face tsとは 意味・読み方・使い方

Also, at a boundary between the side face and the bottom face, a corner of the side blade Ts adjacent to the finishing blade Tt is formed like an arc being a contour with a radius smaller than the spherical radius of the finishing blade Tt.例文帳に追加

また、前記側面部と前記底面部との境界部において、側面刃Ｔｓにおける仕上げ刃Ｔｔに隣接するコーナ部は、前記仕上げ刃Ｔｔの球面半径よりも小さな半径の輪郭となる円弧状に形成されている。 - 特許庁

The tank band 140 fixed to the side frames SF contacts an outer face of a cylinder part TS by a diagonal locus after contacting a spherical shaped outer face of a doom part TD at one end of the tank T, and contacts a spherical shaped outer face of the doom part TD at the other end of the tank T.例文帳に追加

サイドフレームＳＦに固定されたタンクバンド１４０は、タンク一方端のドーム部ＴＤの球面形状外表に接触した上でシリンダー部ＴＳの外表において対角洗浄の軌跡で当該外表も接触し、タンク他方端においてもドーム部ＴＤの球面形状外表に接触する。 - 特許庁

A conductive coating 26 using electrical conductive material is disposed on at least one face of the rubber strip 25 so as to form conductive passages 27 whose outer ends are exposed to the tread grounding surface TS and inner ends are in contact with the tread conductive part 23.例文帳に追加

ゴムストリップ２５の少なくとも一面に、導電材を用いた導電皮膜２６を設けることにより、外側縁がトレッド接地面ＴＳに現れ、かつ内側縁が前記トレッド導電部２３に接する導電路２７を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted into the semiconductor substrate SB, at an incidence angle oblique with respect to a normal of the main face so as to permeate through the thermally-oxidized film TS and to reach a region directly underneath the polysilicon electrode PS in the semiconductor substrate SB.例文帳に追加

熱酸化膜ＴＳを透過し、かつ半導体基板ＳＢにおけるポリシリコン電極ＰＳの真下の領域に達するように、主面の法線に対して斜めの入射角で、半導体基板ＳＢにイオンが注入される。 - 特許庁

This ceiling structure is constituted by: supporting a perforated panel T on a luminaire case body 2 suspended and supported from/on a ceiling slab TS; mounting an air feeding chamber 8 having an opened lower part on an upper face of the perforated panel T; and communicating and connecting an air feeding duct with the air feeding chamber 8.例文帳に追加

天井スラブＴＳに吊り下げ支持された照明器具の筐体２に多孔パネルＴを支持させ、その多孔パネルＴの上面に下方が開口した給気チャンバー８を載置し、その給気チャンバー８に給気ダクトを連通接続してある。 - 特許庁

The incident angle of the sputtering particles made incident on the film deposition face 22 is restricted by shielding members 25 or the length of a TS distance, the maximum incident angle θ5 is ≤15°, and the prospective incident angle Δθ as a difference between the maximum incident angle θ5 and the minimum incident angle is ≤10°.例文帳に追加

成膜面２２に入射するスパッタ粒子の入射角度は、遮蔽部材２５又はＴＳ距離の長さによって制限され、最大入射角度θ５が１５°以下、最大入射角度θ５と最小入射角度の差である見込み入射角度Δθが１０°以下になっている。 - 特許庁

The semiconductor device arranges a ground terminal Tg on the outermost periphery in IC wherein a plurality of connection terminals T comprising a signal terminal Ts, a power source terminal and the ground terminal Tg is formed in the form of a matrix on the outermost periphery of the rear face 3 of a package 2.例文帳に追加

本発明の一実施形態の半導体装置（ＩＣ１Ａ）は、信号端子Ｔｓ、電源端子、接地端子Ｔｇなどからなる複数の接続端子Ｔがパッケージ２の裏面３の最外周に及んでマトリックス状に形成されているＩＣにおいて、前記接地端子Ｔｇが前記最外周に配設されている。 - 特許庁

Although the former component force F2 is the force of pulling the cutting edge along the cutting face Ts, this is external force, and since it is known that diamond is material having a small coefficient of friction, the cutting edge is pulled by friction caused by the force so that the internal stress of pulling generated in the diamond is very small.例文帳に追加

また、前者の分力Ｆ２は、刃先をすくい面Ｔｓに沿って引っ張る力ではあるが、これは外力であり、例えばダイヤモンドは摩擦係数も小さな材料であることが知られており、この力によって摩擦で刃先が引っ張られてダイヤモンド内で発生する引っ張りの内部応力は極めて小さくなる。 - 特許庁