「けい化タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ここで、紫外線反射膜は、酸化タンタル層と二酸化ケイ素層とにより形成されていることが好ましい。例文帳に追加

Here, the ultraviolet reflecting film is preferably to be formed of a tantalum oxide layer and a silicon dioxide layer. - 特許庁

この誘電層は窒素膜と酸化膜の二層構造とするか、或いは酸化膜・窒化膜・酸化膜の三層構造とするか、或いはその他の高誘電薄膜、例えば五酸化二タンタルで形成する。例文帳に追加

The dielectric layer has a double layer structure of nitride film and oxide film or a three layer structure of oxide film, nitride film and oxide film, or is formed of the other thin film of high dielectric constant, e.g. tantalum pentaoxide. - 特許庁

銅または銅合金のバリア層として用いられるタンタル、タンタル合金、窒化タンタル、その他のタンタル化合物の高速研磨を可能にし、低砥粒濃度で研磨キズがなく、シニングの少ない信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする金属用研磨液およびそれを用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal polishing solution which is capable of quickly polishing tantalum, tantalum alloys, tantalum nitrides, and other tantalum compounds used as a barrier layer of copper or a copper alloy and has a low abrasive concentration to be free of polishing flaws and is capable of forming a buried metal film pattern of less thinning and high reliability, and to provide a polishing method using the same. - 特許庁

半導体装置３００Ａに形成したＴＦＴ４００において、絶縁層３３０は、温度が３００℃〜４００℃、圧力が０．５ＭＰａ〜２ＭＰａの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜３３１と、ＣＶＤなどの方法により形成されたシリコン酸化膜３３２とから構成されている。例文帳に追加

In a TFT 400 formed in a semiconductor device 300A, a insulation layer 330 comprises a tantalum oxide film 331 that is formed by oxidizing a tantalum film at the temperature of 300-400°C and under the pressure of 0.5-2 MPa, and a silicon oxide film 332 formed by a method such as CVD or the like. - 特許庁

半導体装置３００Ａに形成したＴＦＴ４００において、絶縁層３３０は、温度が３００℃〜４００℃、圧力が０．５ＭＰａ〜２ＭＰａの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜３３１と、ＣＶＤなどの方法により形成されたシリコン酸化膜３３２とから構成されている。例文帳に追加

In a TFT 400 formed in the semiconductor device 300A, an insulating layer 330 is composed of a tantalum oxide film 331 formed by oxidizing a tantalum film under conditions of temperatures of 300-400°C and pressures of 0.5-2 MPa, and a silicon oxide film 332 formed by a CVD method or the like. - 特許庁

ターシャリーアミルイミドトリス（ジメチルアミド）タンタルとその製造方法及びそれを用いたＭＯＣＶＤ用原料溶液並びにそれを用いた窒化タンタル膜の形成方法例文帳に追加

TERTIARY AMYLIMIDETRIS(DIMETHYLAMIDE)TANTALUM, METHOD FOR PRODUCING IT, AND RAW MATERIAL SOLUTION FOR MOCVD AND METHOD FOR FORMING TANTALUM NITRIDE FILM THEREWITH - 特許庁

配線構造に使用される半導体デバイスの基板上に、調節されたタンタル／窒化タンタルの拡散障壁の積み重ねを形成する方法において、後の高温の加工中における膜の積み重ねの付着性及び耐久性を改善する。例文帳に追加

To improve the adhesion and durability of the film stacks during subsequent elevated temperature processing in a method for forming modulated tantalum/tantalum nitride diffusion barrier stacks on semiconductor device substrate used in interconnect structure. - 特許庁

また、酸化タンタル膜は、パルス変調されたプラズマＣＶＤ法等によって成膜され、また成膜時の装置内壁温度を制御することにより、高耐圧・高誘電率な酸化タンタル膜を再現性よく形成することができる。例文帳に追加

Also, the tantalum oxide film is formed by a pulse-modulated plasma CVD method, etc., and the temperature of the inner wall of its manufacturing apparatus is controlled when it is formed, so as to be able to form with a satisfactory reproducibility the tantalum oxide film having a high dielectric constant and withstanding voltage. - 特許庁

Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２の上には、フッ化リチウム層３’と窒化タンタル吸収体層４’からなるパターン５が形成されている。例文帳に追加

A pattern 5 composed of a lithium fluoride layer 3' and a tantalum nitride absorber layer 4' is formed on the Mo/Si multilayer film 2. - 特許庁

絶縁層１４ｘは、窒素を含有するタンタル酸化膜であるため、非線形素子１０ｘは、非線形性に優れている。例文帳に追加

Since an insulating layer 14x is a tantalum oxide film containing nitrogen, the non-linear element 10x has excellent non-linearity. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

