「"CRYSTAL PLANE"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Through X-ray diffractometry of the surface layer, a primary diffraction peak corresponding to at least one of the (111) crystal plane, (200) crystal plane and (311) crystal plane is observed.例文帳に追加

表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。 - 特許庁

It has been assumed that the scattering matter is uniformly distributed along a crystal plane AB. 例文帳に追加

散乱成分が結晶面ABに沿って均一に分布されている(分布している)と仮定されてきた。 - 科学技術論文動詞集

The blaze angle of the diffraction grating is determined by an angle between the surface of the substrate and the specific crystal plane.例文帳に追加

基板の表面と特定の結晶面の間の角度により、回折格子のブレーズ角が決まる。 - 特許庁

When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed.例文帳に追加

表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。 - 特許庁

Since growth rate differs depending on crystal plane, a film thickness t2 is formed larger than a film thickness t1.例文帳に追加

結晶面によって成長レートが異なるので、膜厚ｔ１よりも膜厚ｔ２を厚く形成できる。 - 特許庁

A semiconductor wafer having an off angle relative to a specific crystal plane is used.例文帳に追加

特定の結晶面に対してオフアングル角を有する半導体基板を用いる。 - 特許庁

To suppress plane channeling at the time of ion implantation without changing a crystal plane direction of a wafer itself.例文帳に追加

ウェハ自体の結晶面方位を変更することなく、イオン注入時の面チャネリングを抑制する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the crystal-oriented ceramic, the specific crystal plane A of a crystal grain is oriented.例文帳に追加

結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法である。 - 特許庁

A micromirror 25 has a surface (111) to be a crystal plane of a single crystal silicon as a reflection surface A25.例文帳に追加

単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を反射面Ａ２５とするマイクロミラー２５である。 - 特許庁

Two faces except the bottom surface of the beam 1a are composed of a crystal plane orientation of (111) plane.例文帳に追加

梁１ａの底面以外の２面は結晶面方位が（１１１）面で構成されている。 - 特許庁

Diffraction grating grooves 110 having the reflection surface corresponding to a specific crystal plane is formed by the anisotropic etching of a substrate by selecting a single crystal substrate with a known angle to the crystal plane, on the surface of which the substrate exists.例文帳に追加

表面が基板のある結晶面に対して分かった角度である単結晶基板を選択することにより、基板の異方性エッチングにより、特定の結晶面に対応する反射表面を有する回折格子の溝を形成できる。 - 特許庁

A silicon single crystal film having a crystal plane as its principal plane, the crystal plane being inclined at 3 to 5° from any lattice plane belonging to {100} planes or {111} planes is used as a pellicle film.例文帳に追加

｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜をペリクル膜として利用する。 - 特許庁

A crystalline structure observed in the surface side of the electrophotographic photoreceptor by X-ray diffraction analysis exhibits a ≤0.8 ratio of the reflection intensity in a 101 direction of crystal plane to the peak reflection intensity in a 110 direction of crystal plane.例文帳に追加

電子写真用感光体表面がわからみた結晶構造のＸ線回折で得られる面方位１１０の反射強度のピーク値に対する、面方位１０１の反射強度の比率が０．８以下とする - 特許庁

Also, the fork contains a pair of inside parts that fork parts in a tooth base position are placed in a crystal plane of the piezoelectric material and a pair of outside parts that extends between the inside parts paired and the tooth in another crystal plane of the piezoelectric material.例文帳に追加

歯のベース位置にある股の部分が、圧電材料の結晶面内にある一対の内側面と、圧電材料の別の結晶面内にあって上記一対の内側面と歯との間に延びる一対の外側面とを有する。 - 特許庁

The surface of the silicon substrate 7 is the (100) crystal plane of silicon, the flank of the recessed part 4 which is formed along the length of the core 1 is the (100) crystal plane of silicon nearly perpendicular to the silicon substrate surface, and the bottom surface of the recessed part 4 is the (100) crystal plane of silicon nearly parallel to the silicon substrate surface.例文帳に追加

シリコン基板７の表面をシリコン（１００）結晶面、凹部４の、コア１の長手方向に沿って形成されている側面をシリコン基板表面に対して略垂直なシリコン（１００）結晶面、凹部４の底面をシリコン基板表面に対して略平行なシリコン（１００）結晶面とする。 - 特許庁

