「"異方的"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

配向組織または異方的組織を有する材料の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING MATERIAL HAVING ORIENTED STRUCTURE OR ANISOTROPIC STRUCTURE - 特許庁

これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。例文帳に追加

As a result, it becomes possible to change directivity of the etching (between isotropic etching and anisotropic etching). - 特許庁

パターンＲ１と被処理膜Ｆ上に、シリコン窒化膜Ｎを異方的に形成する（図７（ｂ））。例文帳に追加

A silicon nitride film N is anisotropically formed on the pattern R1 and the processing film F (Fig.7(b)). - 特許庁

この異方的な歪みにより、活性層１０５レーザ光の偏光方向を制御することができる。例文帳に追加

The polarization direction of laser light in an active layer 105 can be controlled by the anisotropic strain. - 特許庁

照射する光が異方的な光である場合には、異方性を有する液晶配向膜が得られる。例文帳に追加

In the case that the irradiating light is an anisotropic light, a liquid crystal- orienting membrane having an anisotropy is obtained. - 特許庁

スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching method capable of anisotropically etching a copper with high throughput. - 特許庁

これによって、多数の異方的形状の光吸収部を利用した偏光子が得られる。例文帳に追加

As a result, the polarizer utilizing a multiplicity of the light absorption sections having the anisotropic shapes is obtained. - 特許庁

光により分子構造若しくは分子配列の異方的な変化を生じる光応答性成分を含有する光応答性材料４上に（ａ）前記応答性材料の表層側の異方的な分子配列及び／又は（ｂ）前記光応答性材料の異方的な表面形状を形成し、これらの異方的構造に基づいて微小物体８を固定する。例文帳に追加

On a photoresponsive material 4 containing a photoresponsive component that produces by light an anisotropic change in the molecular structure or molecular orientation, there is formed (a) an anisotropic molecular orientation in the surface layer side of the photoresponsive material and/or (b) an anisotropic surface shape of the photoresponsive material, and based on these anisotropic structures the microscopic object 8 is fixed. - 特許庁

ホログラム・パターンは光入射面に平行な方向に異方的に光の拡散作用を有している。例文帳に追加

The hologram pattern has a light diffusion action anisotropically in a parallel direction with a light incident face. - 特許庁

銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching method capable of anisotropically etching a copper. - 特許庁

電極等の表面を異方的に微細エッチングしあるいは異方的に分子結合を破壊することにより、液晶の配向規制力を付与しているので、配向均一性が劣化することがなく、信頼性が向上する。例文帳に追加

Because aligmnent controllability of a liquid crystal is imparted with anisotropic fine etching of the surface of the electrodes or the like or anisotropic breaking of molecular bonds, alignment uniformity is not deteriorated and reliability is improved. - 特許庁

物理的手段によりフラーレン骨格に異方的歪みを付与することを特徴とする、フラーレン類の光遷移量子効率の向上方法。例文帳に追加

The method for increasing the quantum efficiency of light transition of fullerens comprises imposing an anisotropic strain on the fullerene skeleton by a physical means. - 特許庁

シリコン基板を選択的に且つ異方的にウェットエッチングする際にエッチング形状の悪化やエッチングマスクの亀裂を防ぐ。例文帳に追加

To prevent deterioration of an etching form and crack of an etching mask when a silicon substrate is selectively and anisotropically wet-etched. - 特許庁

異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily and practically forming a Cu barrier film on an anisotropically-etched copper film. - 特許庁

また、モノマーの低沸点溶媒からなる溶液を基板に塗布した後、異方的な光を照射してモノマーを重合させる。例文帳に追加

The monomer is polymerized by irradiating the monomer with the anisotropic light after coating a solution comprising the monomer and a solvent having low boiling point to a substrate. - 特許庁

半導体基板１０１および共振器１２０に湾曲させることにより、半導体基板１０１および共振器１２０に異方的な歪みを付加する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 101 and the resonator 120 are bent and applied with anisotropic strain. - 特許庁

プラズマダメージを与えることなく、フォトレジストをプラズマ処理にて異方的に高精度にアッシングすることを可能とする。例文帳に追加

To enable anisotropic ashing of a photoresist in high precision, without causing plasma damages. - 特許庁

