「なるいえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ハマナツメモドキ（Ｘｉｍｅｎｉａ ａｍｅｒｉｃａｎａ Ｌ．）の抽出物からなることを特徴とする抗男性ホルモン剤原料を配合してなる抗男性ホルモン剤組成物を提供する。例文帳に追加

The antiandrogenic agent composition comprises the raw material for an antiandrogenic agent composed of an extract of Ximenia americana L. - 特許庁

チップ本体３０の刃部表面の主被覆膜となるＴｉＡｌＮ膜３２を備え、さらに、該ＴｉＡｌＮ膜３２の表面に副被覆膜となるＴｉＡｌ膜３４を備えている。例文帳に追加

The tip is provided with a TiAlN film 32 serving as a main cover film on the blade section surface of a tip main body 30 and a TiAl film 34 serving as a sub-cover film on the surface of the TiAlN film 32. - 特許庁

ここで勝四郎は病にかかり、雀部の親戚の児玉の家に厄介になることになる。例文帳に追加

There Katsushiro gets sick, and he stays at a house of SASABE's relatives, the Kodama family.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

慶長3年（1598年）の頃になると秀吉と共に利家も健康の衰えを見せ始めるようになる。例文帳に追加

In 1598 or so, not only Hideyoshi but also Toshiie began to show the decline of health.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

「あさしお」・・・抽象列車名となるが、強いて言えば「朝焼けの天橋立」をイメージしたものとなる。例文帳に追加

Asashio': It is quite abstract but is probably an image of 'red sky in the morning in Amanohashidate.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

非水電解質は、非水溶媒からなる電解液と、金属塩からなる電解質塩を含む。例文帳に追加

A nonaqueous electrolyte contains electrolyte comprising a nonaqueous solvent and electrolyte salt comprising metal salt. - 特許庁

シリカゲルを担持してなる軟質ポリウレタンフォームよりなるインク廃液吸収体。例文帳に追加

The ink waste liquid absorber comprises soft polyurethane foam carrying silica gel. - 特許庁

変性エチレン−ビニルアルコール共重合体からなる粉体及びそれからなる粉体塗料例文帳に追加

POWDER COMPRISING MODIFIED ETHYLENE-VINYL ALCOHOL COPOLYMER AND POWDER COATING COMPRISING THE SAME - 特許庁

この物質は、ＭｇとＡｌとからなる合金、または、ＭｇとＣｕとからなる合金である。例文帳に追加

This material is an alloy made of Mg and Al or an alloy made of Mg and Cu. - 特許庁

そのため、躯体Ｓが騒音の一部を吸収することとなるから防音性能に優れるものとなる。例文帳に追加

Thus, since the skeleton S absorbs a part of the noise, soundprooof performance is improved. - 特許庁

吸収速度が速くなるので、電解液が二次電池から漏出することが少なくなる。例文帳に追加

That increases the speed of absorption, and there will be less electrolyte solution leaking from a secondary battery. - 特許庁

粘着層１４は、ポリアクリル酸塩からなる含水ゲルや、ＳＩＳ系粘着剤からなる。例文帳に追加

The pressure-sensitive adhesive layer 14 comprises hydrous gel composed of a polyacrylate salt, or an SIS(styrene-isoprene-styrene)-based pressure-sensitive adhesive. - 特許庁

（Ａ）と（Ｂ）とが交互に化学結合してなる構造からなることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the polypeptide consists of a structure of chemically bonding the (A) and (B) alternately. - 特許庁

合成樹脂フィラメントＢ１の束からなる清浄材Ｂ、保持体Ｍ、ブラシ柄Ｈからなる。例文帳に追加

The cleaning implement includes the cleaning material B including the bundle of synthetic resin filaments B1, the holder M, and a brush handle H. - 特許庁

当該断片は、ＩＬ−１８が誘発因子となる疾患治療の新しい標的分子となる。例文帳に追加

The fragment is a new target molecule for treating diseases in which IL-18 is an inducer. - 特許庁

