「けい化タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、 前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、 前記処理チャンバを加熱する工程とを含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。例文帳に追加

The method for cleaning the film-forming apparatus is directed at removing deposits which contain tantalum nitride or tantalum and have deposited on the wall of the treatment chamber in the film-forming apparatus that has been already used for forming a thin film of tantalum nitride or tantalum, and comprises the steps of: supplying a treatment gas containing fluorine gas into the treatment chamber in the film-forming apparatus; and heating the treatment chamber. - 特許庁

タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第１工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第１工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第２工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises a first step of depositing tantalum halide, nitrogen source gas and silicon source gas with plasma to form an amorphous tantalum/silicon nitride film on a substrate, and a second step of stopping introducing the silicon source gas and executing the same operation as in the first step to form an amorphous tantalum nitride film on the tantalum/silicon nitride film. - 特許庁

薄膜ヒータ４０が窒化珪素膜８−１／窒化タンタル膜９／窒化珪素膜８−２の三層構造からなるので、窒化タンタル膜９の中に酸素や水分が取り込まれるのが防止され、薄膜ヒータ４０の寿命が長い薄膜ヒータ付き導波路型光部品が得られる。例文帳に追加

Since the thin-film heaters 40 consists of a three-layered structure of a silicon nitride film 8-1/tantalum nitride film 9/silicon nitride film 8-2, oxygen and moisture are prevented from being incorporated the tantalum nitride film 9 and the waveguide type optical parts with the thin-film heaters having the long life of the thin-film heaters 40 are obtained. - 特許庁

その後、酸化膜１９を介した有機絶縁膜１７上にバリア導体膜となるタンタル膜を形成する。例文帳に追加

After that, a tantalum film which turns into a barrier conductor film is formed on the organic insulating film 17 through the oxide film 19. - 特許庁

半導体基板上に支持用絶縁膜、酸化タンタル膜を含む蝕刻終了膜及びモールド用犠牲絶縁膜を順次に形成する。例文帳に追加

A supporting insulating film, an etch-end film containing a tantalum oxide, and a molding sacrifice insulating film are formed in this order on a semiconductor substrate. - 特許庁

低温でも膜厚の面内均一性が高い薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming method capable of precisely forming a tantalum oxide film having a thin film thickness with a high uniformity in the film thickness even at a low temperature. - 特許庁

次に、気相酸化により、第１のタンタルパターン６ａの表面側のみに、非線形素子用酸化膜を構成するための薄い第１のタンタル酸化膜を形成する。例文帳に追加

Then, a thin tantalum oxide film for constituting an oxide film for a nonlinear element is formed only on the surface side of the first tantalum pattern 6a by vapor phase oxidation. - 特許庁

下部電極１５の表面に容量絶縁膜となるタンタル酸化膜１７を堆積した後、タンタル酸化膜１７の上に上部電極１８を形成する。例文帳に追加

After a tantalum oxide film 17 which becomes a capacitor insulating film is deposited on the surface of the electrode 15, an upper electrode 18 is formed on the film 17. - 特許庁

原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a tantalum oxide capacitor which can enhance the property of step coverage of a tantalum oxide thin film, and can enhance the electric property of a capacitor by depositing a tantalum oxide and applying an atomic layer thin film deposition method. - 特許庁

優れた高誘電体膜特性と安定性を有する新しい誘電体膜としてのタンタル窒化酸化膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a tantalum nitride oxide film as a novel dielectric film with superior high dielectric film characteristics and stability. - 特許庁

ウェット酸化法により２００〜４００℃の温度範囲でＣＶＤ法等を用いて成膜した窒化タンタル膜を熱酸化することにより、非化学量論的組成膜とアモルファス構造を有する化学量論的組成膜との積層構造を有する酸化タンタル膜を上記絶縁膜として形成する。例文帳に追加

A tantalum nitride film formed by CVD, etc. in a temperature range of 200-400°C is thermally oxidized by the wet oxidizing method to form an insulation film, i.e., a tantalum oxide film having a laminate structure of a non-stoichiometric composition film, and a stoichiometric composition film having an amorphous structure. - 特許庁

