「"熱電半導体"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

熱電半導体材料または素子の製造方法および熱電モジュールの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR MATERIAL OR ELEMENT, AND MANUFACTURE OF THERMOELECTRIC MODULE - 特許庁

希土類ホウケイ化物からなるｎ型の熱電半導体であって高密度のものを提供する。例文帳に追加

To provide an n-type thermoelectric semiconductor which is made of a rare earth borosilicide and has a high density. - 特許庁

Ｐ型熱電半導体素子１０２ａとＮ型熱電半導体素子１０２ｂとを含む熱電変換素子１０２にフレキシブル配線１０４が接続された熱電変換モジュール１００であって、フレキシブル配線１０４は、Ｐ型熱電半導体素子１０２ａ及びＮ型熱電半導体素子１０２ｂの少なくとも一方の変位に伴って伸縮可能に構成されている。例文帳に追加

In the thermoelectric conversion module 100 where a flexible wiring 104 is connected with a thermoelectric conversion element 102 including a P-type thermoelectric semiconductor element 102a and an N-type thermoelectric semiconductor element 102b, the flexible wiring 104 is configured to be expandable/shrinkable with displacing at least one of the P-type thermoelectric semiconductor element 102a and the N-type thermoelectric semiconductor element 102b. - 特許庁

熱電半導体の劣化を防ぐ熱電モジュール及び発電装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thermoelectric module and a power generator which prevent deterioration of a thermoelectric semiconductor. - 特許庁

熱電半導体の製造方法、熱電変換素子の製造方法及び熱電変換装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR, THERMOELECTRIC CONVERTER, AND THERMOELECTRIC CONVERSION DEVICE - 特許庁

急速凝固／熱間圧縮法による熱電半導体材料の製造方法及び製造装置例文帳に追加

PRODUCTION METHOD OF THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR MATERIAL BY RAPID SOLIDIFICATION PROCESSING AND/OR HOT COMPRESSION PROCESSING AND PRODUCTION APPARATUS FOR THE SAME - 特許庁

熱電素子の製造過程で発生する、熱電半導体の変形や割れを防止する。例文帳に追加

To prevent the deformation or crack of a thermoelectric semiconductor being generated in the manufacturing process of a thermoelectric element. - 特許庁

そして組み合わせた熱電半導体の基台部を除去した後に絶縁樹脂を完全硬化する。例文帳に追加

Then, after the substrate part of the combined thermoelectric semiconductors is removed, the insulation resin is cured completely. - 特許庁

熱電半導体素子において、電極を、端部から側面にかけて挟み又は囲むようにして、電極と熱電半導体素子ユニットとの接触面積が広くなるようにする。例文帳に追加

In the thermoelectric semiconductor element, the electrodes sandwiches or surrounds it from its ends to its side face to increase the contact area between the electrodes and the thermoelectric semiconductor element unit. - 特許庁

ゼーベック効果、ペルチェ効果を有する熱電半導体素子と両端の電極とで構成した熱電半導体モジュールにおいて、ジュール熱損失を小さくして高能率低損失化する。例文帳に追加

To reduce a Joule's heat loss to achieve high efficiency and a low loss in a thermoelectric module constructed of a thermoelectric semiconductor element exhibiting a Seebeck effect and a Peltier effect and electrodes at both ends thereof. - 特許庁

基台部を有する組み合わせたｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体との間に液状の絶縁樹脂を注入し、そののち、この液状絶縁樹脂を半硬化してゲル状固体にする。例文帳に追加

A liquid insulation resin is injected between combined n-type and p-type thermoelectric semiconductors having a substrate part, and then is half cured into a gel-shaped solid. - 特許庁

熱電半導体の塑性加工方法において、酸化を抑制し、酸化による熱電半導体材料組成の変化に起因した性能劣化を防止すること。例文帳に追加

To prevent performance degradation caused by change in the thermoelectric semiconductor material composition caused by oxidation by suppressing oxidation, related to a method or a thermoelectric semiconductor. - 特許庁

