「けい化タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled. - 特許庁

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled. - 特許庁

酸化コバルト、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれた少なくとも1種類から成る結晶質の第１酸化物と酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれた少なくとも1種類から成る第２酸化物とを有し、該第１酸化物の結晶粒子の粒界に該第２酸化物が存在する無機化合物膜上に磁性膜を形成した磁気記録媒体とする。例文帳に追加

The second oxide is present in the intergranular region of the crystal grains of the first oxide. - 特許庁

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。例文帳に追加

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method. - 特許庁

ディスク基板上に、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる1種類の酸化物からなる結晶粒子と該結晶粒子の結晶粒界に析出した酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも1種類の酸化物とを有する無機化合物膜を形成し、該無機化合物膜に還元処理を行うことにより前記結晶粒子に磁性を発現させて磁気記録媒体を製造する。例文帳に追加

By this treatment, the grains are allowed to exhibit magnetism and the objective magnetic recording medium is produced. - 特許庁

記録ヘッド用基体の熱作用部１７にて、配線１４から流れる電流により熱エネルギーを発生させる発熱抵抗体膜１３は、シート抵抗が２００Ω／□以上４００Ω／□以下の非晶質窒化珪素タンタルからなり、膜厚が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。例文帳に追加

The heat generating resistor film 13 which generates heat energy by the current flowing from a wiring 14 at a heat working part 17 of the base for the recording head comprises noncrystalline silicon nitride tantalum having a sheet resistivity of 200 Ω/square or more to 400 Ω/square or less and its film thickness is 30 nm or more to 80 nm or less. - 特許庁

本発明は、２元素を主成分とする陽極酸化可能な導体薄膜、特に窒化タンタル薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、加熱による漏れ電流の増大を防ぎ、かつ一定の静電容量を確保し、かつ下部電極の電気抵抗を低く抑えた、高品質・高信頼性の薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a thin-film capacitor which is high in quality and reliability and can prevent increase in leakage current due to heating, ensure constant electrostatic capacity and reduce electrical resistance in a lower electrode, and its manufacturing method, by forming a conductor thin film which is made mainly of two elements and can be anodized, especially a tantalum nitride thin film and anodizing it thereafter. - 特許庁

その後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する陽極酸化工程と、絶縁層１４ｘに水素を導入する水素添加アニール工程とを交互に複数回行う。例文帳に追加

Thereafter, an anodic oxidation step for forming an insulating layer 14x composed of an oxidation film by anodizing the surface of the lower electrode 13x, and a hydrogenation annealing step for introducing hydrogen to the insulating layer 14x are performed a plurality of times alternately. - 特許庁

容量素子と抵抗素子とを有する電子部材の製造方法で、同一材料からなる材料層（ＣＶＤ酸化タンタル膜等）に、窒化と酸化等、それぞれ異なる処理を施すことにより容量素子と抵抗素子とを形成する。例文帳に追加

(1) A manufacturing method of an electronic component having a capacitive element and a resistive element which includes a process, in which material layers (such as a CVD tantulum oxide film) made of identical material are subjected respectively to different treatments to form a capacitive element and a resistive element. - 特許庁

（Ａ）アルコキシシランの加水分解物、（Ｂ）有機溶媒ならびに（Ｃ）チタンアルコキシド化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、ボロンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。例文帳に追加

The insulating film-forming composition contains (A) a hydrolyzed product of an alkoxysilane, (B) an organic solvent, and (C) a hydrolyzed condensation product which is obtained by hydrolyzing and condensing at least one compound selected from the group consisting of a titanium alkoxide, zirconium alkoxide, aluminum alkoxide, tantalum alkoxide, boron alkoxide, titanium chelate, zirconium chelate, aluminum chelate, tantalum chelate, and boron chelate compound. - 特許庁

正方晶の結晶相を有するジルコニウム酸化膜及びタンタル酸化膜を積層した誘電膜を使用して、良好な漏れ電流特性と高い誘電率とを同時に満足させ得るキャパシタの誘電膜の形成方法、その誘電膜を用いたキャパシタ及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a dielectric film of a capacitor capable of simultaneously satisfying an effective leakage current characteristic and a high dielectric constant by using the dielectric film obtained by laminating a zirconium oxide film having a tetragonal crystal phase and a tantalum oxide layer, to provide the capacitor using the dielectric film, and to provide a method for manufacturing the capacitor. - 特許庁

ＮＤフィルタ１０は、平面形状が略円形のガラスである透明基板１１と、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２ ）で形成された低屈折率誘電体薄膜１２と、ニクロム（ＮｉＣｒ）で形成された金属薄膜１３と、五酸化タンタル（Ｔａ_２ Ｏ_５ ）で形成された高屈折率誘電体薄膜１４とで構成されている。例文帳に追加

