quantum-tunnelとは 意味・読み方・使い方

MICROSTRIP FOR STABILIZING QUANTUM WELL RESONANCE TUNNEL GENERATOR TO GENERATE ELECTROMAGNETIC WAVE FOR MILLIMETER-WAVE AND SUBMILLIMETER-WAVE例文帳に追加

ミリ波及びサブミリ波用電磁波を生成する量子井戸共鳴トンネルジェネレータを安定化するマイクロストリップ - 特許庁

Distances between the quantum dots 22b and 24b and the conduction layer 13 are set to enable electrons to tunnel through.例文帳に追加

各量子ドット２２ｂ，２４ｂと伝導層１３との間の距離はそれぞれ電子がトンネリング可能な距離である。 - 特許庁

And, electrons existing primarily in the quantum dots 61a to 61c move between the quantum dots 61a to 61c and the quantum dots 51a to 51c through a tunnel junction in response to a voltage applied from pads 12, 13 to a gate electrode 9, and distribute in the quantum dots 51a to 51c and/or the quantum dots 61a to 61c.例文帳に追加

そして、量子ドット６１ａ〜６１ｃ中に元来的に存在する電子は、パッド１２，１３からゲート電極９に印加される電圧に応じて、トンネル接合を介して量子ドット６１ａ〜６１ｃと量子ドット５１ａ〜５１ｃとの間を移動し、量子ドット５１ａ〜５１ｃおよび／または量子ドット６１ａ〜６１ｃ中に分布する。 - 特許庁

As a result, when biased of the whole multiple quantum well layer is carried out forward or backward, high speed translocation of carriers (usually holes) is enabled by tunnel effect, from energy level of one quantum well layer which is adjacent to the quantum dot to energy level of adjacency quantum well of the other side through energy level in the quantum dot.例文帳に追加

多重量子井戸層全体を，順方向ないし逆方向にバイアスしたとき，量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から，量子ドット内エネルギー準位を経由して，他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ，トンネル効果でキャリヤ（通常は正孔）を高速に移動させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加

２次元電子（正孔）系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

A tunnel barrier layer 6 is provided at an n-electrode 15 side of the quantum well layer 7, while a tunnel barrier layer 8 provided at a p-electrode 14 side, with the thickness of the former and the latter being different.例文帳に追加

また、量子井戸層７のｎ電極１５側にトンネルバリア層６、ｐ電極１４側にトンネルバリア層８を配し、前者と後者の厚みを相異ならせる。 - 特許庁

A tunnel between the 1st and 2nd quantum dots is controlled by a side gate (58) and/or a surface gate (69).例文帳に追加

第１及び第２の量子ドット間のトンネルは、側方ゲート（５８）及び／又は表面ゲート（６９）により制御される。 - 特許庁

The gain medium 4 comprises two or more quantum well layers 9 and 11 and a plurality of barrier layers 8, 10 and 12 for separating the respective quantum well layers, and is in a configuration based on a resonance tunnel diode wherein the transition of the carrier occurs through a photon assist tunnel between the subbands of the two or more quantum well layers 9 and 11 and the gain is generated.例文帳に追加

利得媒質4は、2つ以上の量子井戸層9、11と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層8、10、12から構成されて、2つ以上の量子井戸層9、11のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成である。 - 特許庁