タンタル酸化物膜は、上記組成物の塗膜を形成し、次いで該塗膜に熱および／または光処理することにより形成される。例文帳に追加

The tantalum oxide film is formed by forming a coating film of the composition and then treating it with heat and/or light. - 特許庁

第２工程において、シリコン源ガスの導入を中止することにより、タンタル・シリコン窒化物膜上にシリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物を形成する。例文帳に追加

In the second step, an amorphous tantalum nitride film, i.e., a gradient film is formed on the tantalum/silicon nitride film, by stopping introduction of silicon to gradually reduce the silicon content. - 特許庁

簡便な塗布法により、リーク電流の少ない高品位の酸化タンタル膜を容易に且つ効果的に形成するための組成物、および酸化タンタル膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for easily and effectively forming a high quality tantalum oxide film with small leak current by a simple coating method and to provide a method for forming a tantalum oxide film. - 特許庁

簡便な塗布法により、高湿度条件下でもリーク電流の少ない高品位の酸化タンタル膜を容易に且つ効果的に形成するための、貯蔵安定性組成物、酸化タンタル膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a storage stability composition for easily and effectively forming a high-grade tantalum oxide film with less leak current even under high-humidity conditions by a simple coating application method, and a method for forming the tantalum oxide film. - 特許庁

簡便な塗布法により、リーク電流の少ない高品位の酸化タンタル膜を容易に且つ効果的に形成するための組成物、酸化タンタル膜の形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a composition for forming a high quality tantalum oxide film, having little leakage current using a simple coating method, and to provide a forming method for the tantalum oxide film. - 特許庁

次に、データ線２を給電線として用いて、陽極酸化を行い、第２のタンタルパターン６ｂの表面側のみに、保持容量用酸化膜７２を構成する厚い第２のタンタル酸化膜７ｂを形成する。例文帳に追加

Next, anodic oxidation is performed by using the data line as a feeder to form a thick second tantalum oxide film 7b constituting an oxide film 72 for the holding capacitor only on the surface side of the second tantalum pattern 6b. - 特許庁

さらにＣＶＤ法により非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これを非酸化性雰囲気、８００℃、３分の条件で熱処理して多結晶酸化タンタル膜５８を形成する。例文帳に追加

Further, an amorphous tantalum oxide film is deposited by a CVD method and is heat treated in a non-oxidative atmosphere at 800°C for 3 min. to form a poly-crystal tantalum oxide film 58. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法に従って、無機タンタルハロゲン化物および窒素源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル窒化物の薄膜を形成すること、または無機タンタルハロゲン化物、窒素源ガスおよびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物の薄膜を形成すること。例文帳に追加

By a plasma CVD method, a thin film of amorphous tantalum nitride is formed on a substrate through the plasma decomposition of inorganic tantalum halide and nitrogen source gas, or a thin film of amorphous tantalum nitride is formed on the substrate by the plasma decomposition of inorganic tantalum halide, nitrogen source gas, and a silicon source gas. - 特許庁

層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。例文帳に追加

The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113. - 特許庁

また、本発明は窒化タンタル膜が形成された基板上にタンタルを所定厚さに蒸着させた後に、Ａｕ薄膜を蒸着させて多層薄膜を製造し、これを熱処理する工程を含む素子の製造方法に関する。例文帳に追加

The method of manufacturing the element includes the step of manufacturing the multilayer thin-film by depositing the Au thin-film after tantalum is deposited at a prescribed thickness on the substrate on which the tantalum-nitride film is formed, and a step of heat-treating the element thus formed. - 特許庁

その後、第１層間絶縁膜上に形成した第２層間絶縁膜に窒化タンタル膜に至るビアホールを湿式エッチングにより形成し、第２スパッタリングにより金属膜を堆積して前記ビアホール内に金属膜を形成し、前記窒化タンタル膜に接続するビアを設ける。例文帳に追加

After that, a via hole reaching the tantalum nitride film is formed by wet etching on the second interlayer dielectric formed on the first interlayer dielectric, a metal film is deposited by second sputtering to form the metal film in the via hole, and a via connected to the tantalum nitride film is formed. - 特許庁