The intensity that is backscattered from a crystal for a given electron beam direction is determined by the orientation of the crystal plane. 例文帳に追加

与えられた電子ビームの方向に対する結晶から後方散乱された強度は、その結晶面の方位によって決定される。 - 科学技術論文動詞集

ELECTRONIC ELEMENT OF MICROCRYSTAL STRUCTURE NITRIDE SEMICONDUCTOR CONTROLLING ORIENTATION OF CRYSTAL AXIS AND FACET (CRYSTAL PLANE)例文帳に追加

結晶軸配向性とファセット（結晶面）を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子 - 特許庁

According to the crystal plane orientation of the semiconductor film, the polarity of a semiconductor element formed using the semiconductor film is determined.例文帳に追加

そして、半導体膜の結晶面方位にあわせて、半導体膜を用いて形成される半導体素子の有する極性を決める。 - 特許庁

An epitaxial layer is grown from the part of the crystal plane of the substrate through the multiple voids in the carbon nano-tube layer.例文帳に追加

しようとするエピタキシャル層を前記基板の該一部の結晶面から前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙を通じて成長させる。 - 特許庁

The piezoelectric element film 9 is constituted of a PZT series of a polycrystal body oriented to a preferred orientation processing in the direction of crystal plane [100].例文帳に追加

圧電体膜９は（１００）面方位に優先配向処理されたＰＺＴ系の多結晶体から構成されている。 - 特許庁

At this time, the maximum value of the accumulation degree of each crystal plane in the iron base alloy sheet 2 measured by an X-ray diffraction method is preferably controlled to 20%.例文帳に追加

このとき、Ｘ線回折法によって測定される鉄基合金板２の各結晶面の集積度の最大値が２０％であることが好ましい。 - 特許庁

On a (100) crystal plane of a GaAs substrate 1, a plurality of HBTs(heterojunction bipolar transistors) 100 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の結晶面（１００）面上に、複数のＨＢＴ（ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）１００を形成している。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor layer with a crystal plane inclined by ±1.0 degree higher than on the basis of {100} plane is pasted on an insulation layer formed on a support board.例文帳に追加

支持基板に形成された絶縁体層に、｛１００｝面より±１．０度を超えた傾きを持つ結晶面の単結晶半導体層を貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a technique capable of determining the azimuth of a crystal plane simply, rapidly and safely at a low cost.例文帳に追加

結晶面の方位判定を行う際に、簡単、迅速、且つ低コストで安全に行うことが出来る技術を提供する。 - 特許庁

To allow a high-precision positioning when forming a crystal plane mark such as an orientation flat or a notch on a single crystal ingot.例文帳に追加

単結晶インゴットにオリフラまたはノッチ等の結晶面指標を形成する際の位置決めを高精度に行えるようにする。 - 特許庁

A substrate in which a crystal plane comprising the same kind of ions is oriented in the direction perpendicular to the principal plane is prepared.例文帳に追加

主面と垂直な方向において、同種のイオンからなる結晶面が配向してなる基板を準備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for forming a transistor on the crystal plane {111} with a simplified method.例文帳に追加

簡便な方法で{１１１}結晶面にトランジスタを形成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An element isolation insulating film (21) is formed to define active region on a substrate (20) including silicon constituted with the crystal plane {100} at the surface.例文帳に追加

表面が｛１００｝結晶面で構成されたシリコンを有する基板(20)に、活性領域を画定する素子分離絶縁膜(21)が形成されている。 - 特許庁

A part of the crystal plane of the substrate is exposed by the multiple voids in the carbon nano-tube layer.例文帳に追加

前記基板の結晶面の一部が前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出される。 - 特許庁

To reduce power consumption of a display device by suspending one part of a the driving means of a liquid crystal plane in the case of displaying information only on a part of scanning lines.例文帳に追加

一部の走査ラインのみに情報を表示する場合に、液晶パネルの駆動手段の一部を休止させ、消費電力の低減を図ること。 - 特許庁

When ingot materials are collectively sliced, the surfaces of all wafers are conformed to a prescribed crystal plane.例文帳に追加

かつ複数のインゴット端材を一括スライスする際に、簡単に全ウェーハの面を所定結晶面に揃えられる。 - 特許庁

In particular, when GaAs whose crystal plane of the surface is a (100) plane is used, the inverse tapered shape having sidewalls of (111) crystal planes can be simply formed.例文帳に追加

