「こーどりょういき」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

アノード領域１、カソード領域２、及びアノード領域１とカソード領域２との間に形成された低濃度領域３から構成されるダイオードにおいて、アノード領域１と低濃度領域３との接合近傍領域、およびカソード領域２の内部に結晶欠陥を形成する。例文帳に追加

A diode composed of an anode region 1, a cathode region 2 and a low-concentration region 3 formed between the anode region 1 and the cathode region 2, crystal defects are formed in a junction neighboring region of the anode region 1 and the low-concentration region 3 and in the cathode region 2. - 特許庁

この後、図示しないソース領域、ドレイン領域などを形成する。例文帳に追加

After this, a source region and a drain region which are not shown in a drawing are formed. - 特許庁

このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。例文帳に追加

The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2. - 特許庁

コードで測定される領域の木の量例文帳に追加

the amount of wood in an area as measured in cords  - 日本語WordNet

このｐ^+ 領域２とｎ^+ 領域３およびｐ^+ 領域２とｎ^+ 領域３に挟まれたｎ^- 基板領域１で、ダイオードが形成される。例文帳に追加

A diode is formed by the p+ area 2, the n+ area 3, an n- substrate area 1 which is between the p+ area 2 and the n+ area 3. - 特許庁

このバットレス領域４０又はビード領域４２は、高密度領域である。例文帳に追加

The buttress area 40 or the bead area 42 is a high density area. - 特許庁

ダイオード領域４０内には、低濃度領域４２と、高濃度領域４４が形成されている。例文帳に追加

In the diode region 40, a low concentration region 42 and a high concentration region 44 are formed. - 特許庁

このトレッド４は、センター領域２０と、中間領域２２と、ショルダー領域２４とを備えている。例文帳に追加

The tread 4 includes a center region 20, an intermediate region 22, and a shoulder region 24. - 特許庁

チェック領域には、ヘッダ領域とデータ領域のチェックを行うチェックコードを格納する。例文帳に追加

The header area and a check code for checking the data area are stored in the check area. - 特許庁

ソース領域下方、ゲート領域下方およびドレイン領域下方のチャネル領域底部に連続したｎ型不純物領域を設ける。例文帳に追加

An n-type impurity region is provided continuously at the bottom part of the channel region at the lower parts of the source region, gate region, and drain region. - 特許庁

リードイン領域、ユーザデータ領域およびリードアウト領域を備え、前記リードイン領域、ユーザデータ領域およびリードアウト領域が外周から内周方向に順次に備えられる。例文帳に追加

The optical disk has a lead-in area, a user data area, and a lead-out area and is sequentially arranged with the user data area and the lead-out area from an outer radius to an inner radius. - 特許庁

発光領域７０Ｂ、発光領域７０Ｒ、及び発光領域７０Ｇは面積が相互に異なる。例文帳に追加

The luminous region 70B, the luminous region 70R, and the luminous region 70G have different areas. - 特許庁

赤領域とソーラーブラインド領域の受光部を兼用する。例文帳に追加

A light receiving section is used for both a red gamut and a solar blind range. - 特許庁

半導体発光装置は、ｎ型領域と、ｐ型領域と、該ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光領域とを含んでいる。例文帳に追加

A semiconductor light emitting device comprises an n-type region, a p-type region, and a light emitting region arranged between the n-type region and the p-type region. - 特許庁

各シリコンナノワイヤー１１にはソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成しておく。例文帳に追加

Source, channel, and drain regions are formed in each silicon nanowire 11. - 特許庁

エンジンフードにスカットル領域を組み込むことによって、車両の前方領域を軽量化することができる自動車のフードを提供する。例文帳に追加

To provide an engine hood of an automobile capable of constructing light the vehicle front region by incorporating a scuttle region in the hood. - 特許庁

第２の領域とは異なる伝導形の第３のドープ領域が、第２の領域上に配置される。例文帳に追加

A third dope region having a conduction type different from that of the second region is disposed on the second region. - 特許庁

二次元画像コード、コード領域を含む領域を特定する方法、コード領域を含む領域を特定するプログラム、コード領域を含む領域を特定する装置例文帳に追加

TWO-DIMENSIONAL IMAGE CODE, METHOD FOR SPECIFYING REGION INCLUDING CODE AREA, PROGRAM FOR SPECIFYING REGION INCLUDING CODE AREA, AND DEVICE FOR SPECIFYING REGION INCLUDING CODE AREA - 特許庁

