「"THE WELL"」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This instrument 20 has a well 28a-b for storing a dry cell 75, an opening 78 for exposing a first connector 74 to the well 28a-b, and a boss 76 adjacent to the opening 78.例文帳に追加

器具(20)は、乾電池(75)を収容するウェル(28a-b)、第１コネクタ(74)をウェル(28a-b)へ露出させる開口部(78)、および開口部(78)に隣接するボス(76)を有する。 - 特許庁

A second conductivity type semiconductor layer 15 is formed in a first region of the well region 13 isolated by an element isolation region 12.例文帳に追加

素子分離領域１２により分離されたウェル領域１３の第１の領域内に第２導電型の半導体層１５形成されている。 - 特許庁

A voltage divider produces a reference voltage to select the well bias voltage properly.例文帳に追加

分圧器は、ウェルバイアス電圧を適正に選択させる基準電圧をフローティングウェルに対して生成する。 - 特許庁

Thus, for supply of a ground potential VSS to the well region PWEL, the number of the taps is reduced.例文帳に追加

これにより、ウェル領域ＰＷＥＬへの接地電位ＶＳＳ供給は、そのタップ数を大幅に削減できる。 - 特許庁

Co-op Shiga, in Shiga Prefecture, harnesses the specific properties of cooperative associations. direct-to-household home delivery business model to offer special services, checking on the well-being of customers during deliveries. 例文帳に追加

滋賀県の「コープしが」では各世帯に直接訪問する生協の個配事業の特性を生かし、宅配時に安否確認を実施している。 - 経済産業省

As I passed the well-remembered door, which must always be associated in my mind with my wooing, and with the dark incidents of the Study in Scarlet, 例文帳に追加

あの見慣れた戸口を見ると、求婚時代や、陰惨な『緋のエチュード』事件のことがいつも心に甦ってくる。 - Arthur Conan Doyle『ボヘミアの醜聞』

She danced beside me to the well, but when she saw me lean over the mouth and look downward, she seemed strangely disconcerted. 例文帳に追加

井戸の横までわたしの隣で踊りましたが、その縁に乗り出してのぞき込んでいるのを見ると、彼女は不思議と当惑したようでした。 - H. G. Wells『タイムマシン』

I shook her off, perhaps a little roughly, and in another moment I was in the throat of the well. 例文帳に追加

彼女を、ひょっとするとちょっとあらっぽく振り払い、そして次の瞬間わたしは井戸の口に入っていました。 - H. G. Wells『タイムマシン』

At last, however, I got over the well-mouth somehow, and staggered out of the ruin into the blinding sunlight. 例文帳に追加

でもついに、わたしはなんとか井戸の口を乗り越え、廃墟からヨロヨロとまぶしい陽光の中に出たのです。 - H. G. Wells『タイムマシン』

And then down in the remote blackness of the gallery I heard a peculiar pattering, and the same odd noises I had heard down the well. 例文帳に追加

そしてその展示室の奥の闇の中で、あの奇妙なピタピタという足音と、さらにあの井戸の奥で聞いた同じ変な音が聞こえたのです。 - H. G. Wells『タイムマシン』

With a reluctant backward glance the well-disciplined child held to her nurse's hand and was pulled out the door, 例文帳に追加

一度、後ろ髪引かれるような眼差しで振りかえると、しつけのよいその子は子守女に手を引かれて部屋から出て行った。 - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

The other leaned over the well of the car and peered into Mr. Kernan's mouth but he could not see. 例文帳に追加

反対側から馬車の車輪の上まで身を乗り出してカーナン氏の口の中をじっと覗き込んだが見えなかった。 - James Joyce『恩寵』

Some five years ago, during a lengthy visit to Warsaw, I made the acquaintance of the well-knownadventuress, Irene Adler. 例文帳に追加

五年ほど前、長くワルシャワに滞在した際、私は有名な冒険的女性、アイリーン・アドラーと知り合いになりました。 - Arthur Conan Doyle『シャーロック・ホームズの冒険』

and the well-being of mankind may almost be measured by the number and gravity of the truths which have reached the point of being uncontested. 例文帳に追加

そして人類の満足度は、争う余地のないところまで到達した真理の数と重みによって、概ね量られるでしょう。 - John Stuart Mill『自由について』

All of a sudden, out of the middle of the trees in front of us, a thin, high, trembling voice struck up the well-known air and words: 例文帳に追加

そこにとつぜん、僕らの正面の木々のまんなかから、弱々しい、高いふるえるような声でふしも歌詞もよく知っているあの歌が聞こえてきた。 - Robert Louis Stevenson『宝島』

