「"G line"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A photoresist composition includes a sensitizer which works in combination with a DUV photoresist including a PAC, to sensitize the photoresist to G-line, H-line or I-line imaging.例文帳に追加

フォトレジスト組成物が、フォトレジストをＧ線、Ｈ線、又はＩ線撮像に増感させるようＰＡＣを含むＤＵＶフォトレジストと組み合わせて機能する増感剤を含む。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR USE IN STEP OF EXPOSURE USING AT LEAST TWO EXPOSURE LIGHT SOURCES SELECTED FROM G-LINE, I-LINE, KrF EXCIMER LASER AND ELECTRON BEAM AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

NEGATIVE RESIST COMPOSITION USED IN PROCESS WHERE EXPOSURE IS PERFORMED USING AT LEAST TWO KINDS OF EXPOSURE LIGHT SOURCES SELECTED FROM G-LINE, I-LINE, KrF EXCIMER LASER, AND ELECTRON BEAM, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide an inexpensive pellicle film suited to a lithography process of applying ultraviolet light including i line, h line and g line and having a wavelength region of 350-450 nm, and having light resistance.例文帳に追加

ｉ線、ｈ線、ｇ線を含む、３５０〜４５０ｎｍの波長域の紫外線を照射するリソグラフィ工程に好適な、安価で耐光性に優れたペリクル膜を提供する。 - 特許庁

A condensed light is received by an R line 51, a G line 52, and B line 53, which are arranged in an imaging device part 50 and are imaging device arrays of colors corresponding to respective wavelength regions.例文帳に追加

集光された光は、撮像素子部５０に配設されている各波長領域に対応する色の撮像素子列であるＲライン５１、Ｇライン５２またはＢライン５３へそれぞれ受光される。 - 特許庁

The thickness of the photoresist is used such that maximum values or minimum values of a g line standing wave effect curve and an i line standing wave effect curve overlap each other.例文帳に追加

本発明は、ｇ線定在波効果曲線とｉ線定在波効果曲線の最大値、又は最小値が重なったときのフォトレジスト膜厚を採用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a relief pattern using the precursor of polybenzoxazole for suppressing the deterioration of the heat-resistance and mechanical characteristics of final polybenzoxazole resin while achieving high solubility and i line and g line permeability.例文帳に追加

高い溶解度及びｉ線、ｇ線透過率を有しながら最終的なポリベンズオキサゾール樹脂の耐熱性及び機械特性を損わないポリベンズオキサゾールの前駆体を使用したレリーフパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which has high sensitivity and high resolution to g-line and i-line, can be developed with a general-purpose generator, and satisfies excellent strong alkali resistance.例文帳に追加

ｇ線とｉ線に高感度かつ高解像度で、汎用現像液での現像が可能であり、さらに強アルカリ耐性に優れる性能を同時に満たすポジ型感光性樹脂組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an exposure method, or the like, for easily forming an exposure pattern with a line width in a sub-micron size using a photoresist for g-line and i-line by using a solid laser or a gas laser which is inexpensive and stable as an exposure light source.例文帳に追加

安価で安定性のある個体レーザやガスレーザを露光光源として使用し、ｇ線用、ｉ線用のフォトレジストを使用して、簡便にサブミクロンサイズの線幅の露光パターンを形成する。 - 特許庁

The diffraction optical system satisfies the conditional expression 0.005<(ΔNg+ΔNs)/2<0.45, where ΔNg is the refraction difference in the diffraction optical surface DM on a g line, and ΔNs is the refraction difference in the diffraction optical surface DM on an s line.例文帳に追加

ΔＮｇはｇ線に対する回折光学面ＤＭにおける屈折率差であり、ΔＮｓはｓ線に対する回折光学面ＤＭにおける屈折率差である。 - 特許庁

By incorporating nano-diamond into a photosensitive resin composition, high sensitivity not only to a g-line (wavelength; 436 nm) or an i-line (wavelength; 365 nm) but to a light source of a short wavelength such as a KrF excimer laser (248 nm) or an ArF excimer laser (193 nm) and improved plasma resistance are provided to the composition.例文帳に追加