半導体積層体Ａと半導体積層体Ｂとでは層構造が異なる構成となる。例文帳に追加

The semiconductor laminates A, B have different layer structures. - 特許庁

ＡｌまたはＡｌ合金からなるバルブリフター本体と化合物層を、ＡｌまたはＡｌ合金と化合物の混合相からなる厚さ：５０〜１０００μｍの接合層を介して接合してなるバルブリフター。例文帳に追加

The valve lifter is constituted by joining a valve lifter body composed of Al or Al alloy to a compound layer through a joining layer composed of mixed phases of Al or Al alloy and compound and having 50 to 1000 μm thickness. - 特許庁

また、Ａｌ_w Ｉｎ_x Ｇａ_1-w-x Ｎ（０＜ｗ＜１，０＜ｘ＜１）からなる層と、Ａｌ_y Ｉｎ_z Ｇａ_1-y-z Ｎ（０＜ｙ＜ｗ，ｘ＜ｚ＜１）からなる層とを交互に積層してなる多重構造を有していても良い。例文帳に追加

They may comprise a multiplex structure, where a layer of Al_wIn_xGa_1-w-xN (0<w<1, 0<x<1) and a layer of Al_yIn_zGa_1-y-zN (0<y<w, x<z<1) are laminated alternately. - 特許庁

ＩｎＧａＰからなりエミッタ層５となるエピタキシャル層とベース層６となるエピタキシャル層との間に、ＡｌＧａＡｓＰ層１１を挿入することで再結合中心となる準位の濃度が低下する。例文帳に追加

An AlGaAsP layer 11 is inserted in a part between an epitaxial layer which is composed of InGaP and turned into an emitter layer 5 and an epitaxial layer which is composed of InGaP and turned into a base layer 6, thereby decreasing concentration of a level that is a recombination center. - 特許庁

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。例文帳に追加

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN. - 特許庁

サファイアよりなる基板１１の上にundope−ＡｌＧａＮよりそれぞれなるバッファ層１２および下地層１３を介してｎ型ＡｌＧａＮよりなる電子供給層１４およびｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５が順次積層されている。例文帳に追加

An n-type electron feeding layer 14 made of AlGa and an n-type electron transit layer 15 made of GaN are formed sequentially with an un-doped AlGaN buffer layer 12 and an un-doped AlGaN base layer 13 in between on a sapphire substrate 11. - 特許庁

α’ＳｉＡｌＯＮ相及びβ’ＳｉＡｌＯＮ相から成る二相複合体を含むＳｉＡｌＯＮ材料。例文帳に追加

The SiAlON material includes a two phase composite of an α' SiAlON phase and a β' SiAlON phase. - 特許庁

ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ—ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。例文帳に追加

A semiconductor laminated structure including a p-type InP clad layer 12, an AlGaInAs lower optical confinement layer 13, an AlGaInAs-MQW active layer 14, an n-type AlGaInAs upper optical confinement layer 15, and an n-type InP clad layer 16 is formed on a p-type InP substrate 11. - 特許庁

有機金属気相成長法によりＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層、ＧａＩｎＰエピタキシャル層およびＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長させてなる化合物半導体エピタキシャルウェハ。例文帳に追加

In the compound semiconductor epitaxial wafer, a GaAs epitaxial layer, a GaInP epitaxial layer and an AlGaInP epitaxial layer are successively grown on a GaAs substrate by an organo-metallic vapor phase growth method. - 特許庁

ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４の上には、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４と接し且つソース電極及びドレイン電極となるＴｉ／Ａｌオーミック電極５が形成されている。例文帳に追加

On the n-type InAlGaN cap layer 4, Ti/Al ohmic electrodes 5 serve as a source electrode and a drain electrode, and are formed in contact with the n-type InAlGaN cap layer 4. - 特許庁

続いて、水素アニールを行い、Ａｌ層３のＡｌと、Ｔｉ層、Ｔｉ／ＴｉＮ層４及びＴｉ／ＴｉＮ膜１３のＴｉとを合金化させ、Ａｌ配線６の周囲にＴｉＡｌ_３からなる被覆膜１４を形成する。例文帳に追加

