc., using the step size μ (|e(n)|), thereby obtaining tap coefficients C_1, C_2, CM, CM_+1, CM_+2, CM_+N of transversal filters 101, 102.例文帳に追加
タップ係数更新部１０８では、このステップサイズμ（｜ｅ（ｎ）｜）を用いて、ＬＭＳ等の適応アルゴリズム演算を実行することにより、トランスバーサルフィルタ１０１、１０２のタップ係数ｃ_1、ｃ_2、………、ｃ_M、ｃ_M+1、ｃ_M+2、………、ｃ_M+N、を求める。 - 特許庁
At this time, the smoothing step by the calender roll is performed under a line pressure of ≥1,960 N/cm (200 kgf/cm).例文帳に追加
この場合、前記カレンダーロールによる前記平滑化処理を線圧力１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行う。 - 特許庁
At this time, the ground layer and the metal foil have an adhesion strength of 0.01 N/cm to 0.04 N/cm.例文帳に追加
その際に下地層と金属箔の密着強度が０．０１Ｎ／ｃｍ〜０．０４／ｃｍとなるような構成とする。 - 特許庁
Preferably, the heat conductive mold has a compressive strength of 10-30 N/cm^2 at a peak value and 3-10 N/cm^2 at a stabilized value.例文帳に追加
好ましくは、熱伝導性成形体は、圧縮強度がピーク値で１０〜３０Ｎ／ｃｍ^2、安定値で３〜１０Ｎ／ｃｍ^2である。 - 特許庁
The general formula (1): η=η0En (η0 is a constant and E is the electric field (V/cm)).例文帳に追加
一般式（１） η＝η_0Ｅ^n （η_0は定数、Ｅは電場（Ｖ／ｃｍ）） - 特許庁
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Weblio例文辞書での「cm n」に類似した例文 |
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cm n
a farthing
two feet square （＝four square feet）
立方メートルのこと
gò [g
C
夕ぐれどき
six inches.
オオハシカッコウ
cmn
a follower
a rope
the characteristic of dignity and grace
a safe hit
むら
a village
uj
夕ぐれどき
「cm n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 289件
The maximum bending moment is 5 to 30 N cm/mm^2.例文帳に追加
最大曲げモーメントが、５〜３０Ｎｃｍ／ｍｍ^２である構成としている。 - 特許庁
Provided that N is the twist number (number/10 cm) of upper twisting.例文帳に追加
Ｔ＝Ｎ×√Ｄ×１０^−３…（１）（ただし、Ｎは上撚りの撚り数（回／１０cm）である） - 特許庁
The GaAs substrate 13 has an n-type carrier concentration of 5×10^16 cm^-3 or higher and 2×10^18 cm^-3 or lower, or a p-type carrier concentration of 5×10^18 cm^-3 or higher and 3×10^19 cm^-3 or lower.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板１３は、５×１０^16ｃｍ^-3以上２×１０^18ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０^18ｃｍ^-3以上３×１０^19ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 - 特許庁
Since C, N, and O impurities reduce the mobility of the TFT, there is used polysilicon in a range of contaminant concentrations of C≤3×10^19 cm^-3, N≤5×10^17 cm^-3, and O≤3×10^19 cm^-3.例文帳に追加
またＣ、Ｎ、Ｏ不純物はＴＦＴの移動度を低下させるため、ポリシリコン中の汚染濃度がＣ濃度≦３×１０^19ｃｍ^-3、Ｎ濃度≦５×１０^17ｃｍ^-3、Ｏ濃度≦３×１０^19ｃｍ^-3以内のポリシリコンを用いる。 - 特許庁
Ply strength K, i.e., a product T×n of tensile strength T (unit: N) per one steel cord 10 and the hitting number (unit: number/5 cm) of the belt cord per 5 cm width of the belt plies 7A, 7B is made to 6,125-10,192 (unit: N*number/5 cm).例文帳に追加
このスチールコード１０の１本当たりの引張強さＴ（単位：Ｎ）と、前記ベルトプライ７Ａ、７Ｂの５ｃｍ巾当たりのベルトコードの打込み本数ｎ（単位：本／５ｃｍ）の積Ｔ×ｎであるプライ強度Ｋを６１２５〜１０１９２（単位：Ｎ・本／５ｃｍ）とした。 - 特許庁
The entire steam-warmed towel 10 shows a rigidity value of 0.01-10 N/width of 8 cm.例文帳に追加
蒸気温熱タオル１０全体の剛性値は０．０１〜１０Ｎ／幅８ｃｍである。 - 特許庁
Carbon concentration N_C in the drift layer 15 is not more than 3×10^16 cm^-3.例文帳に追加
ドリフト層１５内における炭素濃度Ｎ_Ｃは３×１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁
Film sucking force by the suction drum is set in a range of 0.005-0.1 N/cm^2.例文帳に追加
サクションドラム４２によるフイルム吸着力を０．００５〜０．１Ｎ／ｃｍ^2 の範囲内に設定する。 - 特許庁
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