「"障壁高さ"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ショットキー電極とパッド電極との間に、炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さが、ショットキー電極と炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さ以上である中間金属膜を設けた。例文帳に追加

Between the Shottky electrode and the pad electrode, an intermediate metal film is provided in which the height of the Shottky barrier with the silicon carbide epitaxial film is equal to or higher than that of the shottky barrier with the Shottky electrode and the silicon carbide epitaxial film. - 特許庁

障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。例文帳に追加

The clad layer 6 contains more constituent elements than an n-type clad layer 2 does, and the potential difference of the conduction band end between the clad layer 6 and active layer 4 is larger than that at the conduction band end between the clad layer 2 and active layer 4. - 特許庁

ＧａＰのシリコン内を移動する電子に対する障壁高さは、酸化シリコンの障壁高さ（３．１ｅＶ）よりも小さいので、ピーク電流が大きいままで熱励起電流の低減を実現することができ、負性抵抗領域におけるＰＶ比が向上する。例文帳に追加

The height of the barrier to the electrons shifting within the silicon of GaP is smaller than the height (3.1 eV) of the barrier of silicon oxides, so the reduction of thermally excited currents can be materialized, with the peak current kept large, and the PV ratio in the negative resistance region rises. - 特許庁

ナイトライド系半導体では、ＧａＡｓ及びＳｉとは異なり、金属の仕事関数Φ_Mに対してショットキー障壁高さΦ_Bが顕著に変化する。例文帳に追加

In a nitride-based semiconductor, the height of a Schottky barrier Φ_B markedly changes with respect to the work function of a metal Φ_M, unlike GaAs and Si. - 特許庁

これにより、ヘテロ半導体領域３とドリフト領域２のヘテロ接合部の障壁高さよりも高い接合となるために、漏れ電流が生じず、本来のヘテロ接合が示すＩＶ波形を得ることができる。例文帳に追加

Consequently, since the junction is higher than the barrier of the hetero-junction part between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2, no leakage current arises and a IV waveform shown by the original hetero junction can be obtained. - 特許庁

この発明は、ショットキー障壁高さや理想係数値といった特性を良好な値に保ちつつ、耐熱性に優れた電極を備えるトランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a transistor having an electrode which has an excellent heat resistant property while keeping good characteristic values for the Schottky barrier height, the ideal coefficient, etc. - 特許庁

これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０、ｐＭＯＳＦＥＴ２０それぞれに適したショットキー障壁高さを実現することが可能になり、高速のＣＭＯＳＦＥＴ１が得られる。例文帳に追加

Thus, the height of Schottky barrier appropriate for the nMOSFET10 and pMOSFET20 is realized for a high speed CMOSFET1. - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture. - 特許庁

電極３のうち少なくとも１つは、半導体層２との間に光６のフォトンエネルギー以下の障壁高さを持つショットキー接合を形成する。例文帳に追加

At least one of the electrodes 3 forms a Schottky junction having a barrier height not more than that of the photon energy of the light 6 between the electrode and the semiconductor layer 2. - 特許庁

半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。例文帳に追加

This semiconductor leaser is provided with an n-type Al_xGa_xAs clad layer 2 below an active layer 4, and a p-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP clad layer 6 for controlling barrier height above the active layer 4. - 特許庁

井戸層１４ｗのバンドギャップを狭くして、井戸層１４ｗの電子の量子準位と障壁層１４ｂの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔＥｃを十分に確保する。例文帳に追加

The band gap of the well layer 14w is narrowed to secure a sufficient effective barrier height ΔEc between the quantum level of an electron in the well layer 14w and the conduction band of the barrier layer 14b. - 特許庁

ｎ因子を増加させることなく、ショットキー障壁高さを電力損失が最小となる範囲内において所望の値に制御可能な、ショットキー電極としてＴａ電極を用いた炭化珪素ショットキー接合型半導体素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide Schottky junction semiconductor device capable of controlling a Schottky barrier height to a desired value, in a range of making a power loss minimum without increasing n-factors while using a Ta electrode as a Schottky electrode, and its manufacturing method. - 特許庁

カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。例文帳に追加

With the electronic device having BCN thin films 10, 15 formed on a cathode electrode, a potential barrier height at an interface between the BCN thin films and the cathode electrode is made low by changing a composition of the BCN thin films within the film, whereby, electron affinity on a film surface is made smaller. - 特許庁

前記Ｐｔ層１０を前記固定磁性層４と前記絶縁障壁層５との間に介在させると、前記絶縁障壁層５の障壁高さ（ポテンシャル高さ）や障壁幅（ポテンシャル幅）に変化が生じると考えられ、これにより、ＶＣＲの絶対値を小さくできる。例文帳に追加

It is supposed that interposing of the Pt layer 10 between the fixed magnetic layer 4 and the insulating barrier layer 5 will cause the barrier height (potential height) and the barrier width (potential width) of the insulating barrier layer 5 to change, and the absolute value of the VCR can be reduced by this. - 特許庁

半導体基板１０１上に活性層１０６を含む積層構造が形成された半導体レーザ装置において、活性層１０６に電流を注入する経路中に、キャリア密度によって障壁高さまたは障壁幅が周期的に変化するキャリア障壁層１０２が設けられている。例文帳に追加

In the semiconductor laser device having a laminated structure containing an active layer 106 formed on a semiconductor substrate 101, a carrier barrier layer 102 the barrier height or width of which periodically changes depending on carrier density is provided in the route through which a current is injected into the active layer 106. - 特許庁

熱電材料表面あるいは熱電材料に対向する表面を改質したり、表面に尖塔を施したりすると、尖塔先端から作業物質が空間に飛出る際の熱励起障壁高さの低減乃至トンネル障壁幅の低減が可能にする。例文帳に追加

If a thermoelectric material surface or a surface confronted to the thermoelectric material is modified or the surface is steepled, a thermal excitation barrier height or a tunnel barrier width can be reduced in emitting the working material from the distal end of steeples to the space. - 特許庁