次に、タンタル酸化膜１３Ａに対して、酸素ラジカル中で熱処理を行なうことにより、酸素の組成が過剰なタンタル酸化膜１３Ｂを形成する。例文帳に追加

A tantalum oxide film 13B composed of excessive oxygen is formed by processing heat treatment to the tantalum oxide film 13A in an oxygen radical. - 特許庁

ＣＶＤ法でアモルファス状のタンタル窒化物およびタンタル・シリコン窒化物の薄膜を低温で形成して、低抵抗で、かつバリア性の優れたバリアメタル膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a barrier metal film which has low resistance and superior barrier property by forming a thin film of amorphous tantalum nitride or tantalum silicon nitride at a low temperature by CVD method. - 特許庁

基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To enable a rugged part of a substrate to be coated with a tantalum oxide film of uniform thickness, even if rugged parts such as deep groove or steeply stepped part is present on the surface of the substrate. - 特許庁

基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming tantalum oxide thin film, by which a tantalum oxide thin film with a uniform thickness can be coated on a concavity and convexity portion of a substrate even if the concavity and convexity portion such as a deep groove or a step exists on the substrate. - 特許庁

第２の凸部の頂面上からシリコン酸化膜上に亘って、強誘電体膜のタンタル酸ストロンチウムビスマス膜８４を形成する。例文帳に追加

A strontium bismuth tantalate film 84 is formed, which is a ferroelectric film extending from the top surfaces of the second protrusions 62b to the silicon oxide film 83. - 特許庁

ゲート絶縁膜として、酸化タンタル膜を用いることにより、高誘電率、高耐圧のゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

By using a tantalum oxide film as the gate-insulating film, the gate insulation film having a high dielectric constant and withstanding voltage is formed. - 特許庁

ハロゲン及び窒素を含まないタンタル含有薄膜の形成が可能な新規なタンタル化合物とその製造方法、及び膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new tantalum compound formable a tantalum-containing thin film containing neither halogen nor nitrogen, and its production method; and to provide a method of forming the film. - 特許庁

チタン過剰／タンタル欠乏部分により、誘電体薄膜に良く固着し、タンタル過剰／チタン欠乏部分は相互接続薄膜とヘテロエピタキシャル界面を形成し、金属間化合物の形成を抑える。例文帳に追加

Excessive titanium/ insufficient tantalum portion causes the thin film, to firmly stick to the dielectric thin film and the excessive tantalum/insufficient titanium portion suppresses formation of an intermetallic compound by forming a hetero-epitaxial interface with the interconnecting thin film. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、凹部を有するシリコン酸化膜と、凹部内に形成された下部電極と、下部電極の上端近傍に設けられたシリコン窒化膜と、下部電極を覆うように形成された酸化タンタル膜と、酸化タンタル膜上に形成された上部電極とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a silicon oxide film having a recess, a lower electrode formed in the recess, a silicon nitride film provided in the vicinity of the upper end of the lower electrode, the tantalum oxide film formed to cover the lower electrode, and the upper electrode formed on the tantalum oxide film. - 特許庁

ｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1のゲート電極９ａは、アモルファス化した窒化タンタル膜６ａとタングステン膜８より形成される。例文帳に追加

Gate electrode 9a of the n-type MIS transistor Q_1 is formed of a tantalum nitride film 6a rendered amorphous and a tungsten film 8. - 特許庁

一方、ｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2のゲート電極９ｂは、結晶化した窒化タンタル膜６ｃとタングステン膜８より形成される。例文帳に追加

On the other hand, gate electrode 9b of the p-type MIS transistor Q_2 is formed of a crystallized tantalum nitride film 6c and the tungsten film 8. - 特許庁

次に、タンタル酸化膜１２Ｃの上にゲート電極形成用の窒化チタンからなる導体膜１３を堆積する。例文帳に追加

The method further comprises the step of then depositing a conductor film 13 made of a titanium nitride for forming a gate electrode on the film 12C. - 特許庁

少なくともひとつの研磨材、酸化剤、錯化剤、少なくともひとつの膜形成剤および酢酸を含み、酢酸に対する酸化剤の質量比が少なくとも１０か、それより大きい化学的機械研磨スラリーを用いて銅およびタンタルもしくは窒化タンタル、またはタンタルおよび窒化タンタルの両方を含む基体を研磨する。例文帳に追加

