「"表面再結合"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

こうして、ｎ型半導体層２の表面におけるダングリングボンドの存在や不純物準位の存在等による少数キャリアの表面再結合を従来のバイオレットセルの場合よりも大幅に低減する。例文帳に追加

Thus, the surface rejoint of minority carriers due to dangling bond or impurity level or the like on the surface of the n-type semiconductor layer 2 is significantly reduced than that in a conventional violet cell. - 特許庁

電極接続部と、基板とは異なる導電性を有する半導体層の間の表面再結合の生じる領域を小さくした光発電素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a photoelectric generating element wherein a surface- recombination generating region present between its electrode connection portion and a semiconductor layer having a different conduction type from its substrate is made small. - 特許庁

表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。例文帳に追加

For suppression of the surface recombination, improvement is expected by making an N2 gas as an introduced gas uniformly flow into a wafer in a wafer boat when the wafer boat is carried outside. - 特許庁

表面再結合損に起因する量子効率の低下を効果的に防止することのできる半導体受光素子、およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor photodetector which is surely prevented from deteriorating in quantum efficiency due to a surface recombination loss and a manufacturing method thereof. - 特許庁

表面再結合とバルクの再結合とを区別することを可能とし、バルクの少数キャリアの再結合ライフタイムτ_r を区別して測定できる事を可能とし，ウェハ基板内の金属汚染であるかどうかの選別できるようにする。例文帳に追加

To determine metal contamination in a wafer substrate by discriminating between surface recombination and recombination of the bulk, and discriminatingly measuring a recombination lifetime τ_r of minority carriers of the bulk. - 特許庁

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it. - 特許庁

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer. - 特許庁

半導体ウェーハの表面再結合速度とバルクライフタイムをウェーハに何らの処理を施すことなく非接触、非破壊で分離測定できる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for separate measurement, in non-contact and non-destructive manner, of the surface re-connection speed of a semiconductor wafer and bulk life time, with no process on the wafer. - 特許庁

これにより、空孔１６の内壁付近において正孔と電子が再結合して光ではなく熱を発生すること（表面再結合）を抑えることができ、発光効率及びエネルギー効率を高めることができる。例文帳に追加

Consequently, generation of heat (surface recombination) instead of light, due to recombination of the holes and electrons near the inner wall of the holes 16 can be suppressed and thereby the light emission efficiency and energy efficiency can be improved. - 特許庁

ピニング層１０７は、ｎ^＋層である蓄積ダイオード１０４とは反対の導電型であるｐ^＋層であって、電荷の表面再結合を抑制する役割を果たす。例文帳に追加

The pinning layer 107 is a p^+ layer of a conductivity type opposite to the storage diode 104 which is an n^+ layer and plays the role of suppressing the surface recombination of the charges. - 特許庁

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed. - 特許庁

Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのサイドウォール形成時にバイポーラトランジスタ形成領域のシリコン部分の露出を防いで、表面再結合電流の増加による低電流でのｈ_FEの低下、信頼性の悪化を改善する。例文帳に追加

To improve lowering of hFE and degradation in reliability with a low current caused by the increase of a surface recoupling current by preventing the exposure of a silicon part in a bipolar transistor forming area when forming the sidewall of an MOS transistor in a Bi-CMOS process. - 特許庁

開孔領域で発生した光キャリアは、微小な電界に加速され走行するため表面再結合による顕著な効率劣化がなく、また走行時間を考慮して開孔幅を設計することにより所望の高速特性も得られる。例文帳に追加

An optical carrier producing in the open-hole areas travels while being accelerated by micro electric field, so that no significant degradation of efficiency occurs due to surface re-joint, and optional high speed characteristic can be ensured by designing the width of an open hole in consideration of travelling time. - 特許庁

本発明は、フォトダイオードと読み出しゲートとを有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、表面再結合を抑制するためのサーフェスシールド層を読み出しゲートに隣接させて設けた場合の、読み出し電圧の高電圧化を回避できるようにすることを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

To make feasible avoiding the increase in reading out voltage in the case of adjacently providing a surface shield layer for suppressing surface recouping to a read out gate in a CMOS image sensor having a photodiode and the read out gate. - 特許庁

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。例文帳に追加

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss. - 特許庁

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。例文帳に追加

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination. - 特許庁

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process. - 特許庁

上記方法で処理を行うとウェハボート内のウェハに均一な流れのN2ガスがウェハ表面に導入されて、ウェハ本体の表面再結合とバルクの再結合とを区別することが可能となり、金属汚染管理がより正確な結果を得る事が可能となる。例文帳に追加

When processing is carried out by the method, the N2 gas which uniformly flows is introduced to a surface of the wafer in the wafer boat to discriminate between the surface recombination of the wafer body and the recombination of the bulk, thereby obtaining a more accurate result through metal contamination management. - 特許庁

電極の構造及びその製造方法によって、電極幅を低減して電極占有面積を縮小しながら、電極断面積を確保して、光電変換効率を向上させるとともに、電極周辺の表面再結合を低減することができ、さらに、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a photoelectric converter which is fabricated inexpensively by a convenient and simple process, and in which photoelectric conversion efficiency is enhanced while reducing surface recombination on the periphery of an electrode by ensuring the cross-sectional area of the electrode while reducing the occupation area thereof by reducing the width of the electrode depending on the structure and fabrication process of the electrode, and also to provide its fabricating process. - 特許庁

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。例文帳に追加

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere. - 特許庁

光電変換素子である薄膜太陽電池で、受光面と反対側の半導体表面におけるキャリアの表面再結合速度は大きく、これが、開放電圧低下の一因となっていたので、その受光面と反対の面の半導体表面を不活性化してその影響を取り除き、太陽電池の効率を向上させることを目的にする。例文帳に追加

To enhance the efficiency of a photoelectric element, i.e., a thin film solar cell, having a high surface recombination rate of carriers on the surface of a semiconductor opposite to the light receiving face causing open voltage drop by inactivating the surface of the semiconductor opposite to the light receiving face thereby eliminating the influence thereof. - 特許庁