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erase levelとは 意味・読み方・使い方
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「erase level」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
A mark is formed or a space is formed by using a recording waveform having an erase-pattern including a predetermined pulse whose high level is higher than an erase-power level and whose low level is lower than the erase-power level.例文帳に追加
上位レベルは消去パワーレベルより高くて下位レベルは消去パワーレベルより低い所定のパルスを含む消去パターンを有した記録波形を用いてマークを形成するか、スペースを形成する。 - 特許庁
An erase operation is carried out while changing the level of the erase operation voltage until erasure in all the memory cells 310 included in the memory cell block.例文帳に追加
メモリセルブロックに含まれる全メモリセル310が消去されるまで消去動作電圧のレベルを変更しながら消去動作を行う。 - 特許庁
It is not necessary to physically erase the already recorded data, and the recording level and the reproduction level are just repeated for a multi-pulse.例文帳に追加
また、既に記録されたデータを物理的に消去する必要はなく、マルチパルスは記録レベルと再生レベルの繰り返しのみでよい。 - 特許庁
When data rewriting of the memory cell placed in the physical erase state is performed, a logical erase is performed and the threshold voltage criterion is shifted to a high voltage level.例文帳に追加
物理的消去状態のメモリセルのデータ書換を行なう場合、論理的消去を行ない、そのしきい値電圧判定基準を高い電圧レベルにシフトする。 - 特許庁
The flash memory device includes a plurality of memory cell blocks including memory cells 310 connected to a plurality of word lines, and an operating voltage generating section 330 for applying an erase operation voltage to a memory cell block selected for an erase operation, and changing the level of the erase operation voltage according to the result of the erase operation.例文帳に追加
複数のワードラインに接続されたメモリセル310含む複数のメモリセルブロックを有し、消去動作時に選択されたメモリセルブロックに消去動作電圧を印加し、その消去動作の結果に応じて消去動作電圧のレベルを変更する動作電圧生成部330を有する。 - 特許庁
At an encoder part 30, discriminant signals ME, MW are formed that indicate the erase level period and the write level period of the laser power of a laser beam.例文帳に追加
エンコーダ部30でレーザ光のレーザパワーが消去レベルの期間と書込レベルの期間を示す判別信号ME,MWを生成する。 - 特許庁
In this optical disk recording/reproducing device constituted so as to record the signal on the disk by the laser beam emitted from a laser element which is driven by the pulse signal, a peak level and a bottom level of the pulse signal are arranged so as to be set based on an erase level carrying out the erase operation.例文帳に追加
パルス信号により駆動されるレーザー素子より照射されるレーザーによって信号をディスクに記録するように構成された光ディスク記録再生装置において、パルス信号のピークレベルとボトムレベルとを信号の消去動作を行う消去レベルに基づいて設定するようにしたものである。 - 特許庁
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「erase level」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
On the optical recording medium, power information about the power level of the first pulse and the power level of the last pulse of the erase pattern for data erasure are recorded.例文帳に追加
データ消去のための消去パターンの先頭パルスのパワーレベル及び最後パルスのパワーレベルに関する情報を含む消去パターン情報を貯蔵していることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁
Then, a DISP signal is set in a high level in order to erase a picture, and an AC signal MS and an inverted signal MC are applied (erasure pulse).例文帳に追加
次に、画面消去のために、DISP信号をハイレベルに設定し、交流化信号MSと、反転された信号MCとを印加する(消去パルス)。 - 特許庁
To reduce an ISPP system program of a memory cell or erase time by not fixing and by varying an initial pulse width or an initial bias level.例文帳に追加
初期のパルス幅または初期のバイアスレベルを固定させずに変化させることにより、メモリセルのISPP方式プログラムまたは消去時間を減らす。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that reduces the influence of capacitive coupling of adjacent cells, and ensures accurate read operation even when an erase level changes.例文帳に追加
隣接セルの容量結合の影響を抑制でき、消去レベルが変化した場合においても正確な読み出しが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
In such a system, a threshold voltage of an element during program operation and the threshold voltage of the element during erase operation are maintained to a fixed level.例文帳に追加
このような方式で、プログラム動作中の素子のスレッショルド電圧及び消去動作中の素子のスレッショルド電圧は適切で一定した水準に維持される。 - 特許庁
Next, second random information is over-written in the optical disk of the first test writing with an erase level as second test writing (step S8).例文帳に追加
次に、前記1回目の試し書きされた光ディスクに、2回目の試し書きとして、第2のランダムな情報がイレースレベルで上書きされる(ステップS8)。 - 特許庁
When performing erasing and writing to an erase unit area 120, a regulator circuit 150 changes a voltage boosted by a booster circuit 140 to a level according a trimming value for the erase unit area 120.例文帳に追加
ある消去単位領域120に対して消去および書き込みを行うときには、レギュレート回路150は、昇圧回路140で昇圧された電圧を、当該消去単位領域120についてのトリミング値に応じたレベルに変換する。 - 特許庁
A column side decoder 25 of a serial EEPROM 21 is provided with inverters 27, 28, when batch write-in/erase of data is performed for a memory cell 22, timing at which a batch erase/write-in signal IN is outputted to level shifters 8A-8H respectively is varied.例文帳に追加
シリアルEEPROM21のカラム側デコーダ25にインバータ27,28を備えて、メモリセル22に対してデータの一括書込み/消去を行う場合に、レベルシフタ8A〜8Hに一括消去/書込み信号INを出力するタイミングを夫々変化させる。 - 特許庁
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