製造過程における熱電半導体材料の性能の変化を抑えるのに有利であり、商業的製品として製品化するのに有利な熱電半導体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thermoelectric semiconductor advantageous for suppressing a change of the performance of a thermoelectric semiconductor material in a manufacturing process and advantageous for being made into a product as a commercial product, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

仕切板と、その仕切板に貫通された状態で固定された熱電半導体結晶と、その熱電半導体結晶の両端面に接続された電極とを具備した熱電素子において、仕切板の熱歪みを抑制する。例文帳に追加

To suppress heat distortion of a diaphragm in a thermoelement having: the diaphragm; a thermoelectric semiconductor crystal fixed in a state in which it penetrates the diaphragm; and electrodes connected to both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal. - 特許庁

セラミック板などの絶縁基板（２０）（２２）の間に複数個の熱電半導体（２４）（２６）対を挟み、該熱電半導体（２４）（２６）対を基板（２０）（２２）に取り付けられた電極（２８）（３１）（３３）に接続し、サーモ・モジュール（１８）を構成する。例文帳に追加

Pairs of thermoelectric semiconductors 24 and 26 are sandwiched in between ceramic insulating boards 20 and 22 and are connected to electrodes attached to the boards 20 and 22 to form a thermo module 18. - 特許庁

熱電変換素子１０は、ｎ型熱電半導体材料４０及びｐ型熱電半導体材料４１の複数対が、多孔性金属材料からなる電極３０，３１及び３２で接合している。例文帳に追加

In the thermoelectric transducer 10, a plurality of pairs of an n-type thermoelectric semiconductor material 40 and a p-type thermoelectric semiconductor material 41 are jointed to electrodes 30, 31, 32 composed of a porous metal material. - 特許庁

本発明のサーモモジュール１０は、放熱側のセラミック基板１１と冷却側のセラミック基板１２との間にＰ型熱電半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂを複数対接合して成る。例文帳に追加

A thermomodule 10 comprises a plurality of pair joints of a p-type thermoelectric semiconductor element 13a and an n-type thermoelectric semiconductor element 13b between a ceramic substrate 11 on a heat radiation side and a ceramic substrate 12 on a cooling side. - 特許庁

第１熱電半導体よりなるマトリックス２と，マトリックス２中に分散した第２熱電半導体よりなる分散粒子３とを有する組成物である。例文帳に追加

The composition includes a matrix 2 of a first thermoelectric semiconductor and particles 3 of a second thermoelectric semiconductor which are dispersed into the matrix 2. - 特許庁

熱電半導体チップと電極との半田付けにおいて、半田の塗布膜厚を均一化して熱電半導体チップを電極に取り付けた場合の高さばらつきを極小とし、熱電モジュールの組付け性を向上させること。例文帳に追加

To minimize variations in height, when a coated film thickness of solder is made uniform to fit a thermoelectric semiconductor chip on an electrode, and enhance an assembly property of the thermoelectric module in soldering the thermoelectric semiconductor chip with the electrode. - 特許庁

熱電半導体結晶202の略中央部を支持基板201により保持すると共に、熱電半導体結晶202の両端面に電極203，204を接続した構造を有する。例文帳に追加

The thermoelectric module has a structure that the nearly center portion of the thermoelectric semiconductor crystal 202 is held by the supporting substrate 201 and the electrodes 203, 204 are connected on both sides of the thermoelectric semiconductor crystal 202. - 特許庁

熱電半導体組成物の性能指数Ｚに関する全ての要因をほとんど犠牲にすることなく，性能指数Ｚを飛躍的に向上させることができる熱電半導体組成物及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To enable improving a performance index Z of a thermoelectric semiconductor composition, without essentially sacrificing all factors relating to the performance index Z. - 特許庁