The ND filter 10 is constituted of a transparent substrate 11 of a glass having almost circularity in a plane section, a low refractive index dielectric thin film 12 formed of magnesium fluoride (MgF_2), a metallic thin film 13 formed of nichrome (NiCr), and a high refractive index dielectric thin film 14 formed of tantalum pentaoxide (Ta_2O_5). - 特許庁

複屈折板１は、五酸化タンタルを斜め蒸着することにより形成した複屈折作用を有する蒸着膜３と、この柱状組織構造の隙間３ａに含浸させて重合硬化させたポリジアセチレンからなる含浸層４とを備えている。例文帳に追加

The birefringence plate 1 is provided with a birefringent vapor- deposited film 3 formed by obliquely vapor depositing tantalum pentoxide and an impregnated layer 4 composed of polydiacetylene impregnated in gaps 3a of the columnar structure, polymerized and hardened. - 特許庁

シリコンウェハ等の半導体層と、二酸化ケイ素等からなる絶縁膜と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも１種の酸化物を含む中間層と、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属からなる感応膜とが、この順に積層されてなるガス感応性積層体とする。例文帳に追加

In the gas-sensitive laminate, a semiconductor layer, such as a silicon wafer or the like, the insulating membrane composed of silicon dioxide or the like, an intermediate layer containing at least one kind of oxide from among titanium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, niobium oxide and molybdenum oxide and the sensitive membrane composed of a metal such as Pd, Pt or the like are laminated in this order. - 特許庁

本発明は、銅などの金属膜、タンタルなどのバリアメタル膜、絶縁膜の研磨性能に優れると同時に、簡単な工程を経ることにより繰り返し使用することの可能な化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨用水系分散体の製造方法および化学機械研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide: an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which is not repeatedly used through a simple process while having superior polishing performance for a metal film of copper etc., a barrier metal film of tantalum etc., and an insulating film; a method of manufacturing the aqueous dispersion for the chemical mechanical polishing; and a method for the chemical mechanical polishing. - 特許庁

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。例文帳に追加

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate comprises a base substrate 11, a nitrided layer 12 of a carbide layer selected from aluminum carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide and vanadium carbide on the base substrate 11, and a group III nitride semiconductor film 13 provided on the nitrided carbide layer 12. - 特許庁

透明導電性膜形成用前駆体液は、（Ａ）チタン化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物と（Ｂ）ニオブ化合物またはタンタル化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物とを含む透明導電性膜形成用前駆体液であって、硝酸および塩酸の少なくとも一方を含有する。例文帳に追加

This precursor liquid for forming a transparent conductive film includes (A) a reaction product made by reacting a titanium compound with hydrogen peroxide and (B) a reaction product made by reacting a niobium compound or a tantalum compound with hydrogen peroxide, and also contains at least either nitric acid or hydrochloric acid. - 特許庁

約７０，０００μＦ＊Ｖ／ｇ未満の比電荷を有するタンタル粉末で形成した陽極体上の誘電体と、該誘電体の少なくとも一部を均一に被覆する酸化マンガン膜を含み、約４０Ａｍｐｓ以上のピークサージ電流を示す固体電解コンデンサ３０。例文帳に追加

The solid electrolytic capacitor 30 includes a dielectric on the anode body, the dielectric being formed of tantalum powder having a specific charge of less than approximately 70,000 μF*V/g, and a manganese oxide film uniformly covering at least a part of the dielectric; and generates a peak surge current equal to or larger than approximately 40 Amps. - 特許庁

化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。例文帳に追加

Wiring coating layers 5 and 5', which cover a lower wiring layer 3a and an upper wiring layer 3b composed of Au on or above a compound semiconductor substrate 1 and are composed of tantalum or titanium that is a metal having a smaller thin film stress than Au and having a high melting point than Au, are formed by sputter. - 特許庁

角型絶縁基板１２の上面に配置された窒化タンタル薄膜からなる抵抗体２１と、該抵抗体の両端部に配置された銅からなる薄膜電極２２と、抵抗体の主要部を被覆する無機材料からなる保護膜２３と、薄膜電極上に形成されためっき電極２４とからなる。例文帳に追加

The fillet-less chip resistor is composed of a tantalum nitride thin film resistor 21 arranged on the top surface of an angular insulating board 12, thin film electrodes 22 of copper arranged on each side of the resistor 21, a protective film 23 which covers the major part of the resistor 21 and is formed of an inorganic material, and plating electrodes 24 formed on the thin film electrodes 22. - 特許庁