ドライエッチング法によりシリコン窒化膜６、熱酸化膜４及びシリコン基板２を異方的にエッチングしトレンチを形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film, a thermal oxide film 4, and the silicon substrate 2 are etched anisotropically by dry etching method so as to form a trench. - 特許庁

これにより、多層膜３１，３２の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生する。例文帳に追加

This configuration causes an anisotropic stress corresponding to the non-uniform distribution of the multilayers 31, 32 to be created in the active layer 15. - 特許庁

本発明は半導体ウェハの所望の部位を高い選択比で精度良く異方的にエッチングするための半導体装置の製造方法に関する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device that accurately and anisotropically etches the desired site of a semiconductor wafer with high selection ratio. - 特許庁

酸化層３１Ａ，３２Ａの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１６に発生する。例文帳に追加

Anisotropic stress corresponding to the nonuniform distribution of the oxidation layers 31A and 32A is generated in the active layer 16. - 特許庁

適用範囲が拡大された、磁場を利用した配向組織または異方的組織を有する材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a material having oriented structure or anisotropic structure and also having a wide range of application by using magnetic fields. - 特許庁

このエッチングは異方的に進行し、断面がＶ形状で紙面垂直方向に延びたＶ溝３０が形成される。例文帳に追加

The etching advances in an anisotropic manner and a V groove 30 extending perpendicularly to the face of paper with a V-shaped cross section is formed. - 特許庁

異方的なプラズモン共鳴を利用することにより、動作波長より小さい厚さの極小な偏光制御素子を提供する。例文帳に追加

To provide a micro-sized polarization control element of which the thickness is smaller than an operating wavelength, by using anisotropic plasmon resonance. - 特許庁

熱伝導率が異方的なヒートシンクに、電子素子が放熱性良く実装された電子装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electronic device having an electronic element mounted on a heat sink, having anisotropic thermal conductivity, with good heat dissipation. - 特許庁

基体１０上に斜め蒸着により多数の異方的形状の微小柱状体１２を形成する。例文帳に追加

A multiplicity of very small columnar bodies 12 each having an anisotropic shape are formed by diagonal vapor deposition on a substrate 10. - 特許庁

また、本発明は、上記製造法等により得られる異方的に相分離した二元金属ナノ粒子に関する。例文帳に追加

The bimetallic nanoparticle having the separated anisotropy phases are obtained through the manufacturing method. - 特許庁

第１のメモリ層表面上の導電層は、厚さ方向に異方的に増大する電気伝導度を有する。例文帳に追加

A conductive layer on the 1st memory layer surface has electric conductivity anisotropically increasing in the direction of thickness. - 特許庁

磁気異方性を有する材料に非平衡組織を形成する工程と、前記非平衡組織を有する材料を磁場中で焼鈍して、磁気異方性に従って配向組織または異方的組織を形成する工程とを含むことを特徴とする配向組織または異方的組織を有する材料の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the material having oriented structure or anisotropic structure comprises steps of forming nonequilibrium structure in a material having magnetic anisotropy and applying magnetic annealing to the above material having nonequilibrium structure to form oriented structure or anisotropic structure according to magnetic anisotropy. - 特許庁

前記基板を、少なくとも等方的熱伝導層と異方的熱伝導層よりなる２層以上の構成とし、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より２倍以上大きく、かつその異方性が１０倍以上とする事で。例文帳に追加

The heat conductivity of the anisotropic heat conduction layer in a high heat conductivity direction is two or more times larger than that of the isotropic heat conduction layer, and the anisotropy of heat conductivity in the anisotropic heat conduction layer is ten times larger, thereby obtaining the substrate with a better heat dissipation effect than that obtained when the isotropic heat conductor is only used alone. - 特許庁

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。例文帳に追加

The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103. - 特許庁

基板を、少なくとも等方的熱伝導層１６、１７と異方的熱伝導層１５よりなる２層以上の構成とし、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より２倍以上大きく、かつその異方性が１０倍以上とする事で、ＬＥＤチップから発生する熱を効率良く放熱する。例文帳に追加

