「なるいえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

ｎ型圧縮応力印加層２２は、ストレインフリーのＡｌＧａＮ層からなる。例文帳に追加

The n-type compressive stress application layer 22 comprises a strain-free AlGaN layer. - 特許庁

素子カバー２は、Ｆｅを主成分としＡｌを添加したＦｅ−Ａｌ合金材料からなる。例文帳に追加

The element cover 2 comprises an Fe-Al alloy material containing Fe as a main component and added with Al. - 特許庁

ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。例文帳に追加

The GaN crystal 550 is formed on the GaN crystal 530 and comprises a plurality of domains 540. - 特許庁

選択した分割エリア８０ｂのＡＦ評価値は、周辺ＡＦ評価値となる。例文帳に追加

The AF evaluation value of a selected divided area 80b is used as a peripheral AF evaluation value. - 特許庁

スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。例文帳に追加

The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%. - 特許庁

スパッタリングターゲットはＡｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。例文帳に追加

The sputtering target is composed of a Ti-Al alloy containing Al in the range of 5-50 atom%. - 特許庁

ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。例文帳に追加

Inter layer dielectric body (ILD) for a via level is preferably different from an ILD for a line level. - 特許庁

ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。例文帳に追加

The GaN crystal 550 is formed on the GaN crystal 530 and comprises a plurality of domains 540. - 特許庁

発光素子２０は、ｎ型ＧａＮ層２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層２３からなる。例文帳に追加

The light emitting element 20 comprises an n-type GaN layer 21, an MQW layer 22, and a p-type GaN layer 23. - 特許庁

ＶＳＳＱ電源パッド２５ｂと２５ｃは異なるＶＳＳＱ電源ボール３２、４１に接続されている。例文帳に追加

The VSSQ power supply pads 25b and 25c are connected to different VSSQ power supply balls 32 and 41. - 特許庁

そして、第１の範囲Ｎ１は、第２の範囲Ｎ２よりも出射機能が低くなるように形成されている。例文帳に追加

The first range N1 is formed so that its light emitting function becomes lower than the second range N2. - 特許庁

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。例文帳に追加

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H. - 特許庁

また表側ＣＩＳ３ｆと裏側ＣＩＳ３ｂは共通構造での実現が可能となる。例文帳に追加

Further, the front side CIS 3f and the rear side CIS 33b are materialized by common structure. - 特許庁

このＡＳの判定方法を用いることで、ＡＳに対する早期発見、早期治療が可能となる。例文帳に追加

By using the method for deciding AS, an early detection and early stage treatment of AS are brought to be possible. - 特許庁

この界面層１５は、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも一種以上からなる。例文帳に追加

The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In. - 特許庁

これにより、コントラストＡＦにおいて多点ＡＦを精度良く行えることとなる。例文帳に追加

As a result, the multi-point AF can be performed with high precision in the contrast AF. - 特許庁

ボンド部材はＴｉ、Ａｌ及びこれらの混合物からなる群から選択される。例文帳に追加

The bond member 6 is selected from the group consisting of Ti, Al and a mixture thereof. - 特許庁

気体状の冷媒ＬＧ２は圧縮機１０１で圧縮されて気体状で高圧の冷媒ＨＧとなる。例文帳に追加

A gaseous refrigerant LG2 is compressed by a compressor 101 to be a gaseous refrigerant HG of high pressure. - 特許庁

この場合、ＶＧ×ＩＤが２０Ｅ−６ＶＡ以上８０Ｅ−６ＶＡ以下となるようにすることが好ましい。例文帳に追加

It is preferred that VG×ID is ≥20E-6VA but ≤80E-6VA. - 特許庁

このとき、ＲＡＭからのデータ読出に伴う待ち時間が少なくなるようにＲＡＭが決定される。例文帳に追加

The RAM is decided so as to reduce a waiting time for data reading from the RAM. - 特許庁

Ａには、Ｌｉ、Ｎａ、及びＮＨ_４からなる群より選ばれる１種又は２種以上を含んでいてもよい。例文帳に追加

A may contain one or more selected from the group consisting of Li, Na and NH_4. - 特許庁

活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。例文帳に追加

The well layer 25 of the active layer 21 is formed of a plurality of InGaN thin layers 24a and 26a. - 特許庁

前記活性層領域における主発光層がＧａＩｎＮＡｓなることが好ましい。例文帳に追加

It is desirable that a main light emission layer in the active layer region consists of GaInNAs. - 特許庁

イエロー用定着装置５３は、イエロー用蛍光ランプ５１と、装置本体６０とからなる。例文帳に追加

A yellow fixing device 53 consists of a yellow fluorescent lamp 51 and a device body 60. - 特許庁

第ｎ＋１ラインの書き込み順序は，第ｎラインの書き込み順序と異なる。例文帳に追加

The writing order of the n+1-th line is different from that of the n-th line. - 特許庁

メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。例文帳に追加

The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n. - 特許庁

ガードリング３０は、ＧａＮ層１３とは第２導電型のｐ型ＧａＮからなる。例文帳に追加

The guard ring 30 is made of a second-conductivity-type p-type GaN to the GaN layer 13. - 特許庁

この合金はＮｉ_ｘＴｉ_ｙＮｂ_(100-x-y)(ただし、ｘ＝２５〜４５、ｙ＝２５〜５５である)からなる。例文帳に追加

The alloy is composed of Ni_xTi_yNb_(100-x-y) (where x=25 to 45 and y=25 to 55 ). - 特許庁

ｐ−ＧａＮ層１、ｎ−ＧａＮ層２、マスク３からなる試料を作製する（図１ａ）。例文帳に追加

A specimen consisting of a p-GaN layer 1, an n-GaN layer 2 and a mask 3 is formed (Fig. 1a). - 特許庁

各接続面14ａ，15ａ，16ａ，17ｂ，19ａの高さが同一となるように、段部11の高さが設定されている。例文帳に追加

The height of the step 11 is set so that heights of the surfaces 14a, 15a, 16a, 17b, and 19a become the same. - 特許庁

第１の部分３ａの外縁は、外縁の外側に向かって凸の滑らかな曲線のみからなる。例文帳に追加

The outer edge of the first part 3a includes only a smooth curve convex, directed outwardly of the outer edge. - 特許庁

なおｘ＝ＷならばＶ＝Ｌ−ｄｗ、ｘ＝ＴならばＶ＝Ｌ−ｄｔとなる。例文帳に追加

In addition, V=L-dw holds when x is equal to W, and V=L-dt holds when x is equal to T. - 特許庁

この表面結晶層１６の内部には、例えばＡｌＧａＮからなる内部層１８を形成する。例文帳に追加

In this surface crystal layer 16, an internal layer 18 is formed of, e.g. AlGaN. - 特許庁

残りの位置104〜111はチャネルＩＦ部およびディスクＩＦ部のボード用となる。例文帳に追加

The other positions 104 to 111 are defined as positions for boards of channel IF parts and disk IF parts. - 特許庁

例えば、前記第１から第ｎのサブビット線は、第１から第ｎの順に短くなる。例文帳に追加

Resistances of the first to n-th sub-bit lines are gradually reduced in order from the first to the n-th line. - 特許庁

この活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を活性エネルギー線により硬化させてなる硬化膜。例文帳に追加

The cured film is provided by curing the resin composition by irradiation of the active energy ray. - 特許庁

Ｎｉ、Ａｌ、希土類元素を含み、残部がＣｏ及び若干の不純物からなるもの。例文帳に追加

Alternatively, the alloy contains Ni, and Al and rare earth elements, and the balance Co with a small quantity of impurities. - 特許庁

そして、本実施例ではＳ／Ｘ≦ｔａｎ１８°、好ましくはＳ／Ｘ≦ｔａｎ１０°となるようにしている。例文帳に追加

S/X≤tan18°, preferably S/X≤tan10° is held in the example. - 特許庁

ボンド部材はＴｉ，Ａｌ及びこれらの混合物からなる群から選択される。例文帳に追加

The bond material is selected among a group comprising Ti, Al, and mix of these. - 特許庁

さらに、熱伝導度が高い液体からなる放熱用流体Ｌをケース１内に収容している。例文帳に追加

Further, heat radiating fluid L made of a liquid with high thermal conductivity is housed in the case 1. - 特許庁

ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed. - 特許庁

大企業の経営者と中小企業の経営者で、その役割は大きく異なる。例文帳に追加

The roles of entrepreneurs at large enterprises and entrepreneurs at SMEs differ considerably. - 経済産業省

とはいえ、それらはやがて、わたしの意識に遥かに恐ろしい形で取り憑くことになるのです。例文帳に追加

Yet all the same, they were soon destined to take far deadlier possession of my mind.  - H. G. Wells『タイムマシン』

時代が新しくなると月代も広くとるようになるが、これで前髪を落としたのがいわゆる「バカ殿」の髪型といえば分かりやすいだろう。例文帳に追加

Sakayaki became wider over time, and a hairstyle that has wide sakayaki with bangs been cut off is the hairstyle of so-called 'Baka Tono' (parody of a feudal lord).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アルカリ電解液電池の負極の組成及び組成からなるアノード、このアノードからなるアルカリ電解液電池例文帳に追加

COMPOSITION OF ANODE OF ALKALINE ELECTROLYTIC SOLUTION BATTERY, ANODE COMPOSED OF THE COMPOSITION, AND ALKALINE ELECTROLYTIC SOLUTION BATTERY COMPOSED OF THIS ANODE - 特許庁