「"CARBON CONCENTRATION"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MEASURING CARBON CONCENTRATION OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

半導体結晶の炭素濃度測定方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CARBON CONCENTRATION IN POLYCRYSTAL SILICON例文帳に追加

多結晶シリコン中の炭素濃度測定方法 - 特許庁

The carbon concentration is determined in the cut piece.例文帳に追加

その切片の炭素濃度は決定される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING STEEL WITH ADJUSTED SURFACE CARBON CONCENTRATION例文帳に追加

表面炭素濃度が調整された鋼材の製造方法 - 特許庁

The average carbon concentration N_C2 of the gallium-nitride-based semiconductor region of the flattening layer 21 is greater than the average carbon concentration N_C1of the light-emitting layer 17.例文帳に追加

平坦化層の窒化ガリウム系半導体領域の平均炭素濃度Ｎ_Ｃ２は発光層１９の平均炭素濃度Ｎ_Ｃ１より大きい。 - 特許庁

To provide a method for measuring carbon concentration, by which a carbon concentration in silicon can be measured with high accuracy in a short time at a low cost.例文帳に追加

シリコンの炭素濃度を高精度、短時間かつ低コストで測定することが可能な炭素濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

The light-emitting layer 17 contains carbons at a carbon concentration of N_C1.例文帳に追加

で表され、発光層１９の炭素濃度Ｎ_Ｃ１の炭素を含む。 - 特許庁

CARBON CONCENTRATION PROFILE ESTIMATION METHOD OF ROLLED STEEL DECARBURIZED LAYER例文帳に追加

圧延鋼材脱炭層の炭素濃度プロフィル推定方法 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD FOR CARBON CONCENTRATION IN SILICON CRYSTAL, AND SILICON WAFER例文帳に追加

シリコン結晶中の炭素濃度の測定方法およびシリコンウエハ - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING TOTAL ORGANIC CARBON CONCENTRATION IN LIQUID例文帳に追加

液中の全有機炭素濃度測定方法及び測定装置 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CONTINUOUS TYPE TOTAL ORGANIC CARBON CONCENTRATION, AND DEVICE THEREOF例文帳に追加

連続式全有機炭素濃度測定方法及びその装置 - 特許庁

To provide a method by which a GaAs single crystal in which the carbon concentration at the upper end part is set to a target value can be produced in a short time even when high carbon concentration is required as the carbon concentration in the crystal.例文帳に追加

結晶中の炭素濃度として、高い炭素濃度が要求される場合であっても、結晶上端部で炭素濃度が目標値に設定されたＧａＡｓ単結晶を短時間に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

When formed by dry etching in a laminate structure comprising a high carbon concentration insulating film 114 and a low carbon concentration insulating film 116 containing no carbon or having a low carbon concentration, the groove is formed in the low carbon concentration insulating film 116 under a first etching condition using a first etching gas to which a CHF-based gas is added, and then a high carbon concentration insulating film 114 is exposed from a wiring groove bottom part.例文帳に追加

高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。 - 特許庁

The gallium nitride epitaxial layer 45 has a carbon concentration less than 2×10^16 cm^-3.例文帳に追加

窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は２×１０^１６ｃｍ^−３未満の炭素濃度を有している。 - 特許庁

The sum of carbon concentration and nitrogen concentration in the surface layer part is 0.8 to 2 mass%.例文帳に追加

表層部の炭素濃度と窒素濃度との和は、０．８質量％以上２質量％以下となっている。 - 特許庁

METHOD FOR ESTIMATING MOLTEN STEEL TEMPERATURE AND CARBON CONCENTRATION AT BLOWING TIME IN CONVERTER, AND BLOWING METHOD IN CONVERTER例文帳に追加

転炉吹錬時の溶鋼温度および炭素濃度の推定法、および転炉吹錬法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING STEEL HAVING CARBON CONCENTRATION-CONTROLLED STEEL SURFACE例文帳に追加

炭素濃度制御された鋼表面を有する鋼材の製造方法及び製造装置 - 特許庁

Also, the nitrogen concentration N% and the carbon concentration C% in the surface layer part satisfy the inequality of (N%+0.23)/C%≥0.33.例文帳に追加