感光性樹脂組成物にナノダイアモンドを含有させることにより、g線（波長436nm）、i線（波長365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）やArFエキシマレーザー（193nm）などの短波長の光源に対しても高感度でプラズマ耐性を高める。 - 特許庁

In a step for making an opening on top of ridge structure, a G line mask aligner is employed in order to develop the upper layer and exposing the lower layer.例文帳に追加

リッジ構造の頂部に開口部を形成する工程で、上側層を現像すると共に下側層を露出すべくＧ線マスク位置合わせ装置を用いる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resist composition that responds not only to ultraviolet rays, such as I-line or g-line, but also to visible rays, excimer laser beam like that of KrF, electron beams, extreme-ultraviolet radiation (EUV), X-rays, and radiation, such as ion beams.例文帳に追加

ｉ線、ｇ線等の紫外線のみならず、可視光線、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、イオンビーム等の放射線にも感応する感放射線性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Each of transmitting and receiving antennas is composed of a driver consisting of a flat conductor and a G line (Gaubeu line) being a surface wave line that excites the microwaves by means of the driver.例文帳に追加

送信用アンテナおよび受信用アンテナを平板導体で構成される駆動器と上記駆動器によってマイクロ波を励振する表面波線路であるＧ線（Gaubeu線路）でそれぞれ構成する。 - 特許庁

To provide a cata-dioptric type image-formation optical system having nearly unmagnified magnification where chromatic aberration is excellently compensated to a wide wavelength range including a g-line, an h-line and an i-line though the optical system is constituted of a comparatively small number of power optical members.例文帳に追加

比較的少ない数のパワー光学部材から構成されているにもかかわらず、たとえばｇ線とｈ線とｉ線とを含む広い波長範囲に対して色収差が良好に補正された、ほぼ等倍の倍率を有する反射屈折型の結像光学系。 - 特許庁

To obtain a photosensitive resin composition having high sensitivity not only to a g-line (wavelength; 436 nm) or an i-line (wavelength; 365 nm) of a conventional high-pressure mercury vapor lamp but to a light source of a short wavelength such as a KrF excimer laser (248 nm) or an ArF excimer laser (193 nm) and also having high plasma resistance when used as a resist.例文帳に追加

レジスト用途において、従来の高圧水銀灯のg線（波長436nm）、i線（波長365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）やArFエキシマレーザー（193nm）などの短波長の光源に対しても高感度であり、プラズマ耐性が高い感光性樹脂組成物を得る。 - 特許庁

A CIS unit 40 includes three R, B, G line image sensors 41, 42, 43 arrayed with photoelectric transducers for different colors in a sub scanning direction X1 of a document to be scanned and photoelectric transducers for the same color in a main scanning direction (a direction vertical to a paper surface).例文帳に追加

ＣＩＳユニット４０は、読み込む原稿の副走査方向Ｘ１に異なる色の光電変換素子で、かつ、主走査方向（紙面に垂直な方向）に同色の光電変換素子で配列されたＲ，Ｂ，Ｇ各色の３つのラインイメージセンサ４１，４２，４３を備えている。 - 特許庁

When the irradiation optical system 20 is equipped with a short-wavelength cutoff filter 27, the light emitting from an ultrahigh-pressure mercury lamp 21 passes through the short-wavelength cutoff filter 27, in which rays in a deep ultraviolet region ranging from 270 to 333 nm are cut while leaving g-line, h-line and i-line rays.例文帳に追加

このとき、照射光学系２０に短波長カットフィルター２７が装着されている場合には、超高圧水銀灯２１から出射された光は、短波長カットフィルター２７を通過し、ｇ線、ｈ線及びｉ線を残して、２７０〜３３３ｎｍの範囲にある深紫外線域の光がカットされる。 - 特許庁

Namely, the R line image sensor 41, the B line image sensor 42 and the G line image sensor 43 are arranged along the sub scanning direction X1 in this order and the line image sensors 41-43 are arranged at an interval of one-line gap.例文帳に追加

