「けい化タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

酸化タンタル膜形成用組成物および酸化タンタル膜の製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

インクジェット方式酸化タンタル膜形成用組成物および酸化タンタル膜の形成方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING INK-JET METHOD TANTALUM OXIDE FILM AND METHOD OF FORMING TANTALUM OXIDE FILM - 特許庁

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する。例文帳に追加

The tantalum carbide coating film is formed on a carbon substrate with a process of forming the tantalum carbide coating film. - 特許庁

タンタル酸化物膜形成用組成物、タンタル酸化物膜およびその製造方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM, TANTALUM OXIDE FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

本発明によると、基板上に形成された窒化タンタル膜と、窒化タンタル膜上に形成されたタンタル膜と、タンタル膜上に形成されたＡｕ薄膜とを含む多層薄膜を含む素子に関する。例文帳に追加

The element includes a multilayer thin-film comprising a tantalum-nitride film formed on a substrate, a tantalum film formed on the tantalum-nitride film, and an Au thin-film formed on the tantalum film. - 特許庁

酸化タンタル膜、それを形成する方法および組成物例文帳に追加

TANTALUM OXIDE FILM, FORMING METHOD THEREOF AND COMPOSITION - 特許庁

タンタル化合物、その製造方法、及びタンタル含有薄膜の形成方法例文帳に追加

TANTALUM COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR FORMING TANTALUM-CONTAINING THIN FILM - 特許庁

タンタル化合物、その製造方法、タンタル含有薄膜、及びその形成方法例文帳に追加

TANTALUM COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TANTALUM-CONTAINING THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

タンタル化合物、その製造方法およびタンタル含有薄膜の形成方法例文帳に追加

TANTALUM COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR FORMING TANTALUM-CONTAINING THIN FILM - 特許庁

炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。例文帳に追加

A method for manufacturing the tantalum carbide-coated carbon material which forms the tantalum carbide-coated film 2 on a carbon substrate 1 includes a process of forming a tantalum carbide-coated film on the surface of the carbon substrate 1, and a process of curbulization treatment for curbulizing the tantalum-covered film. - 特許庁

一般式（１）で表されるタンタル化合物を、テトラハロシクロペンタジエニルタンタル誘導体とメチル化金属化合物とを反応させることにより製造し、このタンタル化合物を原料としてタンタル含有薄膜を形成させる。例文帳に追加

The tantalum compound expressed by formula (1) (in the formula Me is a methyl group; n is an integer of 1-5; and R is an alkyl group), is produced by reacting a tetrahalocyclopentadienyl tantalum derivative with a methylated metal compound. - 特許庁

炭化タンタル被覆膜形成工程は、炭素基材の表面に第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１形成工程と、第１炭化タンタル被覆膜上に１回以上新たな炭化タンタル被覆膜を形成する第２形成工程とを有する。例文帳に追加

The process of forming the tantalum carbide coating film includes: a first forming step of forming a first tantalum carbide coating film on a surface of the carbon substrate; and a second forming step of forming a new tantalum carbide coating film more than once on the first tantalum carbide coating film. - 特許庁

酸化タンタル膜の形成方法及び電子部品の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM AND PRODUCTION OF ELECTRONIC PARTS - 特許庁

プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING TANTALUM OXIDE FILM UTILIZING PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD - 特許庁

導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of controllably forming a conductive tantalum nitride film. - 特許庁

これにより、シリコンを含むタンタル酸化膜１２Ｂは還元作用を受けてタンタルが生成され、生成されたタンタルと前工程の酸化性雰囲気の熱処理により導入されたシリコンとが互いに反応してその一部にタンタルシリサイドを含むタンタル酸化膜１２Ｃを形成する。例文帳に追加

Thus, the film 12B containing the silicon is reduced to generate a tantalum, and a tantalum oxide film 12C containing a tantalum silicide is formed at a part by reacting the generated tantalum with the silicon introduced by the heat treating of the oxidative atmosphere of the previous step. - 特許庁

そして、この配線溝にタンタル／窒化タンタル膜２２を形成した後、配線溝を埋め込むように銅膜２４を形成する。例文帳に追加

After a tantalum/tantalum nitride film 22 is formed in the wiring trench, a copper film 24 is formed so that the wiring trench may be embedded. - 特許庁

バリア金属膜１３０は、タンタルアルミニウム窒化膜又はチタンアルミニウム窒化膜で形成される。例文帳に追加

The barrier metal film 130 is formed from a tantalum aluminum nitride film or a titanium aluminum nitride film. - 特許庁