The substrate containing copper and tantalum or tantalum nitride, or both tantalum and tantalum nitride is polished using a chemical mechanical polishing slurry including at least a polishing material, an oxidant, a complexing agent, at least a film forming agent, and acetic acid, wherein the mass ratio of the oxidant for acetic acid is at least 10 or larger. - 特許庁

膜中の酸素濃度を制御しつつ、良好な段差被覆性を有する酸化タンタル系の膜を形成する。例文帳に追加

To form an oxide tantalum-based film having a favorable step-coating property while suppressing an oxygen concentration in the film. - 特許庁

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面に炭化タンタル結晶核を形成する結晶核生成工程と、結晶核生成工程後に炭化タンタル結晶核を結晶成長させる結晶成長工程とを含む。例文帳に追加

A method for producing the carbon material coated with tantalum carbide is a method of forming the tantalum carbide coating film on a carbon substrate, and includes: a crystal nucleus forming step of forming a crystal nucleus of tantalum carbide on a surface of the carbon substrate; and a crystal growth step of growing the crystal nucleus of the tantalum carbide after the crystal nucleus forming step. - 特許庁

絶縁層１上にスパッタリングにより窒化タンタル薄膜２を形成する際、窒化タンタルの膜厚方向に対して窒素濃度が変動するように所定の時間ごとにスパッタリングガス中の窒素分圧を変更して窒素濃度の異なる３層の窒化タンタル膜１１〜１３を形成し、これを陽極酸化することにより酸化膜を形成し、誘電体とする。例文帳に追加

When a tantalum nitride thin film 2 is formed on an insulation layer through sputtering, partial pressure of nitrogen in a sputtering gas is changed at a prescribed interval of time, so that the concentration of nitrogen varies in the film-thickness direction of the tantalum nitride, and three layers of tantalum films 11 to 13 are formed, and they are anodized to form an oxide film as a dielectric body. - 特許庁

酸化膜２の表面上、配線溝３及び接続孔４の内壁にタンタル／タンタルナイトライドの積層膜からなるバリアメタル５を形成する。例文帳に追加

A barrier metal 5 formed of a laminated film of tantalum/tantalum nitride is formed on the wiring groove 3 and the inner wall of the connection hole 4. - 特許庁

上電極１６は、窒化タンタル（Ｔａ_2Ｎ）からなる第１の上電極用薄膜１７、および立方晶系構造のタンタルからなる第２の上電極用薄膜１８がこの順に積層されてなる。例文帳に追加

The upper electrode 16 has a first upper electrode thin film 17 of tantalum nitride (Ta_2N) and a second upper electrode thin film 18, comprising tantalum of cubic crystal structure stacked, in this order. - 特許庁

酸化アルミニウム層１４ａと酸化タンタル層１４ｂは、一方の電極薄膜１２上に設けたアルミニウム層とタンタル層を一緒に陽極化成処理することで形成される。例文帳に追加

The aluminum oxide layer 14a and the tantalum oxide layer 14b are formed by anodizing the aluminum layer and the tantalum layer which are formed on one electrode thin film 12 together. - 特許庁

高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖであり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％としてスパッタリングにより成膜されたものである。例文帳に追加

The high sound-quality resistance film consists of a laminate film 2 of a tantalum nitride film 2a and a tantalum film 2b, wherein VCR (voltage coefficient of resistance) is in the range of -150 to +150 ppm/V in the total laminate film. - 特許庁

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。例文帳に追加

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film. - 特許庁

本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A method of forming a high dielectric film by means of semiconductor process equipment comprises the steps of positioning a semiconductor substrate in a chamber in the process equipment, forming a tantalum component containing film on the substrate, and converting the tantalum component containing film into a tantalum nitride oxide film by processing it in the reaction gas. - 特許庁

半導体基板の上に、ＴｉＡｌＮを含む第１の電極膜３０と、酸化タンタルを含む主誘電体膜３１とを形成する。例文帳に追加

A first electrode film 30 containing TiAlN and a main dielectric film 31 containing tantalum oxide are formed over a semiconductor substrate. - 特許庁