「なるいえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

暗くなる前に家に帰ろう。例文帳に追加

It will return to the house before becoming dark.  - Tanaka Corpus

は永遠に停止し続けることになる。例文帳に追加

would block indefinitely.  - JM

宮廷絵所預になる。例文帳に追加

He became Kyutei Edokoro azukari (Head of the Courtly Office for Paintings).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

藤間流の家元となる。例文帳に追加

He became the head master of the Fujima style.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

行き違い駅となる。例文帳に追加

It became a station where two trains could pass each other.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

細川家領地となる。例文帳に追加

The area was owned by the Hosokawa family.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

救命浮袋となる水泳帽例文帳に追加

SWIMMING CAP TO BE LIFESAVING BUOYANCY BAG - 特許庁

熱可塑性エラストマーからなる。例文帳に追加

It is formed of a thermoplastic elastomer. - 特許庁

『これはすばらしい絵になるぞ』例文帳に追加

'That will make a beautiful picture,'  - Hans Christian Andersen『絵のない絵本』

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１上には、Ａｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓからなる第１光ガイド層１３と、ＧａＡｓからなる量子井戸活性層１４と、ＡｌＧａＡｓからなる第２光ガイド層１５と、ｐ型Ａｌ_0.5 Ｇａ_0.5 Ａｓからなる第２クラッド層１６とが順次形成されている。例文帳に追加

A first optical guide layer 13 of Al0.3Ga0.7As, a quantum well active layer 14 of GaAs, a second optical guide layer 15 of AlGaAs, and a second clad layer 16 p-type Al0.5Ga0.5As, are sequentially formed on a substrate 11 of n-type GaAs. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ｎ^+ −ＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層５、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第２エミッタ層６、ｎ^+ −ＧａＡｓからなる第１キャップ層７、ｎ^+ −ＩｎＧａＡｓからなる第２キャップ層８を設ける。例文帳に追加

A sub-collector layer 2 of n+-GaAs, a collector layer 3 of n- GaAs, a base layer 4 of p-GaAs, a first emitter layer 5 of n-InGaPs, a first cap layer 7 of n+-GaAs, and a second cap layer 8 of n+-InGaAs are provided on a semi-insulating GaAs substrate 1. - 特許庁

入梅になると家の中が湿っぽくなる例文帳に追加

All is damp in the rainy season.  - 斎藤和英大辞典

特定の物質からなる繊維Ａからなる防炎カーテン例文帳に追加

Nonflammable curtain made of fiber A composed of certain substances.  - 特許庁

Ｖin2＝Ｖ２において、Ｖin1＞Ｖｔになると、Ｖout＝ＶＬになる。例文帳に追加

If Vin2=V2, and the Vin1 becomes Vin1>Vt, then the Vout becomes Vout=VL. - 特許庁

単結晶ＧａＡｓよりなる基板１の一面に、バッファ層２を介して、ＡｌＧａＡｓよりなる第２の障壁層３、ＩｎＧａＡｓよりなるチャネル層４、ＩｎＧａＰよりなる第３の障壁層１２、およびＡｌＧａＡｓよりなる第１の障壁層１１が順次積層される。例文帳に追加

A second barrier layer 3 formed of AlGaAs, a channel layer 4 formed of InGaAs, a third barrier layer 12 formed of InGaP, and a first barrier layer 11 formed of AlGaAs, are sequentially laminated on one face of a substrate 1 formed of single crystal GaAs through a buffer layer 2. - 特許庁

あの角の家がお尋ねになる家です例文帳に追加

That house on the corner is the one you want.  - 斎藤和英大辞典

あの村の取りつきの家がお尋ねになる家です例文帳に追加

The first house you will see on entering that village is the one you want.  - 斎藤和英大辞典

なるほど彼女はかわいいが美人とはいえない。例文帳に追加

She is no doubt pretty, but she isn't beautiful. - Tatoeba例文

家族のことを思い浮かべるといえが恋しくなる。例文帳に追加

I feel homesick when I remember my family. - Tatoeba例文

とはいえ、彼は適材となるかもしれない。例文帳に追加

Still, he may turn out to be just the right man for the job. - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

家族のことを思い浮かべるといえが恋しくなる。例文帳に追加

I feel homesick when I remember my family.  - Tanaka Corpus

なるほど彼女はかわいいが美人とはいえない。例文帳に追加

She is no doubt pretty, but she isn't beautiful.  - Tanaka Corpus

酒が「液体」として商品になるゆえんともいえる。例文帳に追加

We can say that it is one of reasons to make sake a "liquid" merchandise."  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