The woman said to him, “Sir, you have nothing to draw with, and the well is deep. From where then have you that living water? 例文帳に追加

女は彼に言った，「だんな様，あなたはくむ物をお持ちでなく，この井戸は深いのです。それで，あなたはその生きた水をどこから手に入れられるのですか。 - 電網聖書『ヨハネによる福音書 4:11』

Are you greater than our father, Jacob, who gave us the well, and drank of it himself, as did his children, and his livestock?” 例文帳に追加

あなたは，わたしたちの父祖ヤコブよりも偉大なのですか。彼はわたしたちにこの井戸を与え，子供や牛がしたように自らもここから飲んだのです」。 - 電網聖書『ヨハネによる福音書 4:12』

Jacob’s well was there. Jesus therefore, being tired from his journey, sat down by the well. It was about the sixth hour. 例文帳に追加

ヤコブの井戸はここにあった。それでイエスは，旅のために疲れていたので，井戸のそばに座った。第六時ごろであった。 - 電網聖書『ヨハネによる福音書 4:6』

The Trade Registry Department shall, ex officio, reject any application to register any mark which is identical with a well-known mark and is intended for products which are identical with those of the well-known mark, unless the application is submitted by the owner of the well-known mark. 例文帳に追加

標章登録局は、周知標章と同一の標章及び周知標章の製品と同一の製品を対象とした標章のいかなる登録出願をも職権上拒絶しなければならない。ただし、当該出願が周知標章の保有者による提出である場合を除く。 - 特許庁

Moreover, the well bias voltage is obtained from the level shift clock signal with the opposite phase given to another MOS transistor, and the drains are connected to produce the well voltage in a form of full wave rectification of the two level shift clock signals.例文帳に追加

さらに、もう一つのＭＯＳトランジスタにより、反対位相のレベル・シフト・クロック信号からもウェル・バイアス電圧を得て、これらのドレインを接続して、２つのレベル・シフト・クロック信号を全波整流した形で、ウェル電圧を生成する。 - 特許庁

The well electrode 46 functions as an electrode to input a back gate bias to the first transistor Q1, a reference potential Vb is connected to the source electrode 43, and an output potential Va higher than the reference potential Vb is input to the well electrode 46.例文帳に追加

このウェル電極４６は、第１のトランジスタＱ１に対してバックゲートバイアスを入力するための電極として機能し、ソース電極４３に基準電位Ｖｂが接続され、ウェル電極４６に基準電位Ｖｂよりも大きい出力電位Ｖａが入力される。 - 特許庁

Very simple and high precision modeling is enabled, and the simulation of the gate level considering the well proximity on the LSI level is enabled by using the effective distance Deff_i between the well boundary and the active region of the transistor.例文帳に追加

ウエル境界とトランジスタの活性領域との実効的な距離Ｄｅｆｆ＿ｉを用いることで、非常に単純で高精度なモデリングが可能になり、ＬＳＩレベルでウエル近接効果を考慮に入れたゲートレベルのシミュレーションを実施することが可能になる。 - 特許庁

It also includes a source region 4 selectively formed in an upper part of the well region 3 and a gate electrode 7 formed on a gate insulating film 6 covering the surface of the well region 3 sandwiched between the source region 4 and the epitaxial crystal growth layer 2.例文帳に追加

そして、ウェル領域３上部に選択的に形成されたソース領域４と、ソース領域４とエピタキシャル結晶成長層２とに挟まれたウェル領域３の表面を覆うゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極７とを備える。 - 特許庁

An edge terminal structure comprises one conductivity-type of well 34, surrounding an active cell under a polysilicon layer 26, the reverse conductivity-type of well 30 surrounding perfectly the well 34, and a metallization 42 contacting the well 30.例文帳に追加

エッジ終端構造は、ポリシリコン層２６の下側でアクティブなセルを包囲する第１の導電型式のウェル３４と、ウェル３４を完全に包囲する逆の導電性のウェル３０と、ウェル３０と接触するメタライゼーション４２とを含む。 - 特許庁

The thickness varying region 15 corresponds to a portion of the epitaxial layer 1 contacting a side surface of the well region 4 and the upper portion of the well region 4 in the vicinity of the contacting portion, and the thickness of the gate insulating film 3 in the region is thicker than the thin film part 3a.例文帳に追加