互いに反平行な磁化方向を示す第１および第２の磁化固着膜２３１，２３３のうち磁化自由層２５から遠い側の第２の磁化固着膜２３３を、例えばタンタル（Ｔａ），クロム（Ｃｒ）およびバナジウム（Ｖ）のうちの少なくとも１つを含む材料により構成し、０．２５以下のバルク散乱係数を示すようにする。例文帳に追加

From among 1st and 2nd magnetized fixed films 231, 233 which respectively indicate mutually parallel magnetization directions, the 2nd magnetized fixed film 233 which is far from a magnetized free layer 25 is constituted of a material containing at least one of tantalum (Ta), chromium (Cr) and vanadium (V) and indicates bulk scattering coefficient of ≤0.25. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルからなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、この酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。例文帳に追加

In an active matrix electrooptical device, a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element comprises a lower electrode 13 composed of tantalum, an oxide film 14 formed by anodizing the surface of the lower electrode 13, and an upper electrode 15 opposing the lower electrode 13 through the oxide film 14. - 特許庁

基板上１１に、酸化コバルト、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を主体とする結晶粒と、該結晶粒の粒界に非晶質として存在する酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を含む無機化合物膜の下地膜１２を形成し、その上に磁性膜１３を形成する。例文帳に追加

An underlayer 12 which is an inorganic compound film containing grains based on at least one oxide selected from among cobalt oxide, chromium oxide, iron oxide and nickel oxide and at least one oxide present in an amorphous state on the grain boundaries of the grains and selected from among silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, tantalum oxide and zinc oxide is formed on a substrate 11 and a magnetic film 13 is formed on the underlayer 12. - 特許庁

反射防止膜形成用組成物は、式：−ＯＲ（但し、Ｒはアルキル基、アリール基、アラルキル基またはアリールオキシアルキル基を表す。）で示される有機基を有する、タングステン化合物、モリブデン化合物、ニオブ化合物およびタンタル化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物の部分加水分解物および溶剤を含有してなる。例文帳に追加

The compsn. for forming an antireflection film contains a partial hydrolyzate of at least one compd. selected from the group comprising tungsten, molybdenum, niobium and tantalum compds. having an org. group represented by the formula-OR (where R is an alkyl, aryl, aralkyl or aryloxyalkyl) and a solvent. - 特許庁

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。例文帳に追加

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer. - 特許庁

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。例文帳に追加

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load. - 特許庁

少なくとも１つの開口部６を有する基材１と、基材の第１面および開口部を被覆するカーボン膜２と、カーボン膜上に形成された金属層（例えばタンタル層）３と、セラミック層（例えば酸化アルミニウム層）４とを有する透過型電子顕微鏡用グリッドと、それを上下から挟んで固定するホルダー。例文帳に追加

This grid holder sandwiches from the upper and lower sides and fixes this grid for the transmission electron microscope having a base material 1 having at least one opening part 6, a carbon film 2 for covering a first face and the opening part of the base material, a metal later (for example, a tantalum layer) formed on the carbon film, and a ceramic layer (for example, an alumina layer). - 特許庁

透明基材フイルム上に、高屈折率を有するハードコート層及び低屈折率層を積層してなる反射防止フイルムにおいて、上記高屈折率層が、液媒体中にチタン又はタンタルの酸化物ゾルと、メチルトリメトキシシラン等の反応性有機珪素化合物とを含むゾル液から形成された屈折率１．６５以上のゲル膜からなることを特徴とする反射防止フイルム。例文帳に追加

The antireflection film comprises hard coat layers having a high refractive index and low refractive index layers layered on a transparent base film, wherein the high refractive index layer consists of a gel film having a refractive index of 1.65 or more formed from a sol liquid containing an oxide sol of titanium or tantalum and a reactive organosilicon compound such as methyltrimethoxysilane in a liquid medium. - 特許庁

タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。例文帳に追加

At least one junction surface of the tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate is activated by an inert gas or the neutralized beam, ion beam, or plasma of oxygen gas for making into an amorphous form; or an amorphous layer having a desired composition is film-formed in vacuum, at least on one junction surface of the substrates. - 特許庁

プラスチック基材と、真空蒸着で形成された多層反射防止膜とを有する光学部材であって、反射防止膜中の少なくとも１層が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム及び酸化ニオブから選ばれる少なくとも１種の無機物質と、常温、常圧下で液体であるケイ素非含有有機化合物とを蒸着原料として、形成されるハイブリッド層である光学部材である。例文帳に追加

The optical member has the plastic substrate and the multilayer antireflection film formed by vacuum deposition, wherein at least one layer in the antireflection film is a hybrid layer formed using at least one inorganic material selected from silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, yttrium oxide and niobium oxide and a silicon-free organic compound which is liquid at normal temperature and normal pressure as materials for vacuum deposition. - 特許庁

