「"THE WELL"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The indium composition of the first semiconductor layer 9a is smaller than an indium composition of the well region 5.例文帳に追加

第１の半導体層９ａのインジウム組成は、井戸領域５のインジウム組成より小さい。 - 特許庁

To improve conversion rate of carbon monoxide to hydrogen in the well-known shift method.例文帳に追加

公知のシフト法において一酸化炭素から水素への変換率を向上させる。 - 特許庁

The dissolving liquid contains a surfactant and blood corpuscles are destroyed in the well 23.例文帳に追加

溶解液は界面活性剤を含んでおり、ウェル２３において血球細胞が破壊される。 - 特許庁

There is provided a viscometer-densimeter for the downhole device arranged at the well shaft that penetrates the underground stratum.例文帳に追加

地下層を貫通する井戸坑に配置可能なダウンホール工具のための粘度計−密度計。 - 特許庁

The well layer 23a is formed at a growth temperature TW (=T2) in a period between time t2 and time t3.例文帳に追加

井戸層２３ａは、時刻ｔ２〜ｔ３の期間に成長温度ＴＷ（＝Ｔ２）で形成される。 - 特許庁

The first semiconductor layer 9a is prepared between the second semiconductor layer 11a and the well region 5.例文帳に追加

第１の半導体層９ａは、第２の半導体層１１ａと井戸領域５との間に設けられている。 - 特許庁

The alcohol fermentation and the acetic acid fermentation may be carried out after adding protease to the well boiled solution.例文帳に追加

また、煮熟液にプロテアーゼを添加した後、アルコール発酵及び酢酸発酵をさせてもよい。 - 特許庁

A gate electrode 8 is formed on the well 3 through a gate insulating layer 23.例文帳に追加

ウェル３上にゲート絶縁層２３を介してゲート電極８を形成する。 - 特許庁

The well fixing part 12C includes a field diffusing region comprising the impurity region 24.例文帳に追加

ウェル固定部１２Ｃは、不純物領域２４によって構成されるフィールド拡散領域を含む。 - 特許庁

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Water is injected until the water in the well drilling guide pipe 6 reaches a pressure value P1.例文帳に追加

井戸削孔用ガイド管６内の水が圧力値Ｐ１になるまで水を注入する。 - 特許庁

The well layer is provided between the n-side barrier layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Near the well region 18, in addition, a polysilicon film 25 is provided as a gate electrode.例文帳に追加

また、ウェル領域１８の近傍に、ゲート電極としてのポリシリコン膜２５を設ける。 - 特許庁

As a result, an increase in the well resistance caused by the miniturization of the semiconductor device can be suppressed.例文帳に追加

その結果、半導体装置の微細化に伴なうウエル抵抗の増大を抑制することができる。 - 特許庁

Lastly, a dielectric material is removed from a wall of the well, by using retreating etching.例文帳に追加

最後に、後退エッチングを使用して、ウェルの壁から誘電体材料を除去する。 - 特許庁

Accordingly, all of the cells A within a cell 45 of the well plate 37 are always warmed.例文帳に追加

従って、ウェルプレート３７のセル４５内の細胞Ａの全てが常に加温される。 - 特許庁

Furthermore, a bias voltage is applied from a terminal (Vn) 11 on the well side of the MOS capacitor (Cf) 5.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳキャパシタ（Ｃｆ）５のウエル側の端子（Ｖｎ）１１からは、バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

On the substrate, a dummy bit line is formed, thus connecting electrically the well pickup conductive layer.例文帳に追加

基板の上に、ウェルピックアップ導電層を電気的に接続するダミービット線が形成される。 - 特許庁

WELL DEVICE HAVING FLUID INJECTING AND RECOVERING FUNCTIONS, AND METHOD OF SETTING THE WELL DEVICE例文帳に追加

流体圧入・回収機能を備えた坑井装置及びその坑井装置の設置方法 - 特許庁

After elapse of the stop time, the pipette is separated from the well at prescribed speed.例文帳に追加

さらに、停止時間が経過したのちに、所定の速度でピペットをウェルから遠ざける。 - 特許庁

The field effect transistor is arranged in the well diffused layer formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板内に形成されたウエル拡散層に配される。 - 特許庁

The well layer 19a is formed of In_XGa_1-XN (0.15≤X<1, where X is a distortion composition).例文帳に追加

井戸層１９ａはＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．１５≦Ｘ＜１、Ｘは歪み組成）からなる。 - 特許庁

A first substrate, having the well 52 on one main surface side, is prepared for manufacturing this element.例文帳に追加

この素子を製造するには、ウエル５２を一方の主表面側に有する第１の基板を用意する。 - 特許庁

An insulating layer 23 is provided between the well region 19 and the gate electrode 21.例文帳に追加