特に表面の結晶面が（１００）面のＧａＡｓを用いると、結晶面が（１１１）面の逆テーパー形状を簡便に形成することができる。 - 特許庁

The compound oxide has such a structure that a specified crystal plane of the triclinic Zn_XW_2-XO_4 crystal used as the light emitting material is grown nearly parallel to a substrate.例文帳に追加

発光材料となる三斜晶系ZnWO_4結晶の特定の結晶面が基板に対して略平行に成長した構造を持つ。 - 特許庁

A CrN film of which film face is orientated in the crystal plane (200) is provided as a 1st layer, and a solid lubricating film is provided as a 2nd layer.例文帳に追加

膜面が結晶面（２００）に配向したＣｒＮ膜を第１層に、固体潤滑膜を第２層に備えた固体潤滑膜付き部材。 - 特許庁

A step 33 which does not depend on the crystal plane of the semiconductor of the laminate region 21 is formed in the region 21 by removing the insulator 19.例文帳に追加

絶縁体１９の除去によって、積層領域２１には、積層領域２１の半導体の結晶面に依存しない段差３３が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by using an FZ method, the crystal having uniform resistivity distribution in a crystal plane as the important characteristic of the product.例文帳に追加

製品の重要な特性である結晶の面内抵抗率分布が均一なＦＺ法シリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

On this substrate, a recess (36) constituted with a first slope having the crystal plane {111} is formed at least at a part of the side surface.例文帳に追加

この基板に、少なくとも側面の一部が、｛１１１｝結晶面が表れた第１の斜面で構成された凹部(36)が形成されている。 - 特許庁

The fine particle of core-shell structure contains particles which are multiply twinned fine particles and are surrounded by the {111} crystal plane.例文帳に追加

コアシェル型微粒子は、多重双晶微粒子であって｛１１１｝結晶面によって囲まれた粒子を含有している。 - 特許庁

A determination process is conducted for determining a displacement between the orientation flat 11 and the crystal plane from the number of steps.例文帳に追加

そして、段差の数により、オリエンテーションフラット１１と結晶面とのずれを判断する判断工程を実施する。 - 特許庁

At least one of the plurality of bond substrates has a crystal plane orientation different from that of the other bond substrates.例文帳に追加

このとき、複数のボンド基板のうち、少なくとも１つのボンド基板は、他のボンド基板と異なる結晶面方位を有するとする。 - 特許庁

Uniaxial tensile strain is applied to a side wall of the channel layer in the second crystal plane direction <110> perpendicular to a current direction.例文帳に追加

1軸性引張り歪が電流方向と垂直な第２の結晶面方位＜１１０＞方向にチャネル層の側壁に対して加えられている。 - 特許庁

When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane and a diffraction peak other than the diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane are observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 - 特許庁

In the manufacture, anisotropic shaped powder slurry is prepared by mixing anisotropic powder comprising anisotropic-shaped oriented particle having the orientation surface formed by orienting the crystal plane having lattice matching with the crystal plane A, a molding assistant and a solvent.例文帳に追加

製造にあたっては、まず結晶面Ａと格子整合性を有する結晶面が配向して配向面を形成している異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と成形助剤と溶媒とを混合して異方形状粉末スラリーを作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate for suppressing the generation of any crystal defect in the case of creating a region having different crystal plane orientation on the substrate surface by using a semiconductor substrate where a semiconductor layer having the different crystal plane orientation is laminated.例文帳に追加

異なる結晶面方位を有する半導体層が積層された半導体基板を用いて、基板表面に異なる結晶面方位を有する領域を作成する場合に、結晶欠陥の発生を抑制することを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since wet etching is advanced from an exposed surface 7 of a vibration arm part 2 and the wet etching is further advanced from a modified layer 6 formed on the crystal plane 5 (5A, 5B), a problem that the wet etching is not advanced on the crystal plane 5 (5A, 5B) can be solved.例文帳に追加

振動腕部２の露出面７からウェットエッチングが進行し、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）に形成された改質層６から、ウェットエッチングがさらに進行するので、結晶面５（５Ａ，５Ｂ）で、ウェットエッチングが進行しないという問題を解消できる。 - 特許庁