The heat conductivity of the anisotropic heat conduction layer in a high heat conductivity direction is two or more times larger than that of the isotropic heat conduction layers, and the anisotropy of heat conductivity in the anisotropic heat conduction layer is 10 times larger, thereby efficiently dissipating heat generated from an LED chip. - 特許庁

電解酸化重合法により、高い異方的導電性を有する高分子膜を得ることのできる、導電性高分子膜の異方性導電性の制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a control method of anisotropic conductivity of a conductive polymer film capable of obtaining a polymer film having high anisotropic conductivity by an electrolytic oxidation polymerization method. - 特許庁

活性物質でロードしたイオン交換樹脂を含み、該活性物質が前記イオン交換樹脂粒子中に異方的に分布している迅速放出レジネート組成物。例文帳に追加

This rapid release resinate composition comprises an ion exchange resin loaded with the active substance which is anisotropically distributed throughout the ion exchange resin particles. - 特許庁

マスク２４を用い且つＴＭＡＨ等のアルカリエッチング液を用いて基板１０を選択的に且つ異方的にエッチングして基板開口部１０Ａを形成する。例文帳に追加

Using the mask 24 and an alkaline etchant such as a TMAH, the substrate 10 is selectively and anisotropically etched to form a substrate opening part 10A. - 特許庁

スループット良く、銅を異方的にエッチングすることを可能とするとともに、銅を用いたバンプ電極を短時間で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method enabling to perform anisotropic etching on a copper with good throughput and to form a bump electrode using the copper in a short time. - 特許庁

歪み付加部１９は共振器１０Bに異方的な応力をあたえ、歪ませることによって、複屈折、利得の偏光依存性を共振器１０A内に生じさせる。例文帳に追加

The strain adding part 19 applies anisotropic stress to the resonator 10B thus causing the polarization dependency of birefringence and a gain in a resonator 10A. - 特許庁

本発明は、アルカンチオール等のチオール化合物の存在下、２種の金属塩、（例えばＣｏ塩とＰｄ塩）を高温でポリオール還元することを特徴とする、異方的に相分離した二元金属ナノ粒子の製造法に関する。例文帳に追加

The method for manufacturing the bimetallic nanoparticle having the separated anisotropy phases includes reducing two metallic salts (for instance a Co salt and a Pd salt) with a polyol at a high temperature, in the presence of a thiol compound such as an alkanethiol. - 特許庁

異方的な反りが生じる窒化物系半導体基板を用いて素子を形成する場合に、製造歩留の低下を抑制することが可能な基板ホルダを提供する。例文帳に追加

To provide a substrate holder for suppressing deterioration in manufacturing yield at the time of forming an element using a nitride system semiconductor substrate in which anisotropic warp is generated. - 特許庁

本発明は、これまでに合成されたことのない、異方的な相分離構造を有する二元金属ナノ粒子とその製造法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a bimetallic nanoparticle having a structure consisting of separated anisotropic phases, which has not been previously synthesized, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

本発明は、類似度分布が異方的な場合でも、計算を複雑化することなく、実時間での高速処理を行い、高精度な位置計測を実現する、サブピクセル精度の位置合わせ方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a positioning method and device of sub-pixel precision capable of performing a high speed processing in a real time without complicating calculation even when similarity distribution is anisotropic and realizing a highly precise position measurement. - 特許庁

第１の凹部３の側部に第２の絶縁膜５を残しつつ第１の凹部３の底部が露出するまで第１の絶縁膜２の表面上に設けられた第２の絶縁膜５を主にその膜厚方向に沿って異方的に除去する。例文帳に追加

With leaving the second insulation film 5 at the sides of the first recesses 3, the second insulation film 5 provided on the surface of the first insulation film 2 is anisotropically removed mainly in its thickness direction until the bottom of the first recess 3 is exposed. - 特許庁

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。例文帳に追加

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement. - 特許庁

エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。例文帳に追加

Through switching between a frequency, at which the isotropic etching is performed, and a frequency at which the anisotropic etching is performed, it becomes possible to form a pattern having a uniform inner diameter by suppressing enlargement and reduction of the pattern. - 特許庁

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができるエッチング方法を提供せんとするものである。例文帳に追加

To provide a method of etching which can make etching anisotropically to the direction of film thickness in a short time resulting in uniform and nice profile of etching. - 特許庁