即ち、パルスの電圧振幅Ｖ＝ＶＭ−ＶＬとなる。例文帳に追加

Namely, a pulse voltage amplitude of V=VM-VL is established. - 特許庁

ゲート電極１８は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる。例文帳に追加

The gate electrode 18 is made of AlGaInP mixed crystal. - 特許庁

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。例文帳に追加

A well layer 23a of the active layer 17 includes InGaN. - 特許庁

ベース基板は、例えば単結晶ＧａＡｓからなる。例文帳に追加

The base substrate is composed of, for instance, a single crystal GaAs. - 特許庁

量子井戸層は、ＡｌＩｎＮからなる。例文帳に追加

The quantum well layer is composed of AlInN. - 特許庁

続いて、ＡｌＡｓよりなる半導体層１２を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a semiconductor layer 12 made of AlAs is formed. - 特許庁

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。例文帳に追加

A well layer 23a in the active layer 17 is composed of InGaN. - 特許庁

この中間層４も真性ＧａＡｓからなる。例文帳に追加

The intermediate layer 4 is also made of intrinsic GaAs. - 特許庁

イエスさまの聖なる貴い血潮、イエスさまの無実の体例文帳に追加

but His holy, precious blood, His innocent body  - Translation by Robert E. Smith『マルチン・ルターの小信仰問答書』

量子細線５は、例えばＩｎ_XＧａ_1-XＡｓ（０＜Ｘ≦１）からなる。例文帳に追加

The quantum wire 5 is composed of In_XGa_1-XAs (0<X≤1) for instance. - 特許庁

第１と第２の核生成層は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎよりなる。例文帳に追加

The first and second nucleation layers are composed of Al_xIn_yGa_(1-x-y) N. - 特許庁

ＩＮ１とＩＮ２は接続され等価回路に示すＩＮと等価となる。例文帳に追加

IN1 and IN2 are connected and become equivalent to IN of an equivalent circuit. - 特許庁

セラミック基板はそれぞれＡｌＮ、Ａｌ_2Ｏ_3又はＳｉ_3Ｎ_4のいずれかからなる。例文帳に追加

The ceramic substrate is constituted of one among AlN, Al2O3 and ASi3N4. - 特許庁

酸化物４は、例えばＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４、ＣｏＡｌ_２Ｏ_４、ＮｉＡｌ_２Ｏ_４からなる。例文帳に追加

The oxide 4 is made of, for example, at least one of MgAl_2O_4, MnAl_2O_4, CoAl_2O_4 and NiAl_2O_4. - 特許庁

量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、量子ドット６２１は、ＩｎＧａＡｓからなる。例文帳に追加

The quantum dot 611 is made of InAs, and the quantum dot 621 is made of InGaAs. - 特許庁

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。例文帳に追加

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire. - 特許庁

ＧａＡｓより成るベース層とＩｎＧａＰより成るエミッタ層との間にＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓの何れか一つの層を厚さ２から３nm形成したことにある。例文帳に追加

Between a base layer comprising GaAs and an emitter layer comprising InGaP, a layer comprising one out of InAs, InGaAs, InAsP, GaAsP or AlGaAs that has a thickness of 2-3 nm is formed. - 特許庁

半導体基板（１４）はＧａＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮのうちの１つから成る。例文帳に追加

A semiconductor substrate 14 comprises one selected from the group of GaN, SiC, AlN, InN, AlGaN, InGaN, and AlInGaN. - 特許庁

サファイアよりなる基板１１の一面に、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層２５ｂ，ＩｎＧａＮよりなる活性層２６およびｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層２７ｃなどを積層した構造部２０を形成する。例文帳に追加

A structure 20 composed of an N-type AlGaN clad layer 25b, an InGaN active layer 26, and a P-type AlGaN clad layer 27c is formed on the one surface of a sapphire substrate 11. - 特許庁

該トラップ層１３は、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＡｓ層を成長する場合に、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上に、ＩｎＡｓからなる量子ドットが自己組織的に形成される。例文帳に追加

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer. - 特許庁

活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層と、Ｇａ_０．６Ｉｎ_０．４Ｐからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。例文帳に追加

An active layer 104 has a quantum well structure including: a well layer constituted of GaInPAs; and a barrier layer constituted of Ga_0.6In_0.4P. - 特許庁

ＳｒＡｌ_２なる組成の二元合金からなる水素吸蔵材料。例文帳に追加

This hydrogen storage material consists of a binary alloy having the composition of SrAl2. - 特許庁