すなわち、Ｒのラインイメージセンサ４１、Ｂのラインイメージセンサ４２、及びＧのラインイメージセンサ４３が副走査方向Ｘ１に沿ってこの並びで、かつ、各ラインイメージセンサ４１〜４３が１ラインギャップで配置された構成となっている。 - 特許庁

To provide a nonpolymer-based radiation-sensitive resist composition having high sensitivity, high resolution and high heat resistance and soluble in a solvent in an easy manufacturing process, the composition which can be used for not only UV rays such as i-line and g-line but for radiation such as visible rays, KrF excimer laser light or the like, electron beams, X rays and ion beams.例文帳に追加

ｉ線、ｇ線等の紫外線のみならず、可視光線、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、イオンビーム等の放射線にも利用でき、簡単な製造工程で、高感度、高解像度、高耐熱性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

When the concentration of the N-(2-aminoethyl) piperazine is 1-80 wt.% and when the concentration of the water-soluble organic solvent is 20-99 wt.%, the copper is not eroded, and the stripping liquid can be used for the photoresist for a g-line or an i-line or for the resist for an excimer laser.例文帳に追加

Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジンの濃度が１〜８０重量％、水溶性有機溶媒の濃度が２０〜９９重量％では、銅を腐蝕することなく、ｇ線用、ｉ線用フォトレジスト又はエキシマレーザー用レジストの剥離液として用いることができる。 - 特許庁

When a short wavelength cut filter 27 is attached to the irradiation optical system 20, the light emitted from a high voltage mercury lamp 21 passes through the short wavelength cut filter 27 and the light in a deep UV ray region in the range of 270 to 333 nm except for g-line, h-line and i-line rays is cut.例文帳に追加

このとき、照射光学系２０に短波長カットフィルター２７が装着されている場合には、超高圧水銀灯２１から出射された光は、短波長カットフィルター２７を通過し、ｇ線、ｈ線及びｉ線を残して、２７０〜３３３ｎｍの範囲にある深紫外線域の光がカットされる。 - 特許庁

Chromatic aberration of magnification arising in a 1st lens group G1 and a 2nd lens group G2 is corrected by making the transverse chromatic aberration in a direction where the image height of g-line becomes higher than that of d-line in a 4th lens group G4 without enlarging a distance between a 3rd lens group G3 and the 4th lens group G4.例文帳に追加

第３レンズ群Ｇ３と第４レンズ群Ｇ４の間隔は広げず、第４レンズ群Ｇ４でｄ線に比べｇ線の像高さが大きくなる方向の倍率色収差を出すことにより、第１レンズ群Ｇ１及び第２レンズ群Ｇ２で生じる倍率色収差の補正を行う。 - 特許庁

Δs denotes the transverse chromatic aberrations at image height of 0.7 times the maximum image height, and Δs is calculated at a wide-angle end and a telephoto end with respect to the C-line and the g-line, and t denotes the pitch of a single pixel of the image sensor in use.例文帳に追加

｜Δｐ／ｔ｜＜４，｜Δｓ／ｔ｜＜４ ・・・（２）ただし、Δｐは軸上最大光線高における球面収差の横収差量であり、広角端及び望遠端においてＣ線及びｇ線に対して計算され、また、Δｓは最大像高の０．７倍の像高における倍率色収差量であり、広角端及び望遠端においてＣ線及びｇ線に対して計算され、また、ｔは用いられるイメージセンサーの１画素のピッチである。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition which is excellent in resolution, environmental durability and storage stability as a chemically amplified resist sensitive to active radiation, for example, ultraviolet radiation such as g-line or i-line, far-ultraviolet radiation typified by KrF excimer laser, ArF excimer laser or F2 excimer laser, and EUV (Extreme Ultra Violet), or electron beam or the like.例文帳に追加

活性放射線、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーもしくはＦ２エキシマレーザー、ＥＵＶに代表される遠紫外線、もしくは電子線などに感応する化学増幅型レジストとして、解像度、環境耐性に加え、保存安定性に優れる感放射性組成物を提供すること。 - 特許庁