通電手段により第１のＮ型熱電半導体２と第２のＮ型熱電半導体３への通電量を異ならせることで同一モジュール内に温度勾配を形成する。例文帳に追加

The electric power supply means supplies the electric power to the first N-type thermoelectric semiconductor 2 and second N-type thermoelectric semiconductor 3 by different power supply amounts to form the temperature gradient in the same module. - 特許庁

熱電半導体材料の種類に依存しない、熱応力による熱電半導体材料の割れを防止可能な熱電変換素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a thermoelectric transducer which is not dependent upon a type of thermoelectric semiconductor material and can prevent crackings of the thermoelectric semiconductor material due to a thermal stress. - 特許庁

ｎ型熱電半導体ブロック１を応力吸収部材１１を介してベース１０と接合し、ｐ型熱電半導体ブロック２を応力吸収部材２１を介してベース２０と接合する。例文帳に追加

An n-type thermoelectric semiconductor block 1 is bonded to a base 10 through a stress absorbing member 11 and a p-type thermoelectric semiconductor block 2 is bonded to a base 20 through a stress absorbing member 21. - 特許庁

熱電半導体部材１は、熱電半導体の溶湯を単ロール法、双ロール法、ガスアトマイズ法、遠心急冷法などにより急冷して作製した溶湯急冷材を、熱間押出してなる熱間押出成形材１ａを具備する。例文帳に追加

The thermoelectric semiconductor member 1 is provided with a hot extrusion molding member 1a formed by hot-extruding a melt quenching material prepared by quenching thermoelectric semiconductor melt by a single rolling method, a double rolling method, a gas atomizing method, a centrifugal quenching method, or the like. - 特許庁

熱電素子１は、仕切板２と、仕切板２を貫通した状態で仕切板１に固定された熱電半導体結晶３と、熱電半導体結晶３の上端にハンダにより接合された上側電極４と、熱電半導体結晶３の下端にハンダにより接合された下側電極５とを備えている。例文帳に追加

The thermoelement 1 is provided with the diaphragm 2, the thermoelectric semiconductor crystal 3 fixed to the diaphragm 1 in the state that it penetrates the diaphragm 2, the upper electrode 4 bonded to an upper end of the thermoelectric semiconductor crystal 3 by solder, and a lower electrode 5 bonded to a lower end of the thermoelectric semiconductor crystal 3 by solder. - 特許庁

本発明に係る電子枕１は、本発明に係る電子枕は、ペルチェ効果を有する熱電半導体素子とを備えている。例文帳に追加

This electronic pillow 1 is provided with a thermoelectric semiconductor element having Peltier effect. - 特許庁

上部電極２０とｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８との接続は、絶縁層５０の導電部５４を介して行われる。例文帳に追加

Connection of the upper electrode 20 and the n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18 is made through the conductive part 54 of the insulating layer 50. - 特許庁

酸素濃度が１００００ｐｐｍ以下であると、熱電半導体の酸化による性能劣化を顕著に抑制することができる。例文帳に追加

With oxygen concentration 10,000 ppm or below, the performance degradation due to oxidation of a thermoelectric semiconductor is significantly suppressed. - 特許庁

この結果、熱電半導体結晶３の破損及び電極４，５の剥離を防止できるので、熱電素子１の長寿命化を実現できる。例文帳に追加

Thus, damage of the thermoelectric semiconductor crystal 3 and peeling of the electrodes 4 and 5 are prevented, and therefore life of the thermoelement 1 is prolonged. - 特許庁

最後に、ｎ型とｐ型の熱電半導体素片の両端を露出させ、電極で直列接続して熱電素子を形成する。例文帳に追加

Finally, the n-type and p-type thermoelectric semiconductor pieces are exposed at the opposite ends and connected in series through an electrode thus forming a thermoelectric element. - 特許庁

製造工程にて加熱により溶解したホットメルト材により、熱電半導体結晶202が支持基板201に溶着される。例文帳に追加

The thermoelectric semiconductor crystal 202 is fixedly bonded on the supporting substrate 201 with the hot-melt material melted by heating in a manufacturing process. - 特許庁

