sh pとは 意味・読み方・使い方

In an SH structure AlGaAs epitaxial wafer for the light emitting diode, a carrier density Cl of a p-type GaAs substrate 1 and a carrier density C2 of a p-type AlGaAs activ layer are decided to have a relation of C1/C2≥15.例文帳に追加

発光ダイオード用ＳＨ構造ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度Ｃ１とｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層２のキャリア濃度Ｃ２が、Ｃ１／Ｃ２≧１５の関係にあるように定める。 - 特許庁

In this mounting structure of the spark plug 100 to the cylinder head SH, a sealing agent 25 for transmitting the heat of the main metal fittings 1 to the cylinder head SH is interposed between the tip part 12 of the main metal fitting 1 and the inner wall surface of the corresponding tip part 36 of the plug-hole P.例文帳に追加

そして、このスパークプラグ１００とシリンダーヘッドＳＨとの取付構造では、主体金具１の先端部１２とプラグホールＰの先端対応部３６の内壁面との間に、主体金具１の熱をシリンダーヘッドＳＨに伝達するためのシール剤２５を介在させている。 - 特許庁

A p-side GRIN-SH layer 6 is constructed so as to make the composition continuously vary from a 1.15 μm band to InGaAlAs corresponding to a 1.0 μm band starting from the MQW absorption layer 5 to a p-type InP upper cladding layer 7.例文帳に追加

ｐ側ＧＲＩＮ−ＳＣＨ層６は、前記ＭＱＷ吸収層５から図１に示したｐ型ＩｎＰ上部クラッド層７へ向かって、組成が１．１５μｍ帯から１．０μｍ帯相当のＩｎＧａＡｌＡｓへと連続的に変化するように構成される。 - 特許庁

When an ACF 3 stuck on a predetermined position of a side of a display substrate P conveyed by a conveyance unit is imaged to inspect a sticking state of an ACF, the display substrate P is imaged during conveyance after sticking the ACF 3, fluctuation in an ACF image obtained by imaging during the conveyance is corrected, and an imaging unit images an imaging region SH including the ACF 3 stuck on the predetermined position.例文帳に追加

搬送手段によって搬送される表示基板Ｐの辺の所定位置に貼付けたＡＣＦ３を撮像しＡＣＦ貼付け状態を検査する際に、前記ＡＣＦ３を貼付け後に前記表示基板Ｐを搬送中に撮像し、搬送中の撮像によって得られたＡＣＦ画像の揺らぎを補正し、撮像手段は所定位置に貼付けたＡＣＦ３を含む撮像領域ＳＨを撮像する。 - 特許庁

The non-linear electromagnetic ultrasonic sensor is constituted of the ultrasonic transmitter 1 arranged just above the material P to be inspected to respectively excite surface waves and SH waves using electromagnetic force and a plurality of ultrasonic receivers 2a and 2b having receiving characteristics one and real number multiples with respect to the drive frequency of the ultrasonic transmitter 1.例文帳に追加

被検査材Ｐの直上に配置され電磁力を利用して表面波およびＳＨ波をそれぞれ励振する超音波送信子１と、この超音波送信子１の駆動周波数に対して１倍および実数倍の受信特性を有する複数の超音波受信子２ａ，２ｂとから構成される非線形電磁超音波センサである。 - 特許庁

In the electrochemical device having the polymeric material containing metal atoms and ligands capable of being coupled with two or more metal atoms between counter electrodes, at least one of the ligands includes at least one group selected from among -SH, -COOH, -P=O(OH)_2, -OP=O(OH)_2 and -Si(OR)_3 (R denotes an alkyl group) in molecules.例文帳に追加

対向電極間に、金属原子と、２つ以上の該金属原子と結合可能な配位子とを含有する高分子材料を有する電気化学デバイスであって、該配位子の少なくとも１つが、分子内に−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）_２、−ＯＰ＝Ｏ（ＯＨ）_２及び−Ｓｉ（ＯＲ）_３（Ｒは、アルキル基を表す）から選ばれる少なくとも１つの基を有することを特徴とする電気化学デバイス。 - 特許庁