また、表層部の窒素濃度Ｎ％と炭素濃度Ｃ％とが（Ｎ％＋０．２３）／Ｃ％≧０．３３なる式を満足する。 - 特許庁

To shorten the operation time, to reduce cost, and to stably decrease carbon concentration in single-crystal silicon.例文帳に追加

工程時間を短くし、コストを減らし、単結晶シリコン中の炭素濃度を安定して低くする。 - 特許庁

CARBON CONCENTRATION DISTRIBUTION MEASURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF CARBURIZED MEMBER USING IT例文帳に追加

炭素濃度分布測定方法およびこれを用いた浸炭部材の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CARBON CONCENTRATION IN SILICON PRODUCT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON PRODUCT USING THE SAME例文帳に追加

シリコン試料中の炭素濃度の測定方法及びそれを利用したシリコン製品の製造方法 - 特許庁

To efficiently reduce the carbon concentration present in a semiconductor thin film, without requiring special manufacturing processes.例文帳に追加

特殊な製造プロセスを必要とせずに半導体薄膜中の炭素濃度を効率的に低下させる。 - 特許庁

Thereby, a silicon wafer provided with accurate impurity carbon concentration can be provided.例文帳に追加

また、これにより、精度の高い不純物炭素濃度を付したシリコンウェハを提供することができる。 - 特許庁

Carbon concentration N_C in the drift layer 15 is not more than 3×10^16 cm^-3.例文帳に追加

ドリフト層１５内における炭素濃度Ｎ_Ｃは３×１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

A carburized layer in which a carbon concentration is made higher than that in the starting material is formed for the hardened layer of the rolling grooves 4.例文帳に追加

転動溝４の硬化層に母材の炭素濃度よりも増加させて浸炭層を形成した。 - 特許庁

A drain electrode 17 is directly bonded to a surface of the high carbon concentration SiC layer 3.例文帳に追加

そして、その高カーボン濃度ＳｉＣ層３の表面にドレイン電極１７を直接接合する。 - 特許庁

The carrier-supplying layer 104 has a carbon concentration that exceeds 2×10^17 cm^-3.例文帳に追加

キャリア供給層１０４は、カーボン濃度が２×１０^１７ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

The monitoring apparatus 101 of dioxins includes an unburned carbon concentration-measuring apparatus 103 for measuring unburned carbon concentration in processed ash, and a data-processing apparatus 104 for calculating the concentration of dioxins from the set unburned carbon concentration using the relative relationship between the unburned carbon concentration in the processed ash and the dioxins concentration.例文帳に追加

処理灰中の未燃炭素濃度を測定する未燃炭素濃度測定装置１０３と、処理灰中の未燃炭素濃度とダイオキシン類濃度との相関関係を用いて、該測定された未燃炭素濃度からダイオキシン類濃度を計算するデータ処理装置１０４とを含むダイオキシン類のモニタリング装置１０１を提供する。 - 特許庁

To provide a method for estimating carbon concentration in molten steel with which the precision of decarburize-oxygen efficiency showing the behavior of blowing during performing, is improved and the carbon concentration during blowing is preciously estimated.例文帳に追加

実施中の吹錬の挙動を表す脱炭酸素効率モデルの精度を向上させ、吹錬中の炭素濃度を精度良く推定する、溶鋼炭素濃度推定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a carbon concentration distribution measuring method capable of determining simply a carbon concentration distribution in a steel after carburization by nondestructive inspection, and a manufacturing method of a carburized member using it.例文帳に追加

非破壊検査により浸炭後の鋼の炭素濃度分布を簡便に求めることができる炭素濃度分布測定方法およびこれを用いた浸炭部材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for estimating a carbon concentration at blowing time in a converter, concretely, a carbon concentration after tapping molten steel, by which in the case of adjusting the components at the blowing in the converter, the steel tapping into a ladle and further, a secondary refining, etc., the load of this adjustment of composition can be reduced.例文帳に追加

