「"次成長"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このｎ型ＧａＮ層１５上に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。例文帳に追加

An active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are grown successively on the layer 15, and a light-emitting element structure is formed. - 特許庁

発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。例文帳に追加

A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15. - 特許庁

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。例文帳に追加

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown. - 特許庁

有機金属気相成長法によりＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層、ＧａＩｎＰエピタキシャル層およびＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長させてなる化合物半導体エピタキシャルウェハ。例文帳に追加

In the compound semiconductor epitaxial wafer, a GaAs epitaxial layer, a GaInP epitaxial layer and an AlGaInP epitaxial layer are successively grown on a GaAs substrate by an organo-metallic vapor phase growth method. - 特許庁

最後に、ヘテロ構造作製工程で、上記第２バッファ層３３上にヘテロ構造を構成するＧａＮ層３４とＡｌＧａＮ層３５を順次成長させる。例文帳に追加

Lastly, a GaN layer 34 and an A1GaN layer 35 constituting a hetero structure are grown successively on the layer 33 by a hetero-structure manufacturing process. - 特許庁

成長工程Ｓ１０１では，半導体基板上に第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを液相エピタキシ法により順次成長させる。例文帳に追加

In the step S101, a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate by a liquid epitaxy method. - 特許庁

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。例文帳に追加

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction. - 特許庁

半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown. - 特許庁

その上に活性層１５および第２導電型の第４のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６を順次成長させ、発光ダイオード構造を形成する。例文帳に追加

An active layer 15 and a second conductive type forth GaN group III-V compound semiconductor layer 16 are grown in this order on the layer 14 to form a light emitting diode structure. - 特許庁

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。例文帳に追加

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。例文帳に追加

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained. - 特許庁

また、ｐ−Ｓｉ層２の他の一部の上に絶縁層９を積層し、その表面にｎ−ＧａＮ層１０とｐ−ＧａＮ層１１を順次、成長させてＧａＮのｐｎダイオードを作製し、そこをバルク領域とする。例文帳に追加

Further, an insulation layer 9 is laminated on the other part of the p-Si layer 2, an n-GaN layer 10 and a p-GaN layer 11 are sequentially grown on the surface of the insulation layer 9 to produce a GaN pn diode which is used for a bulk region. - 特許庁

成長マスクをエッチング除去した後、ｎ型ＧａＮ層１５を覆うように基板全面に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。例文帳に追加

After the growth mask is etched away, an active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are successively grown over the entire surface of the substrate, in such a manner as to cover the n-type GaN layer 15, to form a light-emitting device structure. - 特許庁

ｎ型ＧaＡs基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型下部クラッド層１２、活性層１３、p型上部クラッド層１４を順次成長させて発光部を構成する。例文帳に追加

The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method. - 特許庁

続いて、従来の方法と同様にして、ＭＯＣＶＤ法により、成長温度１０００℃で、活性層上に、ｐ型ＧａＮ光導波層２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２６、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２８を順次成長させる。例文帳に追加

Then, a p-type GaN optical waveguide layer 24, a p-type AlGaN clad layer 26, and a p-type GaN contact layer 28, are grown successively on the active layer at a 1,000°C growth temperature. - 特許庁

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。例文帳に追加

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a quantum well layer (MQW: multiple quantum well) 14 composed of GaN and GaNP, and a GaN layer 16, are made to grow on a board 10 in increasing order. - 特許庁

さらに欧州委員会が各国及びEUレベルの進ちょく状況についてとりまとめた結果を「年次成長報告（Annual Growth Survey）」として欧州理事会に提出することで、目標達成に向けた相互監視を行うこととされている。例文帳に追加

In addition, the European Commission will submit the results of examining the progress at national and EU levels in the form of an Annual Growth Survey to the European Council so that progress toward achievement of the targets can be mutually observed. - 経済産業省

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。例文帳に追加

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer. - 特許庁

電流ブロック層１６にストライプ状の電流狭窄領域を形成した後、電流ブロック層１６の上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第３のクラッド層１７及びｐ型ＧａＮ層よりなるコンタクト層１８を順次成長させる。例文帳に追加

After forming a striped shape current constricting region to the current block layer 16, a 3rd clad layer 17 made of a p-type AlGaN layer and a contact layer 18 made of a p-type GaN layer are sequentially grown on the current black layer 16. - 特許庁

