e MOSとは 意味・読み方・使い方
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「e MOS」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
The E-type MOS transistor is formed inside a well region 15.例文帳に追加
EタイプMOSトランジスタは、ウェル領域15中に形成される。 - 特許庁
A D-type N-channel MOS transistor HND3, an I-type N-channel MOS transistor HN1, and an E-type N-channel MOS transistor HNE1 are connected in parallel between node N2 and node N3.例文帳に追加
ノードN2とノードN3との間には、D型NチャネルMOSトランジスタHND3、I型NチャネルMOSトランジスタHN1、及びE型NチャネルMOSトランジスタHNE1が並列に接続されている。 - 特許庁
A feedback voltage Ve2 subjected to resistance division is inputted to the gate of the E-type Nch MOS transistor NT2.例文帳に追加
E型Nch MOSトランジスタNT2のゲートには、抵抗分割された帰還電圧Ve2が入力される。 - 特許庁
An E (enhancement)-type MOS transistor having a threshold of about 0.7V is formed in a region A, and an I-type MOS transistor having a threshold of about 0.1V is formed in a region B.例文帳に追加
領域Aには、閾値が0.7V程度のE(エンハンスメント)タイプMOSトランジスタが形成され、領域Bには、閾値が0.1V程度のIタイプMOSトランジスタが形成される。 - 特許庁
A voltage applied to the gate of the MOS transistor 23 is a voltage of which the input signal Vin is reduced by a voltage E between a gate and a source of a MOS transistor 25.例文帳に追加
MOSトランジスタ23のゲートに印加される電圧は、入力信号VinからMOSトランジスタ25のゲート・ソース間電圧Eだけ低下した電圧となる。 - 特許庁
The first voltage is applied between a diffusion layer and a back gate of a first MOS transistor TE included in the first selection circuit (BL-E).例文帳に追加
第1選択回路(BL−E)に含まれる第1MOSトランジスタTEの拡散層とバックゲートとの間には、第1電圧が印加される。 - 特許庁
That is to say, the well region 15 for the E-type MOS transistor and the well region 15 for the channel stopper are formed simultaneously, and the depth is nearly identical.例文帳に追加
つまり、EタイプMOSトランジスタ用のウェル領域15とチャネルストッパ用のウェル領域15は、同時に形成され、深さもほぼ同じである。 - 特許庁
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「e MOS」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
A drain of the D-type Nch MOS transistor DNT1 is connected to a drain of an E-type Nch MOS transistor NT1 of a first stage amplifying circuit 1, and a gate is connected to a low potential side power (ground electric potential) VSS.例文帳に追加
D型Nch MOSトランジスタDNT1は、ドレインが1段目の増幅回路1のE型Nch MOSトランジスタNT1のドレインに接続され、ゲートが低電位側電源(接地電位)VSSに接続される。 - 特許庁
The D-type Nch MOS transistor DNT2, which forms a differential pair with the D-type Nch MOS transistor DNT1, is connected to a drain of an E-type Nch MOS transistor NT2 of the first stage amplifying circuit 1, and a feedback voltage Ve1 outputted from a high-pass filter composed of a capacitor C2 and a resistor R4 is inputted to the gate.例文帳に追加
D型Nch MOSトランジスタDNT1とは差動対をなすD型Nch MOSトランジスタDNT2は、ドレインが1段目の増幅回路1のE型Nch MOSトランジスタNT2のドレインに接続され、ゲートにコンデンサC2及び抵抗R4から構成されるハイパスフィルターから出力される帰還電圧Ve1が入力される。 - 特許庁
When MOS type gates Mgx2 are turned on, the transfer of the charges stored in the substrate region directly below the storing gates Mccd to a substrate region directly below the gates Mgx2 is started ((E)).例文帳に追加
MOS型ゲートMgx2がオンとされ、蓄積用ゲートMccdのゲート直下の基板領域に蓄積されていた電荷がMOS型ゲートMgx2の直下の基板領域へ転送開始される((E))。 - 特許庁
A load circuit RL and a MOS FET Q2 are connected in series between the positive and negative terminals of E from a positive side, and output OP of SG is connected to the gate of Q2 for turning on and off Q2, thus obtaining the standby electric power circuit having an idling current of zero.例文帳に追加
一方、Eの正負端子間に正側より負荷回路RLとMOSFETQ2を直列接続し、SGの出力OPとQ2のゲートを接続してQ2をオン/オフさせれば、アイドリング電流ゼロの待機電力回路になる。 - 特許庁
To attain a speed increase of a sensing period and a capacity enlargement in fuse macro of an OTP memory for storing data so as to be nonvolatile by applying a high voltage to a MOS structured e-Fuse element and destroying an insulation film of this element.例文帳に追加
本発明は、MOS構造のe−Fuse素子に高電圧を印加し、その素子の絶縁膜を破壊することによりデータを不揮発に記憶するOTPメモリのヒューズマクロにおいて、センス時間の高速化および大容量化を達成できるようにする。 - 特許庁
The AND gate 47 ANDs a signal e outputted from the OR gate 48 and the 10 kHz signal b for controlling the current passing through the solenoid 41 and outputted from a CPU 49, and outputs a resulting signal f to the gates of MOS transistors 42, 44.例文帳に追加
ANDゲート47は、ORゲート48から出力される信号eと、CPU49から出力されるソレノイド41に流れる電流を制御するための10kHzの信号bとの論理積をとり、その結果の信号fをMOSトランジスタ42及び44のゲートに出力する。 - 特許庁
The AND gate 47 operates the logical product of the signal (e) outputted from the OR gate 48 and the signal (b) of 10kHz for controlling currents running through a solenoid 41 outputted from a CPU 49, and outputs a signal (f) as the result to the gates of MOS transistors 42 and 44.例文帳に追加
ANDゲート47は、ORゲート48から出力される信号eと、CPU49から出力されるソレノイド41に流れる電流を制御するための10kHzの信号bとの論理積をとり、その結果の信号fをMOSトランジスタ42及び44のゲートに出力する。 - 特許庁
The switching power supply device E includes a transformer 1 which receives a first AC voltage shaped like sine waves from a commercial power supply and converts it into a second AC voltage lower than this first AC voltage, and a MOS type FET11 which serves as a switch element in which an applied voltage and a flowing current have linear properties.例文帳に追加
商用電源Eからの正弦波状の第1の交流電圧を入力とし、この第1の交流電圧よりも低い第2の交流電圧に変換するトランス1と、印加する電圧と流れる電流が線形の特性を持つスイッチ素子としてMOS型FET11とを備える。 - 特許庁
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