ダイオード領域２０内のカソード領域３０と、ＩＧＢＴ領域４０内のコレクタ領域５２は隣接している。例文帳に追加

A cathode region 30 in the diode region 20 and a collector region 52 in the IGBT region 40 adjoin each other. - 特許庁

または、ソース領域２４側とドレイン領域２５側の両方に低濃度ドーパント領域２７を形成し、ソース領域２４側の低濃度ドーパント領域２７よりも、ドレイン領域２５側の低濃度ドーパント領域の方を長くした非対称ＬＤＤ構造としてもよい。例文帳に追加

Or non-symmetrical LDD structure forming low density dopant areas 27 is also available on both the source area 24 side and drain area 25 side, so that the low density dopant area 27 of the drain area 25 side is longer than the low density dopant area 27 of the source area 24 side. - 特許庁

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。例文帳に追加

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region. - 特許庁

電力量計器箱の内部に配置する、電力量計器の計量データ採録用の接続コードと、この電力量計器の計量データ採録用の接続コードを使用した、電力量計器の計量データ採録方法。例文帳に追加

CONNECTION CORD ARRANGED IN WATT-HOUR METER BOX TO RECORD MEASURING DATA OF WATT-HOUR METER, AND METHOD FOR RECORDING MEASURING DATA OF WATT-HOUR METER BY USING CONNECTION CORD FOR RECORDING MEASURING DATA OF WATT-HOUR METER - 特許庁

そして、チャネル領域と高濃度ボディ領域とは、ソース領域及び第１分離領域の下側領域において接続されている。例文帳に追加

The channel region and high concentration body region are connected in a region under the source region and first separation region. - 特許庁

アノード領域３８と周辺コンタクト領域３５の間には、正孔に対してアノード領域３８よりも高抵抗な領域が介在している。例文帳に追加

A higher resistive region for an electron hole than the anode region 38 is interposed between the anode region 38 and the circumference contact region 35. - 特許庁

高信頼性伝送が必要なコマンドを送信するフレームオーマットを、ＳＦＤ領域，正転ヘッダ領域，正転データ領域，正転用チェック領域，反転ヘッダ領域，反転データ領域，反転用チェック領域とした。例文帳に追加

A frame format for sending a command requiring highly reliable transmission is defined to have an SFD area, non-inverted header area, non-inverted data area, non-inverted check area, inverted header area, inverted data area and inverted check area. - 特許庁

高濃度アノード拡散領域２０ａは、中濃度アノード拡散領域２０ｂと低濃度アノード拡散領域２０ｃで覆われている。例文帳に追加

The high-concentration anode diffusion region 20a is covered with the intermediate-concentration anode diffusion region 20b and the low-concentration anode diffusion region 20c. - 特許庁

また、必要に応じて、ソース領域、ドレイン領域、Ｌｏｖ領域、Ｌｏｆｆ領域への、不純物元素のドーピングを行う。例文帳に追加

An impurity element is doped to a source region, a drain region, a Lov region and a Loff region as required. - 特許庁

また、必要に応じて、ソース領域、ドレイン領域、Ｌｏｖ領域、Ｌｏｆｆ領域への、不純物元素のドーピングを行う。例文帳に追加

Moreover, an impurity element is doped, as required, to the source region, drain region, Lov region and Loff region. - 特許庁

「マクロコード」領域にマクロのコードを入力します。例文帳に追加

Enter the code for macro in the Macro Code area.  - NetBeans

不揮発性半導体記憶装置は、容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ３を構成する容量素子領域Ｃを有する。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage has: a capacitive element region C for composing capacitive elements Cp1-Cp3. - 特許庁

素子分離領域２と、埋め込みビットラインであるソース領域またはドレイン領域３とが交差する領域では、素子分離領域２が形成されず、ソース領域またはドレイン領域３が形成された構成とする。例文帳に追加

An element separation area 2 is not formed in the area where the element separation area 2 and a source area or drain area 3 as a buried bit line cross each other, and the source area or drain area 3 is formed. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴの構造を、ソース領域とドレイン領域でチャネル領域となる半導体領域を挟む構造とした。例文帳に追加