さらにＣＶＤ法により非晶質の酸化タンタル膜５７を堆積し、この酸化タンタル膜５７を酸化性雰囲気で熱処理し、多結晶酸化タンタル膜を形成する。例文帳に追加

Furthermore, an amorphous tantalum oxide film 57 is deposited by CVD method, and the tantalum oxide film 57 is thermally processed in an oxidizing atmosphere to form a polycrystaline tantalum oxide film. - 特許庁

続いて、ＣＭＰ法によって、タンタル／窒化タンタル膜２２および銅膜２４を研磨して配線２５を形成する。例文帳に追加

Continuously, wiring 25 is formed by polishing the tantalum/tantalum nitride film 22 and the copper film 24 by using a CMP method. - 特許庁

タンタル若しくはタンタル合金を真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ_2Ｏ_5が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ_2Ｏ_5を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面にタンタルの炭化物を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The tantalum carbide is formed on the surface of tantalum or a tantalum alloy by placing the tantalum or the tantalum alloy in a vacuum heat treatment furnace, heat-treating the tantalum or the tantalum alloy under a condition where a natural oxide film of Ta_2O_5 is sublimated and removed, introducing a carbon source into the vacuum heat treatment furnace, and then heat-treating. - 特許庁

水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。例文帳に追加

The plasma-excited species of hydrogen reduce the oxidized state of tantalum, thereby yielding a substantially conductive tantalum nitride film on the substrate. - 特許庁

この酸化タンタル膜４の上面を覆うように、酸化インジウム膜５ｂが形成されている。例文帳に追加

An indium oxide film 5b is formed so as to cover the upper surface of this tantalum film 4. - 特許庁

そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。例文帳に追加

A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7. - 特許庁

タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法例文帳に追加

TANTALUM COMPOUND, ITS PRODUCTION METHOD, AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM USING THE SAME COMPOUND AS RAW MATERIAL AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタルおよびその製造方法ならびにそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法例文帳に追加

BIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)TRIHYDROTANTALUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR FORMING TANTALUM CARBIDE FILM OR TANTALUM CARBONITRIDE FILM USING THE SAME - 特許庁

従来のタンタル化合物よりも水に対する反応性が低く、ＣＶＤ法によってタンタル含有薄膜を形成可能なタンタル化合物とその製造方法およびそれを用いたタンタル含有薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a tantalum compound that has reactivity to water lower than that of a conventional tantalum compound and forms a tantalum-containing thin film by a CVD method and to provide a method for producing the same and a method for forming a tantalum-containing thin film using the compound. - 特許庁

保護用のシリコン窒化膜１６と耐キャビテーション用のタンタル膜１７を形成してパターニングする。例文帳に追加

A protective silicon nitride film 16 and a cavitation resistant tantalum film 17 are formed and patterned. - 特許庁

しかる後、このタンタル酸化物膜（１２）上に上部導電膜（１３）を形成する。例文帳に追加

Subsequently, an upper conductive film 13 is formed on this tantalum oxide film 12. - 特許庁

続いて、パターニングした酸化シリコン膜１６をタンタル膜１５上に形成する。例文帳に追加

Patterned silicon oxide films 16 are formed on the tantalum film 15. - 特許庁

これにより、低温でも膜厚が薄くて面内均一性が高いタンタル酸化膜を形成する。例文帳に追加

As a result, the tantalum oxide film which is thin and highly uniform within the plane even at the low temperature is formed. - 特許庁

タンタル電解コンデサ用の陽極素子の湿式成形に用いるタンタル金属粉末分散液であって、素子膜厚の薄膜化に伴いタンタル金属粉末を小粒径化したときも、容量低下の起こりにくいタンタル金属粉末分散液を得る。例文帳に追加

To provide a tantalum metal powder-dispersing liquid which is used for the wet compaction of an anode element for a tantalum electrolytic capacitor, and less liable to reduce the capacitance even when the diameter of the tantalum metal powder is decreased with a thinning trend of the film of the element. - 特許庁

バリア層導体として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物の研磨速度が配線金属膜よりも大きく、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal abrasive solution which is capable of polishing tantalum, a tantalum alloy, tantalum nitride, or other tantalum compounds used as a barrier layer conductor at a higher rate than a wiring metal film and forming a buried metal film pattern of high reliability and a method of polishing a board with the same. - 特許庁

バリア層導体として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物の研磨速度が配線金属膜よりも大きく、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal polishing fluid which can realize the polishing speed of tantalum, tantalum alloy or other tantalum compound used as a barrier conductor layer material faster than the polishing speed of a wiring metal film, and can form the flush pattern of the metal film with high reliability, and to provide a board polishing method using the fluid. - 特許庁

