order-N methodとは 意味・読み方・使い方

This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor device into a structure, wherein trench element isolation regions 2, n-type well regions 3 and p-type well regions 4 are formed in the order in the upper part of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上部にトレンチ素子分離領域２、ｎ型ウェル領域３およびｐ型ウェル領域４を順次形成する。 - 特許庁

Thereafter, by an MOCVD method, on the buffer layers 5, an N-type clad layer 6, an MQW active layer 7 and a P-type clad layer 8 are formed, in this order.例文帳に追加

その後、ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層５上に、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８がこの順に形成される。 - 特許庁

This method for displaying the image repeats n-times of displaying of the sub-field array of sub-frames obtained by dividing one frame by (n) (n is an integer), and a sub-field for displaying a low-order bit is added to at least one of the sub-frames.例文帳に追加

この目的を達成するため本発明の画像表示方法は、1フレームを１／ｎ（ｎは整数）したサブフレームのサブフィールド配列がｎ回繰り返して表示されるとともに、そのうちの少なくとも１つのサブフレームに下位ビットを表示するサブフィールドが付加された構成のサブフィールド配列である。 - 特許庁

The method divides an amino acid residue sequence of a protein to be predicted into fragments of a length n (n=5-9), computes a standard deviation of an energy value based on multidimensional mean force field potential in different three-dimensional structures of the sequence fragment of each fragment, and predicts that three-dimensional structure folding proceeds in descending order of the standard deviation value.例文帳に追加

構造予測対象タンパク質のアミノ酸残基配列を、ながさn（n=５〜９）の断片に分け、各断片の配列断片がさまざまな立体構造をとった場合の多次元平均力場ポテンシャルに基づくエネルギー値の標準偏差を求め、この標準偏差の値が大きい順に立体構造の折り畳みが進行すると予測する。 - 特許庁

A silicon carbide semiconductor is formed, wherein an n^- drift region 2, a p-base region 3 and an n^+ source region 4 are laminated in this order by an epitaxial growth method on a semiconductor substrate 1 containing a plane orientation of a front surface as a (000-1) plane.例文帳に追加

おもて面の面方位を（０００−１）面とする半導体基板１上に、エピタキシャル成長法によってｎ^-ドリフト領域２、ｐベース領域３およびｎ^+ソース領域４をこの順に積層した炭化珪素半導体を形成する。 - 特許庁

To provide a method efficiently recovering N-methyl-2-pyrrolidone by general facilities and enabling miniaturization and cost reduction of distillation facilities of after-process in order to industrially recover N-methyl-2-pyrrolidone from slurry in polyarylene sulfide production.例文帳に追加

ポリアリーレンスルフィド製造におけるスラリーからＮ−メチル−２−ピロリドンを工業的に回収する上で、一般的な設備で効率良く回収し、抽出設備、また後工程の蒸留設備の小型化とコスト低減を可能化する方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a deposition process S2 for depositing the silicon thin film, including a crystal structure on the substrate, is performed by a plasma CVD method using higher-order silane-based gas expressed by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and hydrogen gas for deposition gas.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。 - 特許庁

The method for stabilizing an antibody comprises adding a tripeptide (β-Ala-Orn-Orn) having a peptide bond in the order of β-alanine, ornithine and ornithine from an N terminal to the medium of an antibody or a composition containing an antibody.例文帳に追加

Ｎ末端からβ-アラニン、オルニチン、オルニチンの順でペプチド結合したトリペプチド（β-Ａｌａ−Ｏｒｎ−Ｏｒｎ）を、抗体もしくは抗体を含む組成物の媒体に含有させることで、安定となる。 - 特許庁