When a nonlinear element 10x is manufactured, a tantalum film containing tungsten and nitrogen is used to form a lower electrode 13x, and the surface of the lower electrode 13x is oxidized to form an insulation film 14x formed of a tantalum oxide film. - 特許庁

これにより、従来に比べて塗布性に優れたタンタル酸化膜を有する半導体キャパシタの形成が可能である。例文帳に追加

Thus, the semiconductor capacitor with a tantalum oxide film having better coating property compared with that of the conventional tantalum oxide films is formed. - 特許庁

また、上記組成物を基体上に塗布し、熱および／または光で処理することにより、酸化タンタル膜が形成される。例文帳に追加

The tantalum oxide film is formed, by coating the composition on a substrate and treating it with heat or/and by light. - 特許庁

そして、下部電極３，酸化タンタル膜５および上部電極１２からなる微小容量素子を複数形成する。例文帳に追加

Then, a plurality of small capacity elements are formed, where the elements are composed of the lower electrode 3, the tantalum oxide film 5, and the upper electrode 12. - 特許庁

機能膜１７は、ニオブやタンタル、モリブデンの金属酸化物からなる固体酸触媒で形成されている。例文帳に追加

The functional film 17 is formed of a solid acid catalyst made of the oxide of metal such as niobium, tantalum and molybdenum. - 特許庁

炭素基材４１の表面に、炭素基材４１を被覆した炭化タンタル被覆膜４２が形成されている。例文帳に追加

The tantalum carbide coating film 42 which covers a carbon substrate 41 is formed on a surface of the carbon substrate 41. - 特許庁

酸化タンタルを含む蒸着材料を蒸発させ、発生した蒸発物を被蒸着物上に析出させて蒸着膜を形成するに際し、前記酸化タンタルとして、アンチモン含有量が３０ｐｐｍ以下の酸化タンタルを使用することを特徴とする蒸着膜形成時のスプラッシュの発生を抑制する方法。例文帳に追加

The method of suppressing a splash during vapor-deposited film formation is characterized in using tantalum oxide of ≤30 ppm in antimony content as the tantalum oxide when the vapor deposition material containing the tantalum oxide is vaporized and the vaporized matter is deposited on the object of vapor deposition to form the vapor-deposited film. - 特許庁

次に、例えばＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル）ガスよりなる原料ガスを供給して上記水蒸気と反応させることにより、非常に薄い膜厚が均一なタンタル酸化膜よりなる界面層５０を形成し、引き続いて原料ガスに加えて酸素を流して本来のタンタル酸化膜を界面層上に堆積させる。例文帳に追加

Next by feeding a source gas consisting of, for example, PET(pentaethoxy tantalum) gas and reacting with the water vapor, an interlayer 50 consisting of the tantalum oxide film with a very thin and uniform film thickness is formed, and continuously in addition to the source gas, oxygen is made to flow and an original tantalum oxide film is deposited on the interlayer. - 特許庁

シリコン基板１裏面に下層から順に第１のシリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３が形成されたシリコン基板において、前記シリコン窒化膜３上にタンタルオキサイド膜４を成膜する。例文帳に追加

In the silicon substrate with the first silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 formed in this order from the lower layer at the rear face of the silicon substrate 1, a tantalum oxide film 4 is formed on the silicon nitride film 3. - 特許庁

本発明は、ガラス、樹脂およびセラミックスなどを成形する成形用型などを形成する耐熱性材料または炭化タンタル製膜用のターゲット材として好適に用いられる高純度かつ高密度で機械的強度が高い炭化タンタル焼結体およびその製造方法、ならびにかかる炭化タンタル焼結により形成される成形用型およびターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a tantalum carbide sintered compact having high purity, high density and high mechanical strength and suitably used as a heat resistant material forming a molding die molding glass, resin, ceramics or the like or a target material for tantalum carbide film deposition, to provide a method for producing the same, further to provide a molding die and a target material formed by the tantalum carbide sintered compact. - 特許庁

深孔４２内に表面が粗面化された多結晶シリコン膜４３を形成し、その表面を窒化処理してシリコン窒化膜を形成した後、第１酸化タンタル膜をＣＶＤ法で形成する。例文帳に追加

After a lover electrode 43 of a solid structure is formed, a film-like or island-like first metallic oxide is formed. - 特許庁

金属含有膜形成材料は、次の式（１）に示される有機金属含有化合物を主成分として含む金属含有膜形成材料であって、形成材料中にタンタル元素を含み、タンタル元素の含有量が０．１〜１ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする。例文帳に追加

The film forming material containing the metal is a film forming material containing a metal with an organic compound containing a metal expressed by formula (1) as a principal component, tantalum element is contained in the forming material, and the content of the tantalum element is within the scope of 0.1 to 1 ppm. - 特許庁