絶縁層２３は、ウエル領域１９とゲート電極２１との間に設けられている。 - 特許庁

Into the well 113, water 107 is injected which is a medium of a refractive index larger than 1.例文帳に追加

このウェル１１３には、屈折率が１よりも大きい媒質である水１０７が注入される。 - 特許庁

A collector region 140 is formed in the well 110 and located outside the base region 150.例文帳に追加

コレクタ領域１４０はウェル１１０内に形成され、ベース領域１５０の外側に位置している。 - 特許庁

The decompression pump reduces pressure in the internal space of the well pipe 3 through a suction pipe.例文帳に追加

減圧ポンプは、吸気パイプを通じて井戸管３の内側空間を減圧する。 - 特許庁

The well pipe 3 having a strainer 8 at a lower section is buried in the ground.例文帳に追加

井戸管３は、下端部にストレーナー８が設けられており地盤に埋設される。 - 特許庁

An additional tub is provided inside the well-known teapot, the tea leaves or the like are placed in the tub, and the component is extracted.例文帳に追加

公知の急須等内にもう１つ槽を設け、その槽に茶葉等を入れ、成分を抽出する。 - 特許庁

Preferably, the projecting portion and/or the recessed portion are provided on an outer peripheral surface of the well 34.例文帳に追加

好ましくは、ウェル３４の外周面に上記凸部及び／又は上記凹部が設けらる。 - 特許庁

A reflection film 30 is provided between the well forming member 20 and the transparent substrate 10.例文帳に追加

ウエル形成部材２０と透明基板１０との間に反射膜３０を設けている。 - 特許庁

The light emitting layer 106 is composed of a well layer or a combination of the well layer and a barrier layer.例文帳に追加

発光層１０６は、井戸層、または井戸層と障壁層との組合せからなる。 - 特許庁

The well tap region is formed within a range of the extension of the array of the plurality of MOS structures.例文帳に追加

ウェルタップ領域は、複数のＭＯＳ構造の配列を延長した範囲内に形成されている。 - 特許庁

The resistance adjustment layers 20 are biased so that the resistance value of the well resistor 30 is a desired value.例文帳に追加

抵抗調整層２０は、ウェル抵抗３０の抵抗値が所望の値となるようにバイアスされている。 - 特許庁

Accordingly, the density of states in the well layer is equalized whereby a gain and a current density are equalized.例文帳に追加

よって、井戸層内の状態密度が均一化され、利得および電流密度が均一化される。 - 特許庁

The well layer is formed between the first and second barrier layers, where the first barrier layer has a first doping region in a region adjacent to the well layer and a first nondoping region in a region separated from the well layer, and the second barrier layer has a second nondoping region in a region adjacent to the well layer.例文帳に追加

該井戸層は該第一の障壁層と該第二の障壁層との間に形成され、そのうち、該第一の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第一のドーピング領域を有し、該井戸層から離れる領域に第一の非ドーピング領域を有し、該第二の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第二の非ドーピング領域を有する。 - 特許庁

A waist part is minimized, and the well-proportioned man-type robot is provided.例文帳に追加

腰部分の寸法をコンパクト化して、均整のとれた人間型ロボットを形成する。 - 特許庁

To widen a tuned frequency band by improving the well known inverted LF type 2-band antenna.例文帳に追加

公知の逆ＬＦ形２バンドアンテナを改良して、同調周波数帯域を拡大する。 - 特許庁

The resistance region 52 is formed by diffusing impurities into the well region 12.例文帳に追加

抵抗領域５２は、ウェル領域１２に対する不純物拡散により形成される。 - 特許庁

The weight 24 has the weight that can sink the floating body 21 below the surface of the liquid in the well 1.例文帳に追加

前記おもり２４を、浮体２１を井戸１内の液面下に沈めることができる重量に設定した。 - 特許庁

The well layer 25 of the active layer 21 is formed of a plurality of InGaN thin layers 24a and 26a.例文帳に追加

活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 - 特許庁

The device can be pressed to the well wall by using a rigid body flat plate to achieve a larger contact area.例文帳に追加

坑井壁への押しつけは剛体平板で行うことで接触面積が大きい。 - 特許庁

The well adhesive rubber 17 is turned around into recessed portions 12a, 13a of the connection steel plates 12, 13.例文帳に追加

連結鋼板１２，１３の凹所１２ａ，１３ａに良接着性ゴム１７が回り込んでいる。 - 特許庁

The well is equipped with a well terminal B, and the terminal B is connected to a source terminal S.例文帳に追加

ウエル（Ｗｐ）は１つのウエル端子を有し（Ｂ）、この端子はソース端子（Ｓ）と接続されている。 - 特許庁

The lower end side of a water supply pipe 5 inserted into the well blocking device 4 is positioned in the hot spring water storage area A.例文帳に追加

井戸閉塞装置４に挿通した送水管５の下端側は温泉貯水域Ａに位置している。 - 特許庁