半導体１上に５酸化タンタル膜２を形成したのち、非酸化性ガス雰囲気５中で熱処理を行って５酸化タンタル膜２を結晶化し、次いで、結晶化温度よりも低い温度において、酸化性雰囲気８中で５酸化タンタル膜６を酸化処理する。例文帳に追加

After a tantalum pentoxide film 2 is formed on a semiconductor 1, the tantalum pentoxide film 2 is crystallized through heat treatment in non- oxidizing gas atmosphere 5 and then a tantalum pentoxide film 6 is subjected to oxidation treatment in oxidizing atmosphere 8 at a temperature which is lower than a crystallization temperature. - 特許庁

化学気相堆積によって形成されたタンタルナイトライド化合物の膜のプラズマ処理例文帳に追加

PLASMA TREATMENT OF TANTALUM NITRIDE COMPOUND FILM FORMED BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁

これにより非晶質の酸化タンタル膜を多結晶酸化タンタル膜１４に変化させ、同時に、多結晶酸化タンタル膜１４と半導体基板（ｐ型ウエル１１およびｎ型ウエル１２）との間にシリコン酸化膜１５を形成する。例文帳に追加

The amorphous tantalum oxide film 14 is turned to a polycrystalline tantalum oxide film 14, and a silicon oxide film 15 is formed between the polycrystalline tantalum oxide film 14 and the semiconductor substrate (P-type well 11 and an N-well 12). - 特許庁

タンタル膜７は、ガリウム砒素基板６と炭化珪素膜８との間に配置されてため、炭化珪素膜８は、ガリウム砒素基板６に直接接することなく、タンタル膜７上に皮膜される。例文帳に追加

Since the tantalum film 7 is arranged between the gallium arsenide substrate 6 and the silicon carbide film 8, the silicon carbide film 8 is not contacted directly to the gallium arsenide substrate 6 and coated on the tantalum film 7. - 特許庁

タングステン膜１６および多結晶酸化タンタル膜１４をパターニングしてゲート電極１７および多結晶酸化タンタル膜１４とシリコン酸化膜１５とからなるゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The tungsten film 16 and the polycrystalline tantalum film 14 are patterned into a gate electrode 17 and a gate insulating film composed of the tantalum oxide film 14 and the silicon oxide film 15. - 特許庁

この結果、シリコン基板とハフニウム酸化膜１０５との界面にはタンタルシリサイドとタンタル酸化膜の複合膜１１０が形成されるので、誘電率を低下させるシリコン酸化膜の形成を抑制できる。例文帳に追加

As a result, since a composite film 110 of a tantalum silicide and a tantalum oxide film is formed on a boundary between the silicon substrate and the film 105, a formation of the silicon oxide film for reducing a permittivity can be suppressed. - 特許庁

ゲート電極９ａは、ゲート絶縁膜５上に直接形成された窒化タンタル膜６とこの窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６から形成される。例文帳に追加

The gate electrode 9a is constituted of a tantalum nitride film 6 formed directly on the gate insulating film 5 and a hafnium film 26 formed on the tantalum nitride film 6. - 特許庁

多層配線領域２１０の表面２２２には、タンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜２３０が形成され、回路素子領域１３０への光の入射を抑制する。例文帳に追加

A tantalum film 230 is formed on the surface 222 of the multi-layered wiring region 210 out of a material comprising a tantalum or a tantalum compound, to suppress the optical incidence to the circuit-element region 130. - 特許庁

比誘電率が大きく、リーク電流の少ない高品位のタンタル酸化物膜を容易にかつ効率的に形成でき、高湿度条件の大気下でも長期保存が可能なタンタル酸化物膜形成用組成物、それから形成されたタンタル酸化物膜、およびその製造方法を提供すること例文帳に追加

To provide a composition for forming a tantalum oxide film capable of easily and efficiently forming a high quality tantalum oxide film having a large specific dielectric constant and a less leak current and being preservable for a long time under an atmospheric condition at a high humidity, a tantalum oxide film formed thereby, and its manufacturing method. - 特許庁

絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、窒素を含有しているため、非線形性が高い。例文帳に追加

A tantalum oxide film used for the insulation layer 14x has high non-linearity because it contains nitrogen. - 特許庁

タンタル又はニオブの化成膜及びその形成方法並びにそれを用いた電解コンデンサ例文帳に追加

CHEMICAL CONVERSION COATING OF TANTALUM OR NIOBIUM AND METHOD OF FORMING THE SAME AS WELL AS ELECTROLYTIC CAPACITOR USING THE SAME - 特許庁