ge-setとは 意味・読み方・使い方

The energy size of one output pulse of the pulsed laser beam is set to a value necessary to reach the minimum temperature for forming alloy as a result of melting the first and second Si lumps with the Ge material.例文帳に追加

パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 - 特許庁

In addition, this impurity can be set to at least any one among O, C, Si, Ge, Be, Mg and Ca and the concentration of this impurity may be set to a range of 1×10^16 cm^-3 or higher or 1×10^20 cm^-3 or lower.例文帳に追加

また、上記不純物を、Ｏ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、ＭｇおよびＣａの少なくともいずれかとすること、上記不純物の濃度を、１×１０^16ｃｍ^-3以上１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲とすることができる。 - 特許庁

According to the present invention, a thin film containing Ge and a thin film containing Sb are formed into a superlattice structure to solve the problem, and the number of times of repetitive recording and erasure are set to 10^15.例文帳に追加

本願発明は、Ｇｅを含む薄膜とＳｂを含む薄膜を超格子構造で作成し、上記課題を解決し、繰り返し記録消去回数を１０^１５回とした。 - 特許庁

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

With this playing guide system, the presence or absence Ge of playing guides for the plural playing apparatus 41 to 4n is previously set; the allocation As of note events (pitches or pitch names) is carried out and the presence or absence De of the sound production of the note events (pitches or pitch names) is previously set (ST).例文帳に追加

この発明による演奏ガイドシステムでは、予め、複数の演奏操作装置４１〜４ｎに対して演奏ガイドの有無Ｇｅを設定し音符イベント（音高又は音名）の割当てＡｓを行い、音符イベント（音高又は音名）の発音の有無Ｄｅを設定しておく（ＳＴ）。 - 特許庁

This magnetic resonance imaging system is provided with an application means for applying a phase encoding direction gradient magnetic field GE which is set so that data is arranged in a space (k) in an order from a high frequency region to a low frequency region in the space (k).例文帳に追加

この磁気共鳴イメージング装置は、ｋ空間の高周波領域から低周波領域の順でデータが当該ｋ空間に配置されるように設定した位相エンコード方向傾斜磁場Ｇ_Ｅを印加する印加手段を備える。 - 特許庁

The growth temperature of the SiGeC layer 2 at this time is set to 490°C or less, and Si2H5, GeH4, and SiH3CH3 are used as the raw materials of Si, Ge, and C, respectively, thus forming the SiGeC layer 2 having the excellent crystallinity.例文帳に追加

このときのＳｉＧｅＣ層２の成長温度を４９０℃以下とし、Ｓｉの原料としてＳｉ_2 Ｈ_6 、Ｇｅの原料としてＧｅＨ_4 、Ｃの原料としてＳｉＨ_3 ＣＨ_3 を用いることにより、良好な結晶性を持つＳｉＧｅＣ層２を形成することができる。 - 特許庁

A cap rubber part G1 of tread rubber G is formed of hard rubber of rubber hardness of 70-75°, and a distance LA in the tire axial direction between an outer end Ge in the tire axial direction of the cap rubber part G1 and an outer end 7e in the tire axial direction of a belt layer 7 is set to be 5-15 mm.例文帳に追加

トレッドゴムＧのキャップゴム部Ｇ１は、ゴム硬度が７０〜７５°の硬質のゴムからなるとともに、キャップゴム部Ｇ１のタイヤ軸方向外端Ｇｅと、ベルト層７のタイヤ軸方向外端７ｅとの間のタイヤ軸方向距離ＬＡを５〜１５ｍｍとした。 - 特許庁