基板上に少なくとも、下側酸化物層、銀系薄膜および上側酸化物層を順次積層した積層膜を配設した電極基板において、下側酸化物層を、酸化セリウムを主材とし、これに酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、および酸化タングステンのうちから選ばれた１種類以上の酸化物を混合した混合酸化物とすることを特徴とする電極基板。例文帳に追加

In an electrode substrate 1 provided with a substrate 10 on which a laminated film 5 comprising at least a lower oxide layer 2, a silver based thin film 3 and an upper oxide layer 4 are laminated successively, the lower oxide layer 2 comprises mixed oxide prepared by mixing cerium oxide as a main component and one or more oxides selected from the group of yttrium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide and tungsten oxide. - 特許庁

また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、ターゲット材としての金属Ｔａ及びＣを含む反応ガスを使用してアークイオンプレーティング（ＡＩＰ）式反応性蒸着法により上記の熱膨張係数を特性値として有する黒鉛基材の表面に炭化タンタルの皮膜を形成する。例文帳に追加

The production method for the carbon composition material for the reducing atmosphere furnace is carried out by using metal Ta as a target material and the reactive gas containing C and forming the tantalum carbide coating film on the graphite substrate having the above thermal expansion coefficient as the characteristic value by an arc ion plating (AIP) type reactive vapor deposition method. - 特許庁

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。例文帳に追加

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation. - 特許庁

ニオブ、チタン、ジルコニウムおよびタンタルの中から選択された１つの材料から実質的になり、材料の純度が９９．９％以上である基材１と、前記基材１の表面上の、少なくとも強酸性腐食性流体と接する領域に形成される前記基材１の陽極酸化皮膜２とからなることを特徴とする耐食性部材３を使用する。例文帳に追加

The corrosion resistant member 3 is composed of a base material 1 substantially consisting of one material selected from niobium, titanium, zirconium and tantalum and having a purity of ≥99.9%, and an anodic oxide film 2 of the base material 1 at least formed on a region contacted with a strongly acidic corrosive fluid on the surface of the base material 1. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。例文帳に追加

In the active matrix type electrooptical device, a nonlinear element 10 used as a pixel switching element is provided with: a lower electrode 13 composed of an alloy film of tantalum and niobium; an insulator 14 obtained by subjecting the surface of the lower electrode 13 to anodization; and an upper electrode 15 confronted with the lower electrode 13 via the insulator 14. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。例文帳に追加

In an active matrix electrooptical device, the step for fabricating a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element performs a first annealing step in an inert atmosphere after an oxide film 14 is formed by anodizing the surface of a lower tantalum electrode 13 before an upper electrode 15 is formed, and a second annealing step for introducing hydrogen atoms into the oxide film by annealing in an atmosphere containing hydrogen. - 特許庁

平均粒径が１００ｎｍ以下の酸化ルテニウム微粒子、窒化チタン微粒子、窒化タンタル微粒子、珪化チタン微粒子、珪化モリブテン微粒子、ホウ化ランタン微粒子、酸化鉄微粒子、酸化水酸化鉄（III ）微粒子のうち少なくとも１種を分散したことを特徴とし、さらにケイ素、ジルコニウム、チタン、アルミニウムの各金属アルコキシド、もしくは各金属アルコキシドの部分加水分解重合物のうち少なくとも１種を含有する選択透過膜用塗布液を特徴とする。例文帳に追加

The coating liquid for selective permeable membrane comprises a dispersion of fine particles having an average diameter of 100 nm or less of at least one of ruthenium oxide, titanium nitride, tantalum nitride, titanium silicide, molybdenum silicide, lanthanum boride, iron oxide and iron (III) hydroxide oxide, and comprises at least one of the alkoxides of silicon, zirconium, titanium and aluminum, and partially hydrolyzed polymers of those alkoxides. - 特許庁

誘電体酸化皮膜層３を形成した陽極体２に、ポリスチレンスルホン酸およびその誘導体を含有する層４を設けた後、複素環式モノマーを含有する溶液と酸化剤を含有する溶液とを個々に含浸または複素環式モノマーと酸化剤を含有する混合液を含浸することにより形成した化学重合性導電性高分子層５を設けた構成のタンタル固体電解コンデンサとしたものである。例文帳に追加

There is provided a tantalum solid electrolytic capacitor having a constitution, such that after a layer 4 containing polystyrene sulfonate and derivatives thereof is provided on an anode body 2 having a dielectric oxide film layer formed thereon, there is provided a chemically polymerized conductive polymer layer 5 formed by individually impregnating a solution containing a heterocyclic monomer and a solution which contains an oxidizing agent or impregnating a mixture solution containing the heterocyclic monomer and oxidizing agent. - 特許庁