「ⅲ」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The golf ball has the following expressions (I) to (III).例文帳に追加

このゴルフボールは、下記数式（Ｉ）から（III)を具備する。 - 特許庁

III GROUP NITRIDE FILM AND III GROUP NITRIDE MULTI LAYER- FILM例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物膜及びＩＩＩ族窒化物多層膜 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer forming method for forming a group III nitride semiconductor layer having excellent crystallinity, a group III nitride semiconductor substrate manufacturing method, and a group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

It is favorable that the group III metal is gallium.例文帳に追加

上記III族金属は、ガリウムであることが好ましい。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate is to be used for obtaining a group III nitride semiconductor substrate by growing a group III nitride semiconductor layer on the group III nitride semiconductor film 13 and removing the base substrate 11.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 - 特許庁

The active layer 15-1 includes a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

活性層１５−１はIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

To stably grow a crystal of a group III nitride.例文帳に追加

安定してIII族窒化物の結晶成長を行なう。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate excellent in quality.例文帳に追加

良質なIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To form a defect-free III nitride thin film/insulating film.例文帳に追加

欠陥のないIII族窒化物薄膜／絶縁膜を形成する。 - 特許庁

(iii) A total light transmittance is 80% or higher.例文帳に追加

（iii）全光線透過率が８０％以上である。 - 特許庁

The hexagonal group III nitride contains gallium as a group III constituent element, so the principal plane 13a made of the hexagonal group III nitride is more easily oxidized than the (c) plane of the hexagonal group III nitride.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物はIII族構成元素としてガリウムを含むので、六方晶系III族窒化物からなる主面１３ａは、六方晶系III族窒化物のｃ面に比べて酸化されやすい。 - 特許庁

To provide an inexpensive group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

安価なIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁

The group III nitride support substrate 13 has a conductivity.例文帳に追加

III族窒化物支持基体１３は、導電性を有している。 - 特許庁

(iii); An activation energy [Ea] of the flow is less than 30 (KJ/mol).例文帳に追加

(iii)流動の活性化エネルギ-[Ea]が、30(KJ/mol)未満であること。 - 特許庁

To provide group III element added zinc oxide with high crystallinity.例文帳に追加

結晶性の高いIII族元素添加酸化亜鉛を生成する。 - 特許庁

In this medium, a composition of atoms for forming the recording layer has a specific atomic ratio represented by formula (I) AgaInbSbcTexGey, (II) AgaGebSbyTez, (III) AgaGebSbyMATez, (IV) AgaGebSbyMATez or (V) AgaGebSbyZnATez.例文帳に追加

ＡｇａＩｎｂＳｂｃＴｅｘＧｅｙ （Ｉ） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＴｅｚ （II） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＭＡＴｅｚ （III） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＭＡＴｅｚ （IV） ＡｇａＧｅｂＳｂｙＺｎＡＴｅｚ （Ｖ） - 特許庁

This method of production comprises the following processes I to III.例文帳に追加

次の工程Ｉ〜工程IIIからなる製造方法。 - 特許庁

In addition, the group-III nitride grows to a seed crystal.例文帳に追加

また、III族窒化物を種結晶に成長させる。 - 特許庁

Fe-EDTA complex salt is, preferably, a Fe(III)-EDTA complex salt.例文帳に追加

さらに、前記Fe-EDTA錯塩はFe(III) -EDTA錯塩であることが好ましい。 - 特許庁

(iii) gold; (iv) silver; (v) platinum; (vi) palladium; (vii) ferrous scrap; 例文帳に追加

三金 (iii) 四銀 五白金 六パラジウム 七鉄スクラップ - 経済産業省

(iii) alternative corrective measures which may be available.例文帳に追加

(iii) 利用可能な代替的な是正措置 - 経済産業省

(iii) taken in time of war or other emergency in international relations;例文帳に追加

(iii) 戦時その他の国際関係の緊急時にとる措置 - 経済産業省

(iii) Insurance intermediation, such as brokerage and agency;例文帳に追加

(iii) 保険仲介業(例えば、保険仲立業、代理店業) - 経済産業省

(iii) the additional pension for specified occupations under the mutual aid pensions;例文帳に追加

(iii)各共済年金の職域加算年金 - 厚生労働省

iii) Daka River site is currently not heavily polluted by E-Coli.例文帳に追加

iii) ダカ川の大腸菌汚染は現時点では多くない。 - 厚生労働省

To provide a method for forming a group III nitride semiconductor layer capable of forming a group III nitride semiconductor layer with good crystallinity, a method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate using the method for forming a group III nitride semiconductor layer, and a group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The particles including the III group metal element include at least one selected from the group consisting of III group metal simple bodies, oxides of the III group metal elements, and hydroxides of the III group metal elements, and the average particle size of the particles including the III group metal element is 50 nm or less.例文帳に追加

III族金属元素を含む粒子は、III族金属の単体、III族金属元素の酸化物およびIII族金属元素の水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種を含み、III族金属元素を含む粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing group III nitride crystals that removes the surface oxide areas formed on the surface of an aluminum group III nitride substrate, and creates a group III nitride with a good crystal quality on the aluminum group III nitride substrate.例文帳に追加

アルミニウム系III族窒化物基板の表面に形成される表面酸化領域を適切に除去し、アルミニウム系III族窒化物基板上に結晶品質の良好なIII族窒化物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electroluminescent material is a rare earth metal, actinide, or transition metal organic complex which has a photoluminescent efficiency (PL) of greater than 25%, and includes metals selected from Sm(III), Eu(III), Tb(III), Dy(III), Yb(III), Lu(III), and Gd(III).例文帳に追加

Ｓｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、およびＧｄ（ＩＩＩ）から選択される金属を含む。 - 特許庁

Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a group III nitride semiconductor layer, by which the separation of the group III nitride semiconductor layer can be easily separated from a ground substrate and the group III nitride semiconductor layer almost free from damages can be formed; a method for manufacturing the group III nitride semiconductor substrate; and the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体層と下地基板との分離を容易にし、損傷の少ないIII族窒化物半導体層を形成することができる形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The stabilizer for stabilizing selenium in the soil is composed of a lanthanum salt, cerium (III) salt or iron (II).例文帳に追加

ランタン塩、セリウム（III）塩、又は鉄（III）塩からなる土壌中セレンの安定化剤。 - 特許庁

To provide a method for producing a conductive group III nitride crystal, by which a group III nitride crystal having sufficient conductivity is grown in a short time.例文帳に追加

十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal, comprising growing the group III nitride crystal from a mixed melt containing a flux and at least a group III metal and nitrogen by reacting the group III metal and nitrogen, at least one melt of the group III metal and the flux is filled in the interface for growing the group III nitride crystal.例文帳に追加

フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。 - 特許庁

iii. Melt extraction method 例文帳に追加

３　メルトエキストラクション法 - 日本法令外国語訳データベースシステム

iii. Perfluoro alkylamine 例文帳に追加

３　パーフルオロアルキルアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

iii. Tetrahydroxy benzoate 例文帳に追加

３　四ヒドロキシ安息香酸 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Chapter III Execution of Proper Measurement 例文帳に追加

第三章　適正な計量の実施 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) Location of the place of business 例文帳に追加

三　事業所の所在地 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) the date and place of the hearing; and, 例文帳に追加

三　聴聞の期日及び場所 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) a group of juridical persons or individuals; and 例文帳に追加

三　法人又は個人の集合体 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) Type of offenders rehabilitation services; 例文帳に追加

三　　更生保護事業の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Chapter III Offenders rehabilitation services 例文帳に追加

第三章　更生保護事業 - 日本法令外国語訳データベースシステム