転炉による吹錬、取鍋への出鋼さらには2次精錬等の成分調整を行う際に、この成分調整の負荷を低減できる転炉吹錬時の炭素濃度、具体的には出鋼後炭素濃度の推定方法を提供する。 - 特許庁

The retainer 16 is formed of carburized steel or carbonitrided steel, with its surface carbon concentration being 0.9-1.2 wt%.例文帳に追加

リテーナ１６は浸炭鋼もしくは浸炭窒化鋼から形成され、その表面炭素濃度は０．９〜１．２重量％となっている。 - 特許庁

The sintered parts are decarburized to form a decarburized surface layer portion 18 in which the carbon concentration is lower than the initial value only for the surface layer portion.例文帳に追加

その焼結部品が脱炭処理され、表層部のみ初期炭素濃度より低い炭素濃度の脱炭表層部１８が形成される。 - 特許庁

The sum of carbon concentration and nitrogen concentration of the hardening layer is 0.5-1.5 mass%, the residual austenite amount is 20-45 vol.%.例文帳に追加

硬化層の炭素濃度と窒素濃度との和は０．９〜１．５質量％で、残留オーステナイト量は２０〜４５体積％である。 - 特許庁

In concentration distribution in the depth direction of the single-crystal semiconductor layer after the recrystallization, a carbon concentration has the local maximum.例文帳に追加

再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 - 特許庁

To stably measure a TOC (total organic carbon) concentration in ultrapure water while suppressing influences of hydrogen peroxide included in the ultrapure water.例文帳に追加

超純水に含まれる過酸化水素による影響を抑え、超純水中のＴＯＣ濃度を安定して測定する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently performing desiliconization while restraining the lowering of carbon concentration in the molten iron, in the desiliconization treatment for molten iron.例文帳に追加

溶銑の脱珪処理において、溶銑中炭素濃度の低下を抑制して効率良く脱珪する方法を提供する。 - 特許庁

This method for analyzing carbon concentration in the crystalline silicon has a process for supplying a cut piece from a silicon core that is cut off and annealed.例文帳に追加

結晶シリコン中の炭素濃度を分析する方法は、切り離され、かつアニーリングされたシリコンコアからの切片を供する工程を有する。 - 特許庁

The surface layer portion of excellent carbon concentration at the surface can be formed by carburizing and hardening the sintered parts.例文帳に追加

そして、この焼結部品に浸炭焼き入れを施すことにより、表面において高炭素濃度の表層部が形成される。 - 特許庁

To provide a method for removing carbon from silicon by which the carbon concentration in silicon is simply decreased to ≤3 ppm by mass.例文帳に追加

本発明は、簡便な方法で、シリコン中の炭素濃度を３質量ｐｐｍ以下まで下げるシリコンからの炭素除去方法を提供する。 - 特許庁

(wherein [C] is a carbon concentration (mass%) in the forged steel product; and f is a ferrite area ratio).例文帳に追加

｛１−１．５［Ｃ］｝（％）≦ ｆ …（１）｛式中、［Ｃ］は鋼鍛造品中の炭素濃度（質量％）を示し、ｆはフェライト面積率（％）を示す｝ - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device capable of setting carbon concentration within crystal to a desirable value while improving electron mobility.例文帳に追加

電子移動度を向上させつつ結晶中のカーボン濃度を所望の値にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Especially, the channel region (22) has its oxygen and carbon concentration both of which do not exceed 1×10^18 atoms/cm^3.例文帳に追加

特に、チャネル領域（２２）はいずれも１×１０^１８atoms/cm^３を越えない酸素濃度および炭素濃度を有する。 - 特許庁

The carbon concentration of the surface layer part is equal to or higher than 0.8 mass% and the nitrogen concentration is equal to or higher than 0.4 mass%.例文帳に追加

また、表層部の炭素濃度は０．８質量％以上で、窒素濃度は０．４質量％以上となっている。 - 特許庁

A carbon concentration N_C13 of the first Al_X1In_X2Ga_1-X1-X2N layer 13a is less than 1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

第１のＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ層１３ａの炭素濃度Ｎ_Ｃ１３は１×１０^１７ｃｍ^−３未満である。 - 特許庁