半導体基板１００上にポリシリコン膜１１０及びＨＳＧ膜１１２からなる下部電極と、酸化タンタル膜１１４からなる容量絶縁膜と、窒化チタン膜１１５からなる上部電極を形成する。例文帳に追加

A lower electrode consisting of a polysilicon film 110 and an HSG film 112, a capacitor insulating film of tantalum oxide film 114, and an upper electrode of a titanium nitride film 115 are formed on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

接着層パターン上には漏れ電流防止膜パターン４８ａが形成され、漏れ電流防止膜パターンはタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜で構成することが望ましい。例文帳に追加

On the adhesive layer pattern, a leak current preventing film pattern 48a is formed and it is preferable that the leak current preventing film pattern is composed of a tantalum oxide film, silicon nitride film or combination film thereof. - 特許庁

ＤＵＶ光に対し比較的反射率が高い多層膜（２）上に形成される、ＤＵＶ光に対し比較的反射率が低いマスクパターン（５）が、その表面近傍部分のみ又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されている。例文帳に追加

The reflecting type exposure mask comprises the mask pattern (5) formed on a multilayer film (2) having a relatively high reflectivity for a DUV light and having a relatively low reflectivity than that of the DUV light and formed of a tantalum oxide, an oxide of a tantalum alloy or an oxide of a nitrogen tantalum formed only on its surface vicinity part or entirely formed intentionally. - 特許庁

セラミック基板２上にチタンを主成分とした薄膜３を介してルテニウム酸化物，ルテニウム窒化物，タンタル酸化物およびタンタル窒化物のいずれか１種の金属化合物からなる抵抗体層４を一体に形成したことを特徴とする。例文帳に追加

A resistor layer 4, composed of one kind of a metal compound from among ruthenium oxide, ruthenium nitride, tantalum oxide and tantalum nitride is collectively formed on a ceramic substrate 2 via a thin film 3, whose main component is titanium. - 特許庁

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a nonlinear element in which nitrogen can be distributed suitably over the entire thickness direction of a tantalum oxide film when a tantalum oxide film containing hydrogen and nitrogen is employed as an insulating layer, to provide a nonlinear element, and to provide an electro-optic device. - 特許庁

半導体装置３００Ａに形成したキャパシタ６００において、誘電体層３３０は、温度が３００〜４００℃、圧力が０．５ＭＰａ〜２ＭＰａの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜３３１を含んでいるので、耐電圧が高い。例文帳に追加

In a capacitor 600 formed in a semiconductor device 300A, a dielectric layer 330 comprises a tantalum oxide film 331 formed by oxidizing a tantalum film at the temperature of 300-400°C and under the pressure of 0.5-2 MPa, and it has a high breakdown voltage. - 特許庁

下電極を構成するタンタル膜の窒素濃度を増大させなくても、十分な量の窒素を含むタンタル酸化膜を薄く形成することのできる非線形素子の製造方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nonlinear element by which a thin tantalum oxide film containing a sufficient amount of nitrogen can be formed without increasing the nitrogen concentration of a tantalum film constituting a lower electrode, and to provide a method for manufacturing an electro-optical device. - 特許庁

高屈折率膜には酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ジルコニウム等の蒸着材料と低屈折率膜として使用される二酸化ケイ素との混合膜を用いる。例文帳に追加

A mixed film of deposition material such as tantalum oxide, niobium oxide, titanium oxide and zirconium oxide, and silicon dioxide used as the low refractive index film is used as the high refractive index film. - 特許庁

この酸化インジウム膜３ｂの表面および層間酸化膜２の上面の一部を連続して覆うように、化学式Ｔａ_2Ｏ_5で示される酸化タンタル膜４が形成されている。例文帳に追加

A tantalum oxide film 4 expressed by chemical formula Ta2O5 is formed so as to continuously cover the surface of this indium oxide film 3b and part of the upper surface of the interlayer oxide film 2. - 特許庁

本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。例文帳に追加

The zinc oxide-based transparent conductive film-forming material is an oxide sintered compact composed substantially of zinc, niobium and/or tantalum and oxygen, wherein niobium and/or tantalum is contained so as to be X/(Zn+X)=≥0.02 but ≤0.1 in atomic ratio (in the expression, X is niobium and/or tantalum). - 特許庁

第一の金属膜をなすタンタル膜合金膜を、アルコール溶媒の化成液で陽極酸化し絶縁膜中の元素比を調整することで電圧−電流特性の急峻性の大きなＭＩＭ型非線形素子を提供する。例文帳に追加

A tantalum film alloy film for composing a first metal film is subjected to anodic oxidation in the formation liquid of an alcohol solvent for adjusting element ratio in an insulating film, thus providing an MI-type non-linear element with the sharp voltage-current characteristics. - 特許庁