Continuously, hydrogen annealing is performed to alloy Al of the Al layer 3 with Ti of a Ti layer, a Ti/TiN layer 4 and the Ti/TiN film 13, such that a coating 14 composed of TiAl_3 is formed around the Al wiring 6. - 特許庁

図示の構成においてＰｆ０とＰａ０を等しくすると、Ｐｆ２＝Ｐａ１なので、ＡｆおよびＡａを流れる流体が同一で状態が等しいとき、ＡｆとＡａを通過する流速が等しくなり、Ａａ／Ａｆ＝ｍａ／ｍｆとなる。例文帳に追加

At a composition shown in a drawing, when Pf0 is made equal to Pa0, since Pf2=Pa1, when a fluid running through Af and Aa is identical and in the same condition, a flow velocity at passing through Af and Aa is equal, and is expressed by the equation Aa/Af=ma/mf. - 特許庁

実数部Ｑ（Ｒｅ）＝（Ｘ（Ｒｅ）−Ｙ（Ｒｅ））・Ｚ（Ｒｅ）−（Ｘ（Ｉｍ）−Ｙ（Ｉｍ））・Ｚ（Ｉｍ）、虚数部Ｑ（Ｉｍ）＝（Ｘ（Ｒｅ）−Ｙ（Ｒｅ））・Ｚ（Ｉｍ）＋（Ｘ（Ｉｍ）−Ｙ（Ｉｍ））・Ｚ（Ｒｅ）なるバタフライ演算を行う。例文帳に追加

The butterfly operation is performed, in which a real number part Q(Re)=(X(Re)-Y(Re))×Z(Re)-(X(Im)-Y(Im))×Z(Im), an imaginary part Q(Im)=(X(Re)-Y(Re))×Z(Im)+(X(Im)-Y(Im))×Z(Re). - 特許庁

その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。例文帳に追加

After that, Sb is supplied as the surfactant during the growth of a GaInAs mixed crystal or a GaInNAs mixed crystal, and the quantum well layer 105 which is composed of GaInAsSb or GaInNAsSb is grown up on a substrate. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板１００上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０１やｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層１０３等からなる半導体多層膜を順次エピタキシャル成長した後、ＳｉＮ膜を堆積し、パターニングを行う。例文帳に追加

Semiconductor multi-layer films constituted of n-InGaAsP light absorption layers 101 or n-InGaAs light receiving layers 103 or the like are epitaxially grown on an n-InP substrate 100, and an SiN film is deposited and patterned. - 特許庁

アバランシェ電界効果トランジスタのキャリア注入層１４をＩｎＡｌＡｓ層、ＩｎＡｌＮＡｓ層、あるいはＧａＩｎＮＡｓ層で形成することで、高速・高効率・低雑音の増幅動作が可能となる。例文帳に追加

A carrier injection layer 14 of the avalanche field effect transistor is formed by an InAlAs, an InAINAs, or a GaInNAs layer, thus enabling quick, efficient, and low-noise amplification operation. - 特許庁

実数部Ｑ（Ｒｅ）＝（Ｘ（Ｒｅ）−Ｙ（Ｒｅ））・Ｚ（Ｒｅ）−（Ｘ（Ｉｍ）−Ｙ（Ｉｍ））・Ｚ（Ｉｍ）、虚数部Ｑ（Ｉｍ）＝（Ｘ（Ｒｅ）−Ｙ（Ｒｅ））・Ｚ（Ｉｍ）＋（Ｘ（Ｉｍ）−Ｙ（Ｉｍ））・Ｚ（Ｒｅ）なるバタフライ演算を行う。例文帳に追加

The operation device performs butterfly operations for computing a real part of Q(Re)=(X(Re)-Y(Re))×Z(Re)-(X(Im)-Y(Im))×Z(Im) and an imaginary part of Q(Im)=(X(Re)-Y(Re))×Z(Im)+(X(Im)-Y(Im))×Z(Re). - 特許庁