熱電半導体の製造方法、熱電変換素子又は熱電変換装置の製造方法、並びにこれらの実施に用いる装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC CONVERTER OR CONVERSION DEVICE, AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF - 特許庁

放熱側と吸熱側とが仕切板により熱的に絶縁された熱電半導体素子の量産を可能にする。例文帳に追加

To enable a thermoelectric semiconductor device where a heat dissipating side and a heat absorbing side are thermally isolated from each other by a partition plate to be mass-produced. - 特許庁

最後に基台を削り、露出したｎ型とｐ型の熱電半導体素片間を電極で直列接続して熱電素子を形成する。例文帳に追加

Finally, a base is cut, and exposed n-type and p-type thermo-semiconductor element pieces are connected in series by an electrode, and a thermo-element is formed. - 特許庁

その結果、同一の条件下で作製された熱電半導体の各焼結体の性能指数のばらつきを抑えることができる。例文帳に追加

As a result, the deviation in performance index of sintered bodies of a thermoelectric semiconductor manufactured under the same condition is suppressed. - 特許庁

多段階熱処理により変換効率を改良する新規な熱電半導体組成物の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing thermoelectric semiconductor composition for improving conversion efficiency, using a multiple-level heat treatment processing. - 特許庁

本発明は、希土類ホウ炭化物からなるｎ型の熱電半導体であって高密度のものを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an n-type thermoelectric semiconductor which is made of a rare earth boron carbide, and has a high density. - 特許庁

希土類ホウ炭化物からなり、高ゼーベック係数などの高性能を発揮するｎ型熱電半導体を提供する。例文帳に追加

To provide an n-type thermoelectric semiconductor consisting of a rare earth boron carbide and exhibiting high performance, e.g. a high Seebeck coefficient. - 特許庁

加圧と同時に間接加熱方式で加熱する場合において、同品質の熱電半導体材料を製造すること。例文帳に追加

To manufacture a thermoelectric semiconductor material which is of constant quality when heated by an indirect heating method while pressurized. - 特許庁

従って、内空部８にセットされた熱電半導体の原料粉末１０の温度に基づき、温度制御ができる。例文帳に追加

Thus, a temperature is controlled based on the temperature of material powder 10 of thermoelectric semiconductor set in the inner space part 8. - 特許庁

熱電性能の向上に有効な熱電半導体材料または素子の製造方法および熱電モジュールの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thermoelectric semiconductor material or element that is effective for improving thermoelectric performance, and a method for manufacturing a thermoelectric module. - 特許庁

熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent a reduction of a mechanical strength caused from a soldering defect of an electrode in a thermoelectric module having a structure that a nearly center portion of a thermoelectric semiconductor crystal is held by a substrate and electrodes are connected on both sides of the thermoelectric semiconductor crystal. - 特許庁

分散粒子３の平均粒径Ｄは，第２熱電半導体の単結晶におけるキャリアの平均自由行程をＡ，第２熱電半導体の単結晶における長波長フォノンの平均自由行程をＢとした場合，Ａ＜Ｄ＜Ｂである。例文帳に追加

A mean particle diameter D of the dispersed particles 3 satisfies the relation A<D<B, where A denotes the mean free path of carriers in a single crystal of the second thermoelectric semiconductor, and B denotes the mean free path of long-wavelength photons in a single crystal of the second thermoelectric semiconductor. - 特許庁

本発明では、ｐ型とｎ型の熱電半導体がエポキシ樹脂を介して交互に配置し、熱電素子全面に形成した導電材をダイシングソーやワイヤーソーで切断し、その導電材によりそれぞれの熱電半導体が電気的に直列に連結している構造となっており、熱応力に強く、信頼性の高い熱電素子を得ることができる。例文帳に追加

Thus, the element being strong against the thermal stress and high reliability can be obtained. - 特許庁