ファラデー回転子４は、基板１の上に二酸化ケイ素SiO_2と五酸化タンタルTa_2O_5とからなる第１の周期的誘電体多層膜３ａが形成され、その上には磁気光学薄膜７が形成され、さらにその上に五酸化タンタルTa_2O_5と二酸化ケイ素SiO_2とからなる第２の周期的誘電体多層膜３ｂとが形成されている。例文帳に追加

In the Faraday rotator 4, a first periodic dielectrics multiplayer film 3a consisting of silicon dioxide SiO_2 and tantalum pentoxide Ta_2O_5 is formed on a substrate 1, a magneto-optical thin film 7 is formed thereon and further a second periodic dielectrics multiplayer film 3b consisting of tantalum pentoxide Ta_2O_5 and silicon dioxide SiO_2 is formed thereon. - 特許庁

発熱抵抗体膜１３は、非晶質窒化珪素タンタルを主成分とし、その表面に形成された酸化膜１３ａの膜厚が２.５ｎｍ以下となっている。例文帳に追加

The film 13 consists mainly of noncrystalline silicon nitride tantalum, and a thickness of an oxide film 13a formed on the surface of the film is 2.5 nm or less. - 特許庁

タンタル酸化被膜の陽極酸化による形成方法において、陽極酸化に要する時間を短縮し、効率良く陽極酸化皮膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a tantalum oxidation coating by an anodic oxidation, by which a time required for the anodic oxidation is reduced and the anodic oxidation coating is formed efficiently. - 特許庁

絶縁層１４ｘを形成する際、気相酸化により、絶縁層１４ｘを形成するのに必要な膜厚のタンタル酸化膜を形成した後、陽極酸化を行う。例文帳に追加

When forming the insulation layer 14x, vapor phase oxidation is conducted to form a tantalum oxide film with a film thickness necessary for forming the insulation layer 14x, and then anodic oxidation is conducted. - 特許庁

半導体基板１上にシリコン酸化膜５を形成する工程と、このシリコン酸化膜５上に酸化タンタル膜６を形成する工程と、ＲＩＥ法により、Ｆを含むガス及びＯ_２を含有するエッチングガスを用い、ＩＣＰソースパワーを印加して、前記酸化タンタル膜６を選択的に加工する工程とを具備する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a process wherein a silicon oxide film 5 is formed on a semiconductor substrate 1; a process wherein a tantalum oxide film 6 is formed on the silicon oxide film 5; and a process wherein by applying IC source power by using gas containing F and etching gas containing O_2 by an IE method, the tantalum oxide film 6 is selectively processed. - 特許庁

化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。例文帳に追加

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained. - 特許庁

タンタル、窒化タンタルと銅の高い研磨速度比（Ｔａ／Ｃｕ、ＴａＮ／Ｃｕ）を発現し、高平坦化及びディッシング量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a metal-polishing liquid which can express a high polishing rate ration (Ta/Cu, TaN/Cu) of tantalum, tantalum nitride and copper, enables high flattening and dishing quantity reduction, and enables the formation of a highly reliable metal film embedded pattern, and to provide a method for polishing with the metal-polishing liquid. - 特許庁

ガラスバルブ１の外表面に設けられた透光赤外線反射膜２の外表面に、酸化タンタル、酸化チタン、酸化タングステン、および酸化モリブデンのうちの少なくとも二種含む透光金属酸化物膜を形成する。例文帳に追加

On the outer surface of the permeated infrared-ray reflecting film 2 installed at the outer surface of the glass bulb 1, a light-permeating metal oxide film containing at least two kinds among tantalum oxide, titania, tungsten oxide and molybdenum oxide is formed. - 特許庁

成長温度が低温でも反応速度が早く、生産性の高いゲート絶縁膜やキャパシタンスの容量絶縁膜等に用いられる半導体装置用絶縁膜、特に酸化タンタル膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an insulation film for semiconductor devices, especially, a tantalum oxide film for gate insulation films and capacitance insulation films, etc. of semiconductor devices, which has a high reaction speed even at low growth temperatures and a high productivity. - 特許庁

成膜時において処理温度の低減、膜へのプラズマダメージの低減を図るとともに膜中へのカーボンの混入を回避した窒化タンタル膜を低温で形成できる。例文帳に追加

To provide a method for forming a tantalum nitride film for dropping the treatment temperature during the film deposition and reducing plasma damage on the film, and avoiding mixture of carbon in the film, and an apparatus for depositing the tantalum nitride film. - 特許庁

低温でも、膜厚の面内均一性が非常に高くて表面粗さは非常に小さく、しかも電気的特性が良好な薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of depositing film for precisely forming a tanta lum oxidation film having a small thickness that has very high in-plane uniform ity of the thickness, very small surface roughness, and moreover satisfactory electrical properties. - 特許庁

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same. - 特許庁