膜厚変化領域１５は、エピタキシャル層１のウエル領域４の側面に接する部分および、当該部分近傍のウエル領域４の上部に相当する領域であり、そこでの、ゲート絶縁膜３の厚さは薄膜部３ａよりも厚くなっている。 - 特許庁

The well nuts 24 are attached to the retaining member 10 so that their flange portions are positioned between a motor fixing portion 20 and the retaining member 10, and a clearance corresponding to the thickness of the flanges of the well nuts 24 is provided between the motor fixing portion 20 and the retaining member 10.例文帳に追加

ウエルナット２４は鍔部がモータ固定部２０と保持部材１０の間にくるように保持部材１０に取り付けられており、モータ固定部２０と保持部材１０の間にウエルナット２４のツバ厚分の隙間が設けられている。 - 特許庁

An average In composition ratio at a p-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the p-type semiconductor layer is larger than an average In composition ratio at an n-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the n-type semiconductor layer and five times or less of the average In composition ratio at the n-side end.例文帳に追加

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 - 特許庁

In the base unit structure of a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the doping concentration at a channel formation section 3c of the well region 3 is minimum at the top surface, and the doping concentration at the bottom of the well region 3 is the same in the lower part 3a of the source region 4 and the lower part 3b of the channel formation section 3c.例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの基本単位構造において、ウェル領域３のチャネル形成部３ｃのドーピング濃度は上面部で最小になり、ウェル領域３の底部のドーピング濃度はソース領域４の下の部分３ａとチャネル形成部３ｃの下の部分３ｂとで同じである。 - 特許庁

The activated layer 16 contains carbon (C) as an impurity and the segregation of indium is suppressed in the well layer by the carbon as an impurity whereby the local variability of density in the well layer is suppressed even when the lattice inconsistency with respective to the substrate 11 of activated layer 16 is large.例文帳に追加

活性層１６は不純物として炭素（Ｃ）を含有しており、この不純物としての炭素により、井戸層においてインジウムの偏析が抑えられ、活性層１６の基板１１に対する格子不整合性が大きくても、井戸層内で濃度が局所的にばらつくことが抑制される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁

The liquid is drawn by suction from the well 8 and/or the microchannel 82a by the relative movement of the tip opening 2a into contact with the bottom surface of the well 8 by the drive part as the suction nozzle 2 is generating a suction force by the suction pressure supplied by the pump.例文帳に追加

吸引ノズル２が、ポンプから供給される吸引圧によって吸引力を発生させながら、駆動部により先端開口２ａがウェル８の底面に接触するまで相対移動することによって、ウェル８及び／又はマイクロ流路８２ａから前記液体の吸引を可能とする。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

In injecting a reagent placed on a well plate WP2 into the well W under observation, the reagent is sucked by the head 100 of the dispenser and then injected by transferring the head 100, through the hole 81 of the transmitted illuminator 8, to the upper part of the well W under observation.例文帳に追加

ウェルプレートＷＰ２に設けられた試薬を観察中のウェルＷ内に注入する場合、分注装置のヘッド１００を用いて試薬を吸引し、そのヘッド１００を透過照明装置８に設けられた孔８１を通して観察中のウェルＷの上方に移動して注入する。 - 特許庁

The p-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the p-type semiconductor layer are larger than the n-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the n-type semiconductor layer, and are less than five times of the n-side end average In composition ratios.例文帳に追加

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 - 特許庁

Formation of a region with an opposite polarity to that of a drain region and a higher impurity concentration than that of a well area of a MOS transistor in a lower part of the drain region of the MOS transistor, can suppress broadening of a depletion layer between the drain and the well toward the well side.例文帳に追加

MOSトランジスタのドレイン領域の下部に、ドレイン領域とは異なる極性でかつ前記MOSトランジスタのウエル領域よりも不純物濃度が高い不純物領域が形成し、ドレインとウエル間の空乏層のウエル側への広がりを抑制することができる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element in an MQW diffraction grating structure to be used mainly for a gain coupling DFB laser, the well layer of an MQW-A is made thicker than that of the well layer of an MQW-B so that the rate of a gain coupling coefficient to a refractivity coupling coefficient can be increased.例文帳に追加

主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられるＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を大きくする。 - 特許庁

The MOS active element includes first and second semiconductor regions a1, b1 formed while being isolated from each other in a surface area of the well region, an insulating film formed on the well region between the first and second semiconductor regions, and a gate conductor layer formed on the insulating layer.例文帳に追加