ストッパ膜１０により、アモルファスシリコン膜１２０形成後に、低圧の反応室内で長時間保持されても、アモルファスシリコン膜の表面マイグレーションを防止し、表面上の微小なシリコン核が２次成長することを抑制する。例文帳に追加

Although the film 120 is kept in a low pressure reactor chamber for a long time after its formation, the stopper film 10 prevents the migration on the surface of the amorphous silicon film to suppress a secondary growth of a minute silicon core on the surface. - 特許庁

触媒物質層が形成された基板に１次カーボンナノチューブを成長させ、１次成長後にカーボンナノチューブの表面に存在する触媒物質を利用して１次カーボンナノチューブの表面に２次カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。例文帳に追加

A carbon nanotube is produced by the method that a primary carbon nanotube is grown on a substrate where a catalytic substance layer is formed and that, after the primary growing, a secondary carbon nanotube is grown on the surface of the primary carbon nanotube utilizing the catalytic substance existing on the surface of the grown primary carbon nanotube. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法を用いて上面に側面方向の幅が１０μｍ程度の凸部１１ａを有するサファイアよりなる基板１１Ａの上面に全面にわたって、Ａｌ_y Ｇａ_1-y Ｎよりなる第１の半導体層１２Ａと、Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎよりなる第２の半導体層１３とを順次成長させる。例文帳に追加

Extending over the entire surface of the upper surface of a substrate 11A made of sapphire, which has a projected part 11a having a width of about 10 μm in a side direction on the upper surface, a first semiconductor layer 12A composed of Al_yGa_1-yN and a second semiconductor layer 13 composed of In_xGa_1-xN are sequentially grown by a MOVPE method. - 特許庁

基板上にｎ型ＧａＮ層１５、活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、その上にｐ側電極１８を形成した後、これをマスクとしてこれらの半導体層をエッチングすることで大きさが２０μｍ以下の微小発光ダイオードを形成する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 15, an active layer 16, and a p-type GaN layer 17 are grown on a substrate in order, and after a p-side electrode 18 is formed thereon, these semiconductor layers are etched while the electrode 18 is used as a mask so as to form micro light emitting diodes of 20 μm or less in size. - 特許庁

本方法では、従来と同様にして、ＭＯＣＶＤ法により１０００℃で、ｃ面のサファイア基板上１２上に、ＧａＮバッファ層１４、ｎ型ＧａＮコンタクト層１６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、及びｎ型ＧａＮ光導波層２０を順次成長させる。例文帳に追加

A GaN buffer layer 14, an n-type GaN contact layer 16, an n-type AlGaN clad layer 18, and an n-type GaN optical waveguide layer 20, are successively grown on a (c) surface sapphire substrate 12 at 1,000°C by an MOCVD method, in the same way as conventional manner. - 特許庁

基板上にクラッド層、活性層を順次成長させる工程と、上記活性層上にリッジ部を構成する導電領域とこの導電領域の両側の高抵抗領域からなるリッジ型層を形成する工程と、からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザの製造方法にある。例文帳に追加

A ridge-type semiconductor laser device manufacturing method comprises the steps of sequentially growing a cladding layer and an active layer on a substrate; and forming a ridge-shaped layer on the active layer, which consists of a conductive region forming a ridge portion and high-resistance regions, disposed on both sides of the conductive region. - 特許庁

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。例文帳に追加

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire. - 特許庁

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。例文帳に追加

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode. - 特許庁

シリコン基板１１上にＴｉＮ薄膜１２を形成した後、ＴｉＮ薄膜１２上にＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４を両者が混在化するように堆積し、成長条件を変えてＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４からＣＮＴ１５，１６を順次成長させる。例文帳に追加

A method of manufacturing substrate structure includes the steps of forming a TiN thin film 12 on a silicon substrate 11, accumulating a Co particulate 13 and Ni particulate 14 both of which are mixed on the TiN thin film 12, and sequentially growing CNT 15 and 16 from the Co particulate 13 and Ni particulate 14 by changing the growth condition. - 特許庁

基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。例文帳に追加

After a buffer layer 11, a channel layer 12, a spacer layer 13, an electron supplying layer 14, and a contact layer 15 are sequentially grown on a substrate 10; the substrate 10 is taken out from the vapor growth apparatus, and a non-alloy contact layer 16 is additionally grown on the contact layer 15 with the other vapor growth apparatus to eliminate adverse effect of the memory effect. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。例文帳に追加

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask. - 特許庁