レーザダイオード３０ａ，３０ｂは、１４８０ｎｍ帯でレーザ発振するＩｎＧａＡｓＰ製ＦＰ−ＬＤからなる。例文帳に追加

Laser diodes 30a and 30b are FP-LDs made of InGaAsP which laser oscillate in a 1,480 nm band. - 特許庁

ジフルオロメタン１０ｍａｓｓ％〜６０ｍａｓｓ％とトリフルオロヨードメタン９０ｍａｓｓ％〜４０ｍａｓｓ％からなる不燃性冷媒組成物。例文帳に追加

The nonflammable composition comprises 10-60 mass% of difluoromethane and 90-40 mass% of trifluoroiodomethane. - 特許庁

ＴｉＳｉＮ薄膜およびその成膜方法、半導体装置およびその製造方法、ならびにＴｉＳｉＮ薄膜の成膜装置例文帳に追加

TiSiN MEMBRANE, FILM FORMING METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCING METHOD THEREFOR AND FILM FORMING DEVICE FOR TiSiN MEMBRANE - 特許庁

レンズＡＦ／ＭＦ切換ＳＷ９がＡＦの場合、カメラ側ＳＡＦ設定ではＳＡＦ動作でフォーカスボタン押しはフォーカスロックとなる。例文帳に追加

When the lens AF/MF changeover SW 9 is set to AF, focus button depression locks the focus in SAF operation with camera-side SAF setting. - 特許庁

また、本発明のレーザ素子は、前記超格子層はＡｌ_xＧａ_1-xＮ／Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）からなる超格子構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

The laser element has a superlattice structure, which consists of AlxGa1-xN/InyGa1-yN (0<x<1, 0≤y<1). - 特許庁

クラッド層がＧａＡｓとＧａＰの間の格子定数を有しており、共振器端面にＧａＩｎＡｓＰ材料よりなる窓層が設けられている。例文帳に追加

A clad layer has a grating coefficient between GaAs and GaP, and a window layer made of GaInAsP is provided at an edge face of a resonator. - 特許庁

ＭＲＡＭデバイス５０は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ（ＭＲＡＭセルブロック５２，基準ＭＲＡＭセルブロック５４）を備える。例文帳に追加

An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell. - 特許庁

更にＮｍａｘとＮｍｉｎの差Ｄが大きいほどＹａｃが多くなるようにＹａとＹａｃとを加重加算する。例文帳に追加

Furthermore, the larger a difference D between Nmax and Nmin is, the more Yac is used for weighted addition of Ya and Yac. - 特許庁

ガイド層１５，１７はＩｎＧａＮからなり、クラッド層１４，１８は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｘ＋ｙ＜１）からなる。例文帳に追加

Guide layers 15, 17 are each composed of InGaN, and clad layers 14, 18 are each composed of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1). - 特許庁

低屈折率層１０７１は、Ａｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ａｓからなり、高屈折率層１０７２は、（Ａｌ_０．３７Ｇａ_０．６３）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐからなる。例文帳に追加

Moreover, the low refractive-index layer 1071 is formed of Al_0.95Ga_0.05As, and the high refractive-index layer 1072 is formed of (Al_0.37Ga_0.63)_0.51In_0.49P. - 特許庁

ｐ型層がＡｌＧａＮのみからなるＧａＮ系ＬＥＤの、耐久性を向上させるための技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology for improving a durability of a GaN-based LED whose p-type layer is composed of only AlGaN. - 特許庁

緩衝層１３は、厚さが約１．１ｎｍでＡｌＧａＩｎＰ層１２のＧａの組成よりも小さいＧａの組成を持つＡｌＧａＩｎＰからなる。例文帳に追加

The buffer layer 13 is about 1.1 nm thick, and is composed of AlGaInP having a smaller composition of Ga than that of the AlGaInP layer 12. - 特許庁

これによって、ＡｌＧａＮでありながらも、ＬＥＰＳ法によって好ましく成長し、ＡｌＧａＮ結晶層となる。例文帳に追加

As a result, growth is made preferentially by the LEPS method while being AlGaN, and an AlGaN crystal layer is achieved. - 特許庁