ＭＯＳ型能動素子は、前記ウェル領域の表面領域に互いに離隔して形成された第１，第２の半導体領域ａ１，ｂ１、前記第１，第２の半導体領域間の前記ウェル領域上に形成された絶縁膜、及び前記絶縁膜上に形成されたゲート導電体層を有する。 - 特許庁

The method for producing the well ignitable/flammable carbonized material obtained by incorporating a well ignitable substance in a porous carbonized material is characterized by immersing the porous carbonized material in the well ignitable substance for a definite time and then pulling up the substance and leaving for a prescribed time.例文帳に追加

多孔質炭化物に良引火性物質を含有させたことを特長とする良着火燃焼性炭化物であり、多孔質炭化物を、良引火性物質内に一定時間浸漬した後に引き上げて、所定時間放置することを特長とする良着火燃焼性炭化物の製造法である。 - 特許庁

Thus, the value of resistance between the diffusion layer 5 of the anode and the short side of the well contact 2 increases, and current from the diffusion layer 5 of the anode cannot flow to the short side of the well contact 2 easily, thus relaxing the concentration of current to the contact hole 3 of the diffusion layer 5 of the anode.例文帳に追加

従って、アノードの拡散層５とウエルコンタクト２の短辺との間の抵抗値が大きくなって、アノードの拡散層５からの電流は、ウエルコンタクト２の短辺側には流れ難くなり、アノードの拡散層５のコンタクトホール３への電流集中が緩和される。 - 特許庁

In the barrier layer 4a, there are many acceptor levels generated in a position in contact with a boundary on the [001] orientation side of the well layer 4b and many donor levels generated in a position in contact with a boundary on the [00-1] orientation side of the well layer 4b to form a modulation doping structure.例文帳に追加

障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００１］方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００-1］方向側の界面と接する部分にドナー準位が多く形成され、変調ドーピング構造となっている。 - 特許庁

The well point device 1 is constituted in such a manner that a pipe having a large diameter is driven and the well point 3 configuring the pipe having the large diameter and a riser pipe 2 are laid in a pit and openings in the pit are filled with sand, and a sand filter 12 is formed and the pipe having the large diameter is removed.例文帳に追加

ウエルポイント装置１は、大径のパイプを打設してから孔の内部に大径のパイプで構成するウエルポイント３とライザーパイプ２とを敷設し、孔の内部の隙間に砂を詰めてサンドフィルター１２を形成してから大径のパイプを除去して構築する。 - 特許庁

To provide a vehicular wheel with a sub air chamber member whose end can be fitted into a well easily and securely when pressing the sub air chamber member toward a side of the well by a pusher and fits it into the well.例文帳に追加

本発明の課題は、副気室部材をプッシャでウェル部側に向けて押圧してウェル部に嵌め込んで取り付ける際に、副気室部材の端部を、簡単にかつ確実にウェル部に嵌め込むことができる副気室部材を備える車両用ホイールを提供することにある。 - 特許庁

Since the well is formed on the surface of the thin plate of 50 to 200μm thickness, the inspection objective body in the well can be observed from the rear side with an inverted microscope, therefore processing the inspection objects, such as seeding the inspection object can be performed easily and surely, without being obstructed by the objective lens of the microscope.例文帳に追加

ウエルが厚さ５０〜２００μｍの薄板表面に形成されているので、ウエル内の被検体を倒立顕微鏡でウエルプレートの裏側から観察することが可能となり、顕微鏡の対物レンズに邪魔されることなく、被検体の播種等の被検体処理を容易かつ確実に行える。 - 特許庁

An N-type embedded well 105 is formed on the bottom of a third well 103 (a first conductivity type region) sandwiched between the wells 102, 104 as a second conductivity type first embedded region connecting the well 102 with the well 104.例文帳に追加

そして、第２ウェル１０２及び第４ウェル１０４に挟まれた第３ウェル１０３（第１伝導型の領域）の底部に、第２ウェル１０２及び第４ウェル１０４をつなぐ第２伝道型の第１埋め込み領域としてＮ型の第１埋め込みウェル１０５を形成する。 - 特許庁

To provide a camera apparatus capable of extremely easily performing visual inspection of a side wall and the bottom of a well in comparison with the conventional case by providing one camera object with both of a camera part capable of visually recognizing the side wall side of the well and a camera part capable of visually recognizing the bottom side of the well.例文帳に追加

１つのカメラ体に井戸の側壁側を視認し得るカメラ部と、底側を視認し得るカメラ部との双方を設けることで従来より極めて簡易に井戸の側壁及び底の視認調査を行うことができるカメラ装置を提供するものである。 - 特許庁