An MISFET employs a structure in which a source region and a drain region interpose a semiconductor region as a channel region. - 特許庁

そして、該コレクタ領域は、電界緩和領域に重なる領域と能動領域に重なる領域共に第二導電型のドーパントがあり、該電界緩和領域に重なる領域には該能動領域に重なる領域と比較して第二導電型のキャリアのキャリア密度が低い領域がある。例文帳に追加

The collector region has second conductivity type dopant in both a region overlapping a field relax region and a region overlapping an active region, and a region of second conductivity type carriers having a lower carrier density as compared with the region overlapping the active region exists in field relax region. - 特許庁

一つのシリコン膜の中に形成される高濃度ドープ領域と低濃度ドープ領域または無ドープ領域について、高濃度ドープ領域のシート抵抗値に対する低濃度ドープ領域または無ドープ領域のシート抵抗値の比を高める。例文帳に追加

To improve the ratio of a sheet resistance value in a low-concentration dope area or non-dope area to a sheet resistance value in a high-concentration dope area concerning the high-concentration dope area and the low-concentration dope area or non-dope area formed in one silicon film. - 特許庁

バーコード画像とコード領域用カラー画像と背景領域用カラー画像を用意し、バーコードリーダで読み取ったときにコード領域と背景領域が分離可能となるように、コード領域用カラー画像と背景領域用カラー画像を輝度補正や色補正する(S1)。例文帳に追加

A barcode image, a color image for a code area and a color image for a background area are prepared, and luminance correction and color correction are applied to the color image for a code area and the color image for a background area so as to separate a code area from a background area when read by a bar code reader (S1). - 特許庁

運行時間帯記録領域１２はそれぞれ予備領域１０ｃと走行距離記録領域１０ｄと走行速度記録領域１０ｅを備えている。例文帳に追加

The operation time band recording area 12 has a preliminary area 10c, a travel distance recording area 10d and a travel speed recording area 10e. - 特許庁

光ディスク内のデータ領域とＰＩＣ領域の領域判定を高精度に行い、所望の領域へのアクセス時間を短縮すること。例文帳に追加

To achieve a highly-accurate space determination of a data space and a PIC space in an optical disk, and shorten an access time to a desired space. - 特許庁

ｎ型半導体領域１２は、ｎ- 半導体領域１２ａ、ｎバッファ領域１２ｂ、ｎ^+ 半導体領域１２ｃから構成される。例文帳に追加

The n-type semiconductor region 12 is constituted of an n^- semiconductor region 12a, an n buffer region 12b, and an n^+ semiconductor region 12c. - 特許庁

ソースＳ、ドレインＤは、それぞれ低濃度エクステンション領域（Ｎ^−領域１５１）、高濃度領域（Ｎ^＋領域１５２）を有する。例文帳に追加

The source S and drain D have a lightly doped extension region (N^- region 151) and a heavily doped region (N^+ region 152), respectively. - 特許庁

多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード例文帳に追加

LIGHT-EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE - 特許庁

この上に、素子分離領域上に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、上記ソース領域および上記ドレイン領域との間であって、上記第２導電型の浅いウェル領域上にチャネル領域を形成する。例文帳に追加

First conductivity source region and drain region are formed on the element separating region, and a channel region is formed on the second conductivity shallow, well region between the source region and the drain region. - 特許庁

バラスト抵抗領域７におけるチャネル領域８に接する領域にドレイン領域１４を形成し、ドレイン領域１４からＳＴＩ領域５を介して離隔した領域にｎ^＋型拡散領域１５を形成する。例文帳に追加

A drain region 14 is formed in a region in contact with a channel region 8 in the ballast resistance region 7, and an n^+-type diffusion region 15 is formed in a region isolated from the drain region 14 via an STI region 5. - 特許庁

トランジスタは、ポリシリコンで形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を有する。例文帳に追加

The transistor has a source region, drain region, and channel region, formed of polysilicon. - 特許庁

コア領域およびクラッド領域は、石英ガラスをベースとするものである。例文帳に追加

The core region and the cladding region are based on silica glass. - 特許庁

ベース領域４の内部には高濃度領域１１が形成されている。例文帳に追加

Heavily doped regions 11